高壓直流輸電（HVDC）是晶閘管的重要應用領域之一。與交流輸電相比，HVDC在長距離輸電、海底電纜輸電和異步電網互聯中具有明顯的優勢，而晶閘管是HVDC換流站的重要器件。在HVDC系統中，晶閘管主要用于構成換流器，包括整流器和逆變器。整流器將三相交流電轉換為直流電，逆變器則將直流電還原為交流電。傳統的HVDC換流器多采用12脈動橋結構，每個橋由6個晶閘管串聯組成，通過精確控制晶閘管的觸發角，可實現對直流電壓和功率的調節。晶閘管在HVDC中的關鍵優勢包括：高耐壓能力（單個晶閘管可承受數千伏電壓）、大電流容量（可達數千安培）、可靠性高（使用壽命長）和成本效益好。例如，中國的特高壓直流輸電工程（如±800kV云廣直流工程）采用了大量光控晶閘管（LTT），單閥組額定電壓達800kV，額定電流達4000A，傳輸容量超過5000MW。然而，晶閘管在HVDC中的應用也面臨挑戰。由于晶閘管屬于半控型器件，關斷依賴電流過零，因此在故障情況下的快速滅弧能力較弱。為解決這一問題，現代HVDC系統引入了混合式換流器技術，將晶閘管與全控型器件（如IGBT）結合，提高系統的故障穿越能力和動態響應性能。 晶閘管模塊的通態電流容量從幾安培到數千安培不等，滿足多種應用需求。Infineon晶閘管功率模塊

為了確保單向晶閘管在工作過程中的安全性和可靠性，必須設計完善的保護電路。過電壓保護電路能夠防止晶閘管因承受過高的電壓而損壞。常見的過電壓保護措施有阻容吸收電路和壓敏電阻保護。阻容吸收電路利用電容和電阻的組合，在過電壓出現時吸收能量，限制電壓的上升率。壓敏電阻則在電壓超過其擊穿電壓時，呈現低電阻狀態，將過電壓能量釋放掉。過電流保護電路用于防止晶閘管因過大的電流而燒毀。常用的過電流保護方法有快速熔斷器保護、過電流繼電器保護和電子保護電路?？焖偃蹟嗥髂軌蛟陔娐烦霈F短路等故障時迅速熔斷，切斷電路，保護晶閘管。在設計保護電路時，需要根據晶閘管的額定參數和實際工作環境，合理選擇保護元件的參數，以確保保護電路的有效性。 貼片型晶閘管模塊晶閘管常用于交流調壓器，如舞臺燈光控制。

單向晶閘管（SCR）與可控硅的關系

晶閘管根據結構與特性分類，可分為單向晶閘管、雙向晶閘管。單向晶閘管（SCR）是**基礎的晶閘管類型，早期被稱為“可控硅”。它*允許電流從陽極流向陰極，適用于直流或單向交流電路。SCR的典型應用包括整流器、逆變器和固態繼電器。其名稱“可控硅”源于硅材料和對導通的可控性，但現代術語中，“晶閘管”涵蓋更廣，SCR*為子類。SCR的缺點是關斷依賴外部條件，因此在需要快速開關的場合需搭配輔助電路。

單向晶閘管的觸發電路需要為門極提供合適的觸發脈沖，以確保器件可靠導通。觸發電路主要有阻容觸發、單結晶體管觸發、集成觸發電路等類型。阻容觸發電路結構簡單，成本低，它利用電容充放電來產生觸發脈沖，但脈沖寬度和相位控制精度較差。單結晶體管觸發電路能夠輸出前沿陡峭的脈沖，適用于中小功率的晶閘管電路。集成觸發電路如KJ004、TC787等，具有可靠性高、觸發精度高、溫度穩定性好等優點，廣泛應用于工業控制領域。設計觸發電路時，需要考慮觸發脈沖的幅度、寬度、前沿陡度以及與主電路的同步問題。例如，在三相橋式全控整流電路中，觸發脈沖必須與三相電源同步，以保證晶閘管在正確的時刻導通，從而獲得穩定的直流輸出。 晶閘管模塊的觸發方式包括電流觸發、光觸發和電壓觸發等。

由于在雙向可控硅的主電極上，無論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發信號是正向還是反向，它都能被觸發導通，因此它有以下四種觸發方式：(1)當主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓，控制極G對***電極Tl所加的也是正向觸發信號。雙向可控硅觸發導通后，電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線可知，這時雙向可控硅觸發導通規律是按***象限的特性進行的，又因為觸發信號是正向的，所以把這種觸發叫做“***象限的正向觸發”或稱為I+觸發方式。(2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發信號改為反向信號，這時雙向可控硅觸發導通后，通態電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發叫做“***象限的負觸發”或稱為I-觸發方式。(3)兩個主電極加上反向電壓U12，輸入正向觸發信號，雙向可控硅導通后，通態電流從T1流向T2。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作，因此把這種觸發叫做Ⅲ+觸發方式。 (4)兩個主電極仍然加反向電壓U12，輸入的是反向觸發信號，雙向可控硅導通后，通態電流仍從T1流向T2。這種觸發就叫做Ⅲ-觸發方式。 雙向可控硅雖然有以上四種觸發方式，但由于負信號觸發所需要的觸發電壓和電流都比較小。工作比較可靠，因此在實際使用時，負觸發方式應用較多。晶閘管的失效模式包括過熱燒毀、電壓擊穿等。中國香港揚杰晶閘管

晶閘管的觸發電路需匹配門極特性以提高可靠性。Infineon晶閘管功率模塊

晶閘管（Thyristor）是一種具有四層PNPN結構的半導體功率器件，由三個PN結組成，包含陽極（A）、陰極（K）和門極（G）三個端子。其工作原理基于PN結的正向偏置與反向偏置特性：當門極施加正向觸發脈沖時，晶閘管從阻斷狀態轉為導通狀態，此后即使撤去觸發信號，仍保持導通，直至陽極電流低于維持電流或施加反向電壓。晶閘管的**特性包括：單向導電性、可控觸發特性、高耐壓與大電流容量、低導通損耗等。其導通狀態下的壓降通常在1-2V之間，遠低于機械開關，因此適用于高功率場景。此外，晶閘管的關斷必須依賴外部電路條件（如電流過零或反向電壓），這一特性使其在交流電路中應用時需特別設計換流電路。在實際應用中，晶閘管的觸發方式分為電流觸發、光觸發和溫度觸發等，其中電流觸發**為常見。觸發脈沖的寬度、幅度和上升沿對晶閘管的可靠觸發至關重要，一般要求觸發脈沖寬度大于晶閘管的開通時間（通常為幾微秒至幾十微秒）。 Infineon晶閘管功率模塊