電流比率診斷方法，基于聚類技術的靜態電流檢測技術等。動態電流診斷技術于90年代問世。動態電流能夠直接反應電路在進行狀態轉換時，其內部電壓的切換頻繁程度。基于動態電流的檢測技術可以檢測出之前兩類方法所不能檢測出的故障，進一步擴大故障覆蓋范圍。隨著智能化技術的發展與逐漸成熟，集成電路芯片故障檢測技術也朝著智能化的趨勢前進[2]。深圳市硅宇電子有限公司（SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD）成立于2000年，總部位于深圳福田區福虹路世界貿易廣場A座，2002年成立北京分公司，是專業的IC供貨商（只做原裝），其中有8位單片機、32位單片機；在該領域已經營多年，資源豐富，目前已發展成為一家專業化、規模化的電子元器件經銷商，且得到廠商的大力支持與新老客戶的認同，公司工程技術力量強大，可為客戶設計指導方案開發。IC芯片是將大量的微電子元器件（晶體管、電阻、電容等）形成的IC芯片放在一塊塑基上，做成一塊芯片。TPS61165DBVR

    這是**次從國外引進集成電路技術；成立電子計算機和大規模集成電路領導小組，制定了**IC發展規劃，提出“六五”期間要對半導體工業進行技術改造。1985年，塊64KDRAM在無錫國營724廠試制成功。1988年，上無十四廠建成了我國條4英寸線。1989年，機電部在無錫召開“八五”集成電路發展戰略研討會，提出振興集成電路的發展戰略；724廠和永川半導體研究所無錫分所合并成立了**華晶電子集團公司。[5]1990-2000年重點建設期1990年，決定實施“908”工程。1991年，首都鋼鐵公司和日本NEC公司成立中外合資公司——首鋼NEC電子有限公司。1992年，上海飛利浦公司建成了我國條5英寸線。1993年，塊256KDRAM在**華晶電子集團公司試制成功。1994年，首鋼日電公司建成了我國條6英寸線。1995年，決定繼續實施集成電路專項工程（“909”工程），集中建設我國條8英寸生產線。1996年，英特爾公司投資在上海建設封測廠。1997年，由上海華虹集團與日本NEC公司合資組建上海華虹NEC電子有限公司，主要承擔“909”主體工程超大規模集成電路芯片生產線項目建設。1998年，華晶與上華合作生產MOS圓片合約簽定，開始了**大陸的Foundry時代。BCR533E6327家電領域：IC芯片在家電領域中也有應用，如電視、空調、冰箱、洗衣機、微波爐等。

    是專業的IC供貨商（只做原裝），其中有8位單片機、32位單片機；在該領域已經營多年，資源豐富，目前已發展成為一家專業化、規模化的電子元器件經銷商，且得到廠商的大力支持與新老客戶的認同，公司工程技術力量強大，可為客戶設計指導方案開發。這是**次從國外引進集成電路技術；成立電子計算機和大規模集成電路領導小組，制定了**IC發展規劃，提出“六五”期間要對半導體工業進行技術改造。1985年，塊64KDRAM在無錫國營724廠試制成功。1988年，上無十四廠建成了我國條4英寸線。1989年，機電部在無錫召開“八五”集成電路發展戰略研討會，提出振興集成電路的發展戰略；724廠和永川半導體研究所無錫分所合并成立了**華晶電子集團公司。[5]1990-2000年重點建設期1990年，決定實施“908”工程。1991年，首都鋼鐵公司和日本NEC公司成立中外合資公司——首鋼NEC電子有限公司。1992年，上海飛利浦公司建成了我國條5英寸線。1993年，塊256KDRAM在**華晶電子集團公司試制成功。1994年，首鋼日電公司建成了我國條6英寸線。1995年，決定繼續實施集成電路專項工程（“909”工程），集中建設我國條8英寸生產線。1996年，英特爾公司投資在上海建設封測廠。1997年。

