微光顯微鏡技術特性差異

探測靈敏度方向：EMMI 追求對微弱光子的高靈敏度（可檢測單光子級別信號），需配合暗場環境減少干擾；熱紅外顯微鏡則強調溫度分辨率（部分設備可達 0.01℃），需抑制環境熱噪聲。

空間分辨率：EMMI 的分辨率受光學系統和光子波長限制，通常在微米級；熱紅外顯微鏡的分辨率與紅外波長、鏡頭數值孔徑相關，一般略低于 EMMI，但更注重大面積熱分布的快速成像。

樣品處理要求：EMMI 對部分遮蔽性失效（如金屬下方漏電）需采用背面觀測模式，可能需要減薄、拋光樣品；

處理要求：熱紅外顯微鏡可透過封裝材料（如陶瓷、塑料）探測，對樣品破壞性較小，更適合非侵入式初步篩查。 我司微光顯微鏡能檢測內部缺陷，通過分析光子發射評估性能，為研發、生產和質量控制提供支持。IC微光顯微鏡廠家

隨著器件尺寸的逐漸變小，MOS器件的溝道長度也逐漸變短。短溝道效應也愈發嚴重。短溝道效應會使得MOS管的漏結存在一個強電場，該電場會對載流子進行加速，同時賦予載流子一個動能，該載流子會造成中性的Si原子被極化，產生同樣帶有能量的電子與空穴對，這種電子與空穴被稱為熱載流子，反映在能帶圖中就是電位更高的電子和電位更低的空穴。一部分熱載流子會在生成后立馬復合，產生波長更短的熒光，另一部分在電場的作用下分離。電子進入柵氧層，影響閾值電壓，空穴進入襯底，產生襯底電流。歸因于短溝道效應能在MOS管的漏端能看到亮點，同樣在反偏PN結處也能產生強場，也能觀察到亮點。半導體失效分析微光顯微鏡規格尺寸電路驗證中出現閂鎖效應及漏電，微光顯微鏡可定位位置，為電路設計優化提供依據，保障系統穩定運行。

EMMI 微光顯微鏡作為集成電路失效分析的重要設備，其漏電定位功能對于失效分析工程師而言是不可或缺的工具。在集成電路領域，對芯片的可靠性有著極高的要求。在芯片運行過程中，微小漏電現象較為常見，且在特定條件下，這些微弱的漏電可能會被放大，導致芯片乃至整個控制系統的失效。因此，芯片微漏電現象在集成電路失效分析中占據著至關重要的地位。此外，考慮到大多數集成電路的工作電壓范圍在3.3V至20V之間，工作電流即便是微安或毫安級別的漏電流也足以表明芯片已經出現失效。因此，準確判斷漏流位置對于確定芯片失效的根本原因至關重要。

漏電是芯片另一種常見的失效模式，其誘因復雜多樣，既可能源于晶體管長期工作后的老化衰減，也可能由氧化層存在裂紋等缺陷引發。

與短路類似，芯片內部發生漏電時，漏電路徑中會伴隨微弱的光發射現象——這種光信號的強度往往遠低于短路產生的光輻射，對檢測設備的靈敏度提出了極高要求。EMMI憑借其的微光探測能力，能夠捕捉到漏電產生的極微弱光信號。通過對芯片進行全域掃描，可將漏電區域以可視化圖像的形式清晰呈現，使工程師能直觀識別漏電位置與分布特征。

支持自定義檢測參數，測試人員可根據特殊樣品特性調整設置，獲得較為準確的檢測結果。

在半導體芯片的精密檢測領域，微光顯微鏡與熱紅外顯微鏡如同兩把功能各異的 “利劍”，各自憑借獨特的技術原理與應用優勢，在芯片質量管控與失效分析中發揮著不可替代的作用。二者雖同服務于芯片檢測，但在邏輯與適用場景上的差異，使其成為互補而非替代的檢測組合。從技術原理來看，兩者的 “探測語言” 截然不同。

微光顯微鏡是 “光子的捕捉者”，其重心在于高靈敏度的光子傳感器，能夠捕捉芯片內部因電性能異常釋放的微弱光信號 —— 這些信號可能來自 PN 結漏電時的電子躍遷，或是柵氧擊穿瞬間的能量釋放，波長多集中在可見光至近紅外范圍。

為提升微光顯微鏡探測力，我司多種光學物鏡可選，用戶可依樣品工藝與結構選裝，滿足不同微光探測需求。國產微光顯微鏡售價

微光顯微鏡的自動瑕疵分類系統，可依據發光的強度、形狀等特征進行歸類，提高檢測報告的生成效率。IC微光顯微鏡廠家

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