二極管可以作為電子開關使用，利用其單向導電性來控制電路的通斷。在正向偏置時（陽極電壓高于陰極），二極管導通，相當于開關閉合；而在反向偏置時，二極管截止，相當于開關斷開。這一特性被廣泛應用于數字邏輯電路、高頻信號切換以及自動控制系統中。例如，在射頻（RF）電路中，二極管可用于天線切換，使設備在發送和接收信號時自動選擇正確的路徑。此外，高速開關二極管（如肖特基二極管）因其快速響應能力，常用于計算機和通信設備的高頻電路中，確保信號傳輸的準確性。 高頻開關下，二極管模塊的結電容（Cj）會引入額外損耗，需搭配 RC 緩沖電路抑制。阻尼二極管供應

衛星和航天器電子系統需承受宇宙射線和單粒子效應（SEE）。特種二極管模塊采用寬禁帶材料（如SiC）和抗輻射加固工藝（如鈦合金屏蔽），確保在太空環境中穩定工作。例如，太陽翼電源調節器中，二極管模塊實現電池陣的隔離和分流，耐輻射劑量達100krad以上。模塊的金線鍵合和密封焊接工藝防止真空環境下的氣化失效。這類模塊通常需通過MIL-STD-883和ESCC認證，成本雖高但關乎任務成敗，是航天級電源的重要部件。 中國澳門旋轉二極管快恢復二極管模塊（FRD）縮短反向恢復時間至納秒級，適用于高頻開關電源。

P型和N型半導體P型半導體是在本征半導體（一種完全純凈的、結構完整的半導體晶體）摻入少量三價元素雜質，如硼等。
因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產生一個空位，當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導體仍呈中性。這種P型半導體中以空穴導電為主，空穴為多數載流子，自由電子為少數載流子。
N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數載流子，空穴為少數載流子。
因此，在本征半導體的兩個不同區域摻入三價和五價雜質元素，便形成了P型區和N型區，根據N型半導體和P型半導體的特性，可知在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區域向濃度低的區域擴散，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞

二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。 額定正向平均電流（IF）是二極管模塊的關鍵參數，需匹配電路最大工作電流。

大電流二極管模塊（如300A整流模塊）通常采用多芯片并聯設計，其均流能力取決于芯片參數匹配和封裝對稱性。模塊制造時會篩選正向壓降（Vf）偏差<2%的芯片，并通過銅排的星型拓撲布局降低寄生電阻差異。例如，英飛凌的PrimePack模塊使用12個Si二極管芯片并聯，每個芯片配備單獨綁定線，利用銅基板的低熱阻（0.1K/W）特性保持溫度均衡。動態均流則依賴芯片的負溫度系數（NTC）特性：當某芯片電流偏大導致升溫時，其Vf降低會自然抑制電流增長，這種自調節機制使模塊在10ms短時過載下仍能保持電流分布偏差<15%。 與分立二極管相比，模塊方案可減少 50% 以上的焊接點，降低虛焊風險。合金型二極管咨詢

反向恢復電荷（Qrr）影響二極管模塊的開關損耗，高頻應用需優先選擇 Qrr 低的型號。阻尼二極管供應

新一代智能模塊（如ST的ACEPACK Smart Diode）集成溫度傳感器和電流檢測。其原理是在DBC基板上嵌入鉑電阻（Pt1000），通過ADC將溫度信號數字化（精度±1℃）。電流檢測則利用模塊引線框的寄生電阻（Rsense≈0.5mΩ），配合差分放大器提取mV級壓降。數據通過ISO-CLART隔離芯片傳輸至MCU，實現結溫預測和健康狀態（SOH）評估。某電動汽車OBC模塊實測表明，該技術可使過溫保護響應時間從秒級縮短至10ms，預防90%以上的熱失效故障。 阻尼二極管供應