    如-5，-6之類數字表示。工藝結構----如通用數字IC有COMS和TL兩種，常用字母C，T來表示。是否**-----一般在型號的末尾會有一個字母來表示是否**，如z，R，+等。包裝-----顯示該物料是以何種包裝運輸的，如tube，T/R，r**l，tray等。版本號----顯示該產品修改的次數，一般以M為版本。IC命名、封裝常識與命名規則溫度范圍：C=0℃至60℃（商業級）；I=-20℃至85℃（工業級）；E=-40℃至85℃（擴展工業級）；A=-40℃至82℃（航空級）；M=-55℃至125℃（級）封裝類型：A—SSOP；BCERQUAD；C-TO-200，TQFP﹔D—陶瓷銅頂；E—QSOP；F—陶瓷SOP；H—SBGAJ-陶瓷DIP；K—TO-3；L—LCC，M—MQFP；N——窄DIP﹔N—DIP;；Q—PLCC；R一窄陶瓷DIP（300mil）；S—TO-52，T—TO5，TO-99，TO-100﹔U—TSSOP，uMAX，SOT；W—寬體小外型(300mil)﹔X—SC-60(**，5P，6P)﹔Y―窄體銅頂；Z—TO-92，MQUAD；D—裸片；/PR-增強型塑封﹔/W-晶圓。管腳數:A—8；B—10﹔C—12，192；D—14；E—16；F——22，256；G—4；H—4；I—28；J—2；K—5，68；L—40；M—6，48；N—18；O—42；P—20﹔Q—2，100﹔R—3，843；S——4，80；T—6，160；U—60；V—8(圓形)﹔W—10(圓形)﹔X—36；Y—8(圓形)﹔Z—10。。芯片，又稱微電路、微芯片、IC芯片，是指內含IC芯片的硅片，體積很小，是計算機或其他電子設備的一部分。

    本公開一般地涉及液體冷卻的集成電路系統、用于冷卻集成電路的裝置以及用于冷卻集成電路的方法。背景技術：現代計算機系統產生大量的熱量。盡管所述熱量中的一部分熱量是由電源及類似物產生，所述熱量中的大部分熱量是由諸如處理器和存儲芯片的集成電路產生的。為了合適地運行，這些計算機系統必須被保持在一定溫度范圍之內。因此，必須消散或以其他方式移除由這些處理器和存儲芯片產生的熱量。技術實現要素：在一個方面中，本公開的實施方式提供一種液體冷卻的集成電路系統，所述液體冷卻的集成電路系統包括：兩個印刷電路裝配件，每個所述印刷電路裝配件包括：系統板，平行地安裝在所述系統板上的多個印刷電路板插座，和多個冷卻管，每個所述冷卻管平行且鄰接于所述印刷電路板插座中的對應的一個印刷電路板插座地安裝在所述系統板上，所述冷卻管中的每個冷卻管具有在該冷卻管的與所述系統板相對的一側上粘附至所述冷卻管的熱接口材料層；以及多個集成電路模塊，每個所述集成電路模塊包括：印刷電路板，所述印刷電路板具有布置在所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座中的連接側；安裝在所述印刷電路板上的一個或多個集成電路，第二熱接口材料層。硅宇電子的IC芯片為客戶提供高效可靠的解決方案，幫助他們實現更高效的生產力。TPS61165DBVR

IC芯片對于離散晶體管有兩個主要優勢：成本和性能。TPS61165DBVR

    生產的成本越低，但對工藝就要求的越高。晶圓涂膜晶圓涂膜能抵抗氧化以及耐溫能力，其材料為光阻的一種。晶圓光刻顯影、蝕刻光刻工藝的基本流程如圖1[2]所示。首先是在晶圓（或襯底）表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機里面。光線透過一個掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上，實現曝光，激發光化學反應。對曝光后的晶圓進行第二次烘烤，即所謂的曝光后烘烤，后烘烤使得光化學反應更充分。后，把顯影液噴灑到晶圓表面的光刻膠上，對曝光圖形顯影。顯影后，掩模上的圖形就被存留在了光刻膠上。涂膠、烘烤和顯影都是在勻膠顯影機中完成的，曝光是在光刻機中完成的。勻膠顯影機和光刻機一般都是聯機作業的，晶圓通過機械手在各單元和機器之間傳送。整個曝光顯影系統是封閉的，晶圓不直接暴露在周圍環境中，以減少環境中有害成分對光刻膠和光化學反應的影響[2]。圖1：現代光刻工藝的基本流程和光刻后的檢測步驟該過程使用了對紫外光敏感的化學物質，即遇紫外光則變軟。通過控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蝕劑，使得其遇紫外光就會溶解。這時可以用上份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解。TPS61165DBVR