晶閘管模塊的存在起到很重要的作用，在一些特殊情況時，就需要將晶閘管模塊進行串聯或者并聯，從而達到要求，接下來正高電氣來說說晶閘管模塊串聯和并聯的區別有哪些？當晶閘管模塊額定電壓小于要求時，可以串聯。采用晶閘管模塊串聯希望器件分壓相等，但因特性差異，使器件電壓分配不均勻。當晶閘管模塊靜態不均壓，串聯的晶閘管模塊流過的漏電流相同，但因靜態伏安特性的分散性，各器件分壓不等。這是應選用參數和特性盡量一致的晶閘管模塊，采用電阻均壓，Rp的阻值應比器件阻斷時的正、反向電阻小得多。當晶閘管模塊動態不均壓，由于器件動態參數和特性的差異造成的不均壓，這時我們要選擇動態參數和特性盡量一致的晶閘管模塊，用RC并聯支路作動態均壓，采用門極強脈沖觸發可以明顯減小器件開通時間的差異。和晶閘管模塊串聯不同的是，晶閘管模塊并聯會使多個器件并聯來承擔較大的電流，會分別因靜態和動態特性參數的差異而電流分配不均勻，這時我們要挑選特性參數盡量一致的器件，采用均流電抗器，用門極強脈沖觸發也有助于動態均流。需要注意的是當晶閘管模塊需要同時串聯和并聯時，通常采用先串后并的方法聯接。IGBT是以GTR為主導元件，MOSFET為驅動元件的達林頓結構的復合器件。安徽模塊類型

早在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等。節能模塊性價比英飛凌、 三菱、 ABB在1700V以上電壓等級的工業IGBT領域占優勢。

圖1 光電耦合器驅動電路  推薦使用的光電耦合器有： HCPI,-4505、HCPL-4506、TI.P759 (IGM)、TLP755 等。一般情況下，光電耦合器要符合UI。、VDE 等安全認證。同時比較好使光電耦合器和IGBT控制端子間的布線盡量短。由于光電耦合器兩端間常加有大的du/出，因此，光電耦合器兩端的布線不要太靠近以減小其間的耦合電容。在使用15V的直流電源組件時，電源輸出側的GND端子不要互聯，并盡量減少各電源與地間的雜散電容，同時還應當確保足夠大的絕緣距離（大于2mm)。光電耦合器輸入用的10μF及0.1μF濾波電容主要用于保持控制 電壓平穩和使線路阻抗穩定。控制信號輸入端與Vcc端應接20kΩ的上拉電阻，在不使用制動單元時，也應該在DB輸人端與Vcc端之間接20Ω的上拉電阻，否則，du/dt過大，可能會引起誤動作。  

可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductormodule)。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。可控硅模塊的優點：體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結構重復性好，裝置的機械設計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優點。可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類，從具體的用途上區分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。IGBT是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路。

可選的，所述連接部包括連接板、以及設置在所述連接板一側的凸起；所述安裝板的上側設置有擋板和卡槽，所述擋板豎向設置且所述擋板上開設有連接孔或凹槽，所述卡槽位于所述擋板靠近所述igbt單管的一側；所述連接板的下端插接在所述卡槽內，所述連接板側部的凸起位于在所述連接孔或凹槽內。可選的，所述壓緊部與所述連接板的上端相連，且所述壓緊部遠離所述連接板的一端朝背離所述擋板的一側斜向下延伸。可選的，所述壓緊部遠離所述連接部的一端設置有工裝槽。可選的，所述igbt單管的數量為一個以上，各所述igbt單管成排設置在所述安裝板上。可選的，所述壓緊件的數量與所述igbt單管的排數相等，每個所述壓緊件將其中一排所述igbt單管抵壓在所述安裝板上。可選的，所述壓緊件的連接板呈長條狀，所述壓緊件包括一個以上的所述壓緊部，各所述壓緊部沿所述連接板的長度方向依次連接在所述連接板的上端。可選的，所述安裝板為水冷板。超快恢復二極管芯片和內連接線,超快恢復二極管芯片固定在主電極上,主電極固定在氮化鋁陶瓷覆銅板上。江蘇國產模塊量大從優

IGBT縱向結構：非透明集電區NPT型、帶緩沖層的PT型、透明集電區NPT型和FS電場截止型。安徽模塊類型

可控硅工作原理可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,通常由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不只是整流，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的轉變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電范疇進入了強電范疇，成為工業、農業、交通運輸、科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。安徽模塊類型

江蘇芯鉆時代電子科技有限公司屬于電子元器件的高新企業，技術力量雄厚。是一家有限責任公司（自然）企業，隨著市場的發展和生產的需求，與多家企業合作研究，在原有產品的基礎上經過不斷改進，追求新型，在強化內部管理，完善結構調整的同時，良好的質量、合理的價格、完善的服務，在業界受到寬泛好評。公司始終堅持客戶需求優先的原則，致力于提供高質量的IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器。江蘇芯鉆時代自成立以來，一直堅持走正規化、專業化路線，得到了廣大客戶及社會各界的普遍認可與大力支持。