為什么要用氮化鋁陶瓷基板？因為LED大燈的工作溫度非常高。而亮度跟功率是掛鉤的，功率越大，溫度越高，再度提高亮度只有通過精細的冷卻設計或者散熱器件的加大，但是效果并不理想。能夠使其達到理想效果的只有氮化鋁陶瓷基板。首先氮化鋁陶瓷基板的導熱率很高，氮化鋁基片可達170-260W/mK，是鋁基板的一百倍。其次，氮化鋁陶瓷基板還有非常優良的絕緣性，與燈珠更匹配的熱膨脹技術等一系列優點。應用于電動汽車和混合動力汽車中的電力電子器件市場規模很大。而電力器件模塊氮化鋁陶瓷基板的技術和商業機遇都令人期待。氮化鋁的應用：應用于襯底材料，AlN晶體是GaN、AlGaN以及AlN外延材料的理想襯底。金華絕緣氮化鋁粉體多少錢

氮化鋁在陶瓷在常溫和高溫下都具有良好的耐蝕性、穩定性，在2450℃下才會發生分解，可以用作高溫耐火材料，如坩堝、澆鑄模具。氮化鋁陶瓷能夠不被銅、鋁、銀等物質潤濕以及耐鋁、鐵、鋁合金的溶蝕，可以成為良好的容器和高溫保護層，如熱電偶保護管和燒結器具；也可以抵御高溫腐蝕性氣體的侵蝕，用于制備氮化鋁陶瓷靜電卡盤這種重要的半導體制造裝備的零部件。由于氮化鋁對砷化鎵等熔鹽表現穩定，用氮化鋁坩堝代替玻璃來合成砷化鎵半導體，可以消除來自玻璃中硅的污染，獲得高純度的砷化鎵半導體。衢州片狀氮化硼品牌由于氮化鋁的聲表面波速度高，具有壓電性，可用作聲表面波器件。

結晶氮化鋁：無色斜方品系結晶工業品為淡黃色或深黃色結晶。密度2. 398}!cm3。加熱到lUU℃分解釋放出氯化氫。溶于水、無水乙醇、，微溶于鹽酸，其水溶液呈酸性。易潮解，在濕空氣中水解生成氯化氫白色煙霧。由煤，堿石粉經沸騰焙燒，再經粉碎后與ir}酸反應.經澄清后，把清液濃縮，析出結晶，固液分離制得。主要用于情密鑄造模殼的硬化劑，木材防腐劑，造紙施膠沉淀劑，石汕1一業加氫裂化催化劑單體的原料。也用干羊毛的精制、染色。以及飲用水、含高氟水‘工業水的處理，含油污水凈化。

氮化鋁(AlN)綜合性能相當優良，是當前具有高熱傳導性和出色的電絕緣特性這一有趣組合的先進陶瓷材料，這樣得天獨厚的優點使得業界對它的應用潛力十分看好。盡管氮化鋁是當前材料科學界很炙手可熱的材料之一，但其發展其實并不順遂。盡管在1877年就已合成，但隨后的100多年間其實都沒什么實際應用，直到20世紀50年代，人們才成功制得氮化鋁陶瓷，并作為耐火材料應用于純鐵、鋁以及鋁合金的熔煉。要發展氮化鋁陶瓷，選對方向很關鍵。目前氮化鋁陶瓷的制備工藝日趨成熟，應用范圍也在不斷擴大，尤其是進入21世紀后，人們對微電子技術的重視又為氮化鋁材料的發展增添了不少籌碼。通過將導熱能力優異的AlN納米顆粒添加到環氧樹脂中，可有效提高材料的熱導率和強度。

氮化鋁具有高熱導率、良好的電絕緣性、低介電常數、無毒等性能，應用前景十分廣闊，特別是隨著大功率和超大規模集成電路的發展，集成電路和基片間散熱的重要性也越來越明顯。因此，基片必須要具有高的導熱率和電阻率。為滿足這一要求，國內外研究學者開發出了一系列高性能的陶瓷基片材料，其中主要包括：Al2O3、BeO、AlN、BN、Si3N4、SiC，其中氮化鋁是綜合性能很優良的新型先進陶瓷材料，被認為是新一代高集成度半導體基片和電子器件的理想封裝材料。燒結過程是氮化鋁陶瓷制備的一個重要階段，直接影響陶瓷的顯微結構如晶粒尺寸與分布、氣孔率和晶界體積分數等。因此燒結技術成為制備高質量氮化鋁陶瓷的關鍵技術。氮化鋁陶瓷常用的燒結技術有無壓燒結、熱壓燒結、放電等離子燒結、微波燒結等。氮化鋁的電阻率較高,熱膨脹系數低，硬度高，化學穩定性好但與一般絕緣體不同。衢州片狀氮化硼品牌

氮化鋁陶瓷基片是理想的大規模集成電路散熱基板和封裝材料。金華絕緣氮化鋁粉體多少錢

氮化鋁陶瓷基片（AlN）是新型功能電子陶瓷材料，是以氮化鋁粉作為原料，采用流延工藝，經高溫燒結而制成的陶瓷基片。氮化鋁陶瓷基板具有氮化鋁材料的各種優異特性，符合封裝電子基片應具備的性質，能高效地散除大型集成電路的熱量，是高密度，大功率，多芯片組件等半導體器件和大功率，高亮度的LED基板及封裝材料的關鍵材料，被認為是很理想的基板材料。較廣應用于功率晶體管模塊基板、激光二極管安裝基板、半導體制冷器件、大功率集成電路，以及作為高導熱基板材料在IC封裝中使用。金華絕緣氮化鋁粉體多少錢