1906年美國人德福雷斯特發明真空三極管，用來放大電話的聲音電流。此后，人們強烈地期待著能夠誕生一種固體器件，用來作為質量輕、價廉和壽命長的放大器和電子開關。1947年，點接觸型鍺晶體管的誕生，在電子器件的發展史上翻開了新的一頁。但是，這種點接觸型晶體管在構造上存在著接觸點不穩定的致命弱點。在點接觸型晶體管開發成功的同時，結型晶體管論就已經提出，但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導電類型以后，結型晶體管材真正得以出現。1950年，具有使用價值的**早的鍺合金型晶體管誕生。無錫微原科技，推動電子元器件向微型化邁進。靜安區電子元器件哪家好

2002年OFC展覽會上有十多家自動封裝、自動熔接設備廠商參展，熔接、對準、壓焊等許多認為只能由人工操作的工藝都能由機械手進行。據ElectroniCast預測，到2005年自動化組裝與測試設備的銷量將達17.1億美元，光電子器件產值中的70%~80%將由全自動或半自動化組裝生產, 可以說自動化生產線的出現是光電子行業開始走向成熟的標志和發展的必然。光電器件下一代光傳送網的基本特征是超大容量，從各種復用技術的發展狀況看，密集波分復用（DWDM）被認為是擴大網絡容量和提高其靈活性的***途徑。采用DWDM可以使容量迅速地擴大數十倍至數百倍。由于市場驅動和技術突破的影響，波分復用系統發展極為迅速。因此各種新研制的光器件也都或多或少與波分復用有關。DWDM的發展思路一直是追求更高的頻譜效率，一方面提高每個通道的速率，另一方面增加通道密度。普陀區應用電子元器件無錫微原科技，打造環保節能的電子元器件產品。

電容

1、電容在電路中一般用“C”加數字表示(如C13表示編號為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容的特性主要是隔直流通交流。電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小，電容對交流信號的阻礙作用稱為容抗，它與交流信號的頻率和電容量有關。容抗XC=1/2πfc(f表示交流信號的頻率，C表示電容容量)電話機中常用電容的種類有電解電容、瓷片電容、貼片電容、獨石電容、鉭電容和滌綸電容等。

2、識別方法：電容的識別方法與電阻的識別方法基本相同，分直標法、色標法和數標法3種。電容的基本單位用法拉(F)表示，其它單位還有：毫法(mF)、微法(uF)、納法(nF)、皮法(pF)。

電源變壓器的檢測A 通過觀察變壓器的外貌來檢查其是否有明顯異常現象。如線圈引線是否斷裂，脫焊，絕緣材料是否有燒焦痕跡，鐵心緊固螺桿是否有松動，硅鋼片有無銹蝕，繞組線圈是否有外露等。B 絕緣性測試。用萬用表R×10k擋分別測量鐵心與初級，初級與各次級、鐵心與各次級、靜電屏蔽層與衩次級、次級各繞組間的電阻值，萬用表指針均應指在無窮大位置不動。否則，說明變壓器絕緣性能不良。C 線圈通斷的檢測。將萬用表置于R×1擋，測試中，若某個繞組的電阻值為無窮大，則說明此繞組有斷路性故障。D 判別初、次級線圈。電源變壓器初級引腳和次級引腳一般都是分別從兩側引出的，并且初級繞組多標有220V字樣，次級繞組則標出額定電壓值，如15V、24V、35V等。再根據這些標記進行識別。無錫微原電子科技，電子元器件助力智能家電升級。

1954年，結型硅晶體管誕生。此后，人們提出了場效應晶體管的構想。隨著無缺陷結晶和缺陷控制等材料技術、晶體外誕生長技術和擴散摻雜技術、耐壓氧化膜的制備技術、腐蝕和光刻技術的出現和發展，各種性能優良的電子器件相繼出現，電子元器件逐步從真空管時代進入晶體管時代和大規模、超大規模集成電路時代。逐步形成作為高技術產業**的半導體工業。由于社會發展的需要，電子裝置變的越來越復雜，這就要求了電子裝置必須具有可靠性、速度快、消耗功率小以及質量輕、小型化、成本低等特點。半導體工業和半導體技術被稱為現代工業的基礎，同時也已經發展稱為一個相對的高科技產業。淮安進口電子元器件

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檢測電位器的活動臂與電阻片的接觸是否良好。用萬用表的歐姆檔測“1”、“2”(或“2”、“3”)兩端，將電位器的轉軸按逆時針方向旋至接近“關”的位置，這時電阻值越小越好。再順時針慢慢旋轉軸柄，電阻值應逐漸增大，表頭中的指針應平穩移動。當軸柄旋至極端位置“3”時，阻值應接近電位器的標稱值。如萬用表的指針在電位器的軸柄轉動過程中有跳動現象，說明活動觸點有接觸不良的故障。5 正溫度系數熱敏電阻(PTC)的檢測。檢測時，用萬用表R×1擋，具體可分兩步操作：A 常溫檢測(室內溫度接近25℃)；將兩表筆接觸PTC熱敏電阻的兩引腳測出其實際阻值，并與標稱阻值相對比，二者相差在±2Ω內即為正常。實際阻值若與標稱阻值相差過大，則說明其性能不良或已損壞。靜安區電子元器件哪家好

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