大多數半導體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導體材料的導電率是由晶體結構中引起自由電子過剩和缺乏的雜質決定的，一般是通過多數載流子（N型半導體中的電子，P型半導體中的空穴）來負責的，但是，各種半導體，例如晶體管為了在器件中工作，需要少數載流子（N型半導體中的空穴和P型半導體中的電子）。半導體的整流效應（*在一個方向上通過電流的特性）**初是在方鉛礦晶體中發現的。早期的無線電接收器（礦石無線電）是在方鉛礦晶體的表面上發現的，上面涂有稱為“貓須”的鉛存儲工具。據說，使用了稱為“”的細金屬線的輕微接觸。無錫微原電子科技，以創新驅動半導體器件行業進步，未來可期！現代化半導體器件生產過程

日本半導體分立器件型號命名方法日本生產的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到**個部分，其各部分的符號意義如下：

***部分：用數字表示器件有效電極數目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件、┄┄依此類推。

第二部分：日本電子工業協會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業協會JEIA注冊登記的半導體分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結晶體管、J-P溝道場效應管、K-N 溝道場效應管、M-雙向可控硅。

第四部分：用數字表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數-從“11”開始，表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數字越大，越是產品。

第五部分： 用字母表示同一型號的改進型產品標志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產品的改進產品。 現代化半導體器件生產過程在半導體器件的廣闊天地里，無錫微原電子科技正書寫著屬于自己的傳奇！

      雙極型晶體管它是由兩個PN結構成，其中一個PN結稱為發射結，另一個稱為集電結。兩個結之間的一薄層半導體材料稱為基區。接在發射結一端和集電結一端的兩個電極分別稱為發射極和集電極。接在基區上的電極稱為基極。在應用時，發射結處于正向偏置，集電極處于反向偏置。通過發射結的電流使大量的少數載流子注入到基區里，這些少數載流子靠擴散遷移到集電結而形成集電極電流，只有極少量的少數載流子在基區內復合而形成基極電流。集電極電流與基極電流之比稱為共發射極電流放大系數。在共發射極電路中，微小的基極電流變化可以控制很大的集電極電流變化，這就是雙極型晶體管的電流放大效應。雙極型晶體管可分為NPN型和PNP型兩類。

穩壓二極管型號的后綴。其后綴的***部分是一個字母，表示穩定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后綴第二部分是數字，表示標稱穩定電壓的整數數值；后綴的第三部分是字母V，**小數點，字母V之后的數字為穩壓管標稱穩定電壓的小數值。2、整流二極管后綴是數字，表示器件的比較大反向峰值耐壓值，單位是伏特。3、晶閘管型號的后綴也是數字，通常標出比較大反向峰值耐壓值和比較大反向關斷電壓中數值較小的那個電壓值。如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。無錫微原電子科技，半導體器件行業的創新典范，值得學習與借鑒！

將純半導體單晶熔化成半導體，并緩慢擠壓生長成棒狀。回歸型它是從含有少量施主雜質和受主雜質的溶液中擠出來的，如果擠出速度快，則生長出P型半導體，如果慢則生長出N型半導體。因為基極區較厚，高頻特性較差。戈隆擴散當在擠壓過程中添加到溶解半導體中的雜質發生變化時，根據晶體的位置，P型或N型半導體會生長。通過這種方法，可以生產二極管的PN和用于二極管的PNP（或NPN），制作了一個晶體管。

端子電極形成在同一平面上，縮短了電流路徑，具有良好的高頻特性。而且由于它可以通過微細加工和應用照相技術排列許多元件來制造，因此可以精確地大量生產，利用這一特點，發明了單片集成電路。

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         載流子的濃度與溫度的關系：溫度一定，本征半導體中載流子的濃度是一定的，并且自由電子與空穴的濃度相等。當溫度升高時，熱運動加劇，掙脫共價鍵束縛的自由電子增多，空穴也隨之增多（即載流子的濃度升高），導電性能增強；當溫度降低，則載流子的濃度降低，導電性能變差。結論：本征半導體的導電性能與溫度有關。半導體材料性能對溫度的敏感性，可制作熱敏和光敏器件，又造成半導體器件溫度穩定性差的原因。雜質半導體：通過擴散工藝，在本征半導體中摻入少量合適的雜質元素，可得到雜質半導體。N型半導體：在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。多數載流子：N型半導體中，自由電子的濃度大于空穴的濃度，稱為多數載流子，簡稱多子。少數載流子：N型半導體中，空穴為少數載流子，簡稱少子。施子原子：雜質原子可以提供電子，稱施子原子。現代化半導體器件生產過程

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