AlN陶瓷金屬化的方法主要有：厚膜金屬化法是在陶瓷基板上通過絲網印刷形成封接用金屬層、導體（電路布線）及電阻等，通過燒結形成釬焊金屬層、電路及引線接點等。厚膜金屬化的步驟一般包括：圖案設計，原圖、漿料的制備，絲網印刷，干燥與燒結。厚膜法的優點是導電性能好，工藝簡單，適用于自動化和多品種小批量生產，但結合強度不高，且受溫度影響大，高溫時結合強度很低。直接覆銅法利用高溫熔融擴散工藝將陶瓷基板與高純無氧銅覆接到一起，所形成的金屬層具有導熱性好、附著強度高、機械性能優良、便于刻蝕、絕緣性及熱循環能力高的優點，但是后續也需要圖形化工藝，同時對AlN進行表面熱處理時形成的氧化物層會降低AlN基板的熱導率。氮化鋁的熱導率主要由晶體缺陷和聲子自身對聲子散射控制。上海球形氮化鋁商家

氮化鋁粉體的制備工藝：高溫自蔓延合成法：高溫自蔓延合成法是直接氮化法的衍生方法，它是將Al粉在高壓氮氣中點燃后，利用Al和N2反應產生的熱量使反應自動維持，直到反應完全，其化學反應式為：2Al(s)+N2(g)→2AlN(s)；其優點是高溫自蔓延合成法的本質與鋁粉直接氮化法相同，但該法不需要在高溫下對Al粉進行氮化，只需在開始時將其點燃，故能耗低、生產效率高、成本低。其缺點是要獲得氮化完全的粉體，必需在較高的氮氣壓力下進行，直接影響了該法的工業化生產。化學氣相沉淀法：它是在遠高于理論反應溫度，使反應產物蒸氣形成很高的過飽和蒸氣壓，導致其自動凝聚成晶核，而后聚集成顆粒。上海球形氮化鋁商家氮化鋁粉末純度高，粒徑小，活性大，是制造高導熱氮化鋁陶瓷基片的主要原料。

氮化鋁在取向硅鋼二次再結晶中的作用：二次再結晶在取向鋼的制造過程中不可缺少，它是在鋼鐵材料的方向性方面發生的現象。可以這樣形容，在幾乎無方向性的基體中，一粒沙子在一瞬間長大成1立方米大的巖石，其結晶方位大約可達到95％的取向度。在此期問，為了抑制基體的長大，普通的高斯法中，采用MnS、RG和RGH鋼中則利用的是MnSe、Sb，而這里將談談AIN。關于二次再結晶的機理已有很多文獻介紹，這里就A1N的特殊性進行描述。HiB鋼熱軋材中的A1N必須是固溶態或極細小的AIN。具有(100)[001]方位的立方體織構鋼，可以通過對含A1熱軋板進行交叉冷軋得到，這時該鋼種具有以下三個重要的特征。AlN很好是1微米左右粗大尺寸，為此，熱軋時板坯加熱溫度低好，熱軋板的高溫退火對AIN的粗大化有利。采用交叉熱軋，雖然可以進一步提高產生(100)面的機率，但隨著C量的增加，(100)[001]方位即45度立方體的混合比例將增加。

氮化鋁基板材料熱膨脹系數（4.6×10-6/K）與SiC芯片熱膨脹系數（4.5×10-6/K）相近，導熱率系數大（170-230W/m?K），絕緣性能優異，可以適應SiC的應用要求，是搭載SiC半導體的理想基板材料。以往，氮化鋁基板主要通過如下工藝制備：在氮化鋁粉末中混合煅燒助劑、粘合劑、增塑劑、分散介質、脫模機等添加劑，通過擠出成型在空氣中或氮等非氧化性氣氛中加熱到350-700℃而將粘合劑去除后（脫脂），在1800-1900℃的氮等非氧化性氣氛中保持0.5-10小時的（煅燒）。該法制備氮化鋁基板的缺陷：通過上述工藝制備出來的氮化鋁基板材料，其擊穿電壓在室溫下顯示為30-40kV/mm左右的高絕緣性，但在400℃的高溫下則降低到10kV/mm左右。在高溫下具備優異絕緣特性的氮化鋁基板的制備方法。通過該法可制備出耐高溫氮化鋁基板材料具有如下特點：氮化鋁晶粒平均大小為2-5μm；熱導率為170W/m?K以上；不含枝狀晶界相；在400℃下的擊穿電壓為30kV/mm以上。氮化鋁硬度高，超過傳統氧化鋁，是新型的耐磨陶瓷材料。

氮化鋁陶瓷低溫燒結助劑的選擇：在燒結過程中通過添加一些低熔點的燒結助劑，可以在氮化鋁燒結過程中產生液相，促進氮化鋁胚體的致密燒結。此外，一些燒結助劑除了能夠產生液相促進燒結，還能夠與氮化鋁晶格中的氧雜質反應，起到去除氧雜質凈化晶格的作用，從而提高AlN陶瓷的熱導性能。然而，燒結助劑不能盲目的添加，添加的量也要適宜，否則可能會產生不利的作用，燒結助劑會引入第二相，第二相的分布控制對熱導率影響較大。經研究，在選擇氮化鋁陶瓷低溫燒結助劑時應參照以下幾點：添加劑熔點較低，能夠在較低的燒結溫度下形成液相，通過液相促進燒結；添加劑能夠與Al2O3反應，去除氧雜質，凈化AlN晶格，進而提高熱導率；添加劑不與AlN反應，避免缺陷的產生；添加劑不會誘發AlN發生分解和氧化產生Al2O3和AlON，避免氮化鋁陶瓷熱導率急劇降低。電子封裝基片材料：常用的陶瓷基片材料有氧化鈹、氧化鋁、氮化鋁等。上海球形氮化鋁商家

氮化鋁陶瓷基板用量十分巨大。上海球形氮化鋁商家

在現有可作為基板材料使用的陶瓷材料中，Si3N4陶瓷抗彎強度很高，耐磨性好，是綜合機械性能很好的陶瓷材料，同時其熱膨脹系數很小，因而被很多人認為是一種很有潛力的功率器件封裝基片材料。但是其制備工藝復雜，成本較高，熱導率偏低，主要適合應用于強度要求較高但散熱要求不高的領域。而氮化鋁各方面性能同樣也非常，尤其是在電子封裝對熱導率的要求方面，氮化鋁優勢巨大。不足的是，較高成本的原料和工藝使得氮化鋁陶瓷價格很高，這是制約氮化鋁基板發展的主要問題。但是隨著氮化鋁制備技術的不斷發展，其成本必定會有所降低，氮化鋁陶瓷基板在大功率LED領域大面積應用指日可待。上海球形氮化鋁商家

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