二極管具有單向導電性，二極管的伏安特性曲線如圖2所示 。二極管的伏安特性曲線在二極管加有正向電壓，當電壓值較小時，電流極小；當電壓超過0.6V時，電流開始按指數規律增大，通常稱此為二極管的開啟電壓；當電壓達到約0.7V時，二極管處于完全導通狀態，通常稱此電壓為二極管的導通電壓，用符號UD表示。
對于鍺二極管，開啟電壓為0.2V，導通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏。 反向漏電流（IR）隨溫度呈指數增長，高溫環境需選擇低 IR 的二極管模塊。肖特基二極管價格多少錢

數據中心和5G基站的48V通信電源系統采用二極管模塊構建冗余電路（如ORing架構）。當主電源故障時，模塊自動切換至備用電源，確保零中斷供電。肖特基二極管模塊因其低正向壓降（0.3V以下），可減少能量損耗，效率超98%。模塊的TO-220或SMD封裝支持高密度PCB布局，適應狹小空間。部分智能模塊還集成電流檢測和溫度監控功能，通過I2C接口上報狀態，實現預測性維護。此類模塊的MTBF（平均無故障時間）通常超過10萬小時，是通信基礎設施高可靠性的關鍵保障。 廣東CRRC中車二極管Infineon的二極管模塊支持高電流密度設計，散熱性能優異，是電動汽車充電樁的理想選擇。

P型和N型半導體P型半導體是在本征半導體（一種完全純凈的、結構完整的半導體晶體）摻入少量三價元素雜質，如硼等。
因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產生一個空位，當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導體仍呈中性。這種P型半導體中以空穴導電為主，空穴為多數載流子，自由電子為少數載流子。
N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數載流子，空穴為少數載流子。
因此，在本征半導體的兩個不同區域摻入三價和五價雜質元素，便形成了P型區和N型區，根據N型半導體和P型半導體的特性，可知在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區域向濃度低的區域擴散，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞

整流二極管模塊是AC-DC轉換的重要器件，廣泛應用于工業電源、充電樁和電鍍設備。這類模塊需具備高電流承載能力（可達數千安培）和優異的抗浪涌性能，以應對啟動瞬間的電流沖擊。例如，在電解鋁行業中，大功率整流模塊需持續工作在低電壓、大電流條件下，其散熱設計和并聯均流技術至關重要。現代整流模塊常采用銅基板和水冷散熱結構，以降低熱阻并提高功率密度。此外，模塊化設計還簡化了維護流程，可通過快速更換故障單元減少停機時間。

整流二極管模塊具備高電流承載能力，常用于AC/DC轉換，如充電樁和工業電源。

英飛凌CoolSiC?系列SiC肖特基二極管模塊是第三代半導體的技術***，具有零反向恢復電荷（Qrr）、正溫度系數和超高結溫（175℃）等優勢。其獨特的溝槽柵結構使1200V模塊的比導通電阻低至2.5mΩ·cm2，開關損耗較硅基模塊降低70%。在光伏逆變器應用中，實測數據顯示，采用CoolSiC?模塊的系統效率提升1.5個百分點，年發電量增加約2000kWh。此外，該模塊通過了嚴苛的1000次-55℃~175℃溫度循環測試，可靠性遠超行業標準，成為新能源和工業高功率應用的**產品。整流二極管模塊常用于 AC-DC 轉換，通過橋式電路將交流電轉為脈動直流電。中車二極管直銷

多層陶瓷封裝的二極管模塊具備更高絕緣強度（>2500V），適合高壓電路。肖特基二極管價格多少錢

1. 電阻檔測量將萬用表打到電阻檔，選擇適當的量程（根據被測二極管的型號和實際參數選擇），然后將紅黑表筆分別接觸二極管的兩端。正常情況下，二極管的正向電阻應該在幾十到幾百歐姆之間。如果測得電阻為零或者無窮大，則說明該二極管已經短路或者斷路，存在故障。
2. 電壓檔測量將萬用表打到電壓檔，選擇適當的量程（根據被測二極管的型號和實際參數選擇），然后將紅黑表筆分別接觸二極管的兩端。正常情況下，二極管的正向電壓應該為零或者接近于零，而反向電壓應該為無窮大或者接近于無窮大。如果測得正向電壓過高或者反向電壓過低，則說明該二極管存在故障。 肖特基二極管價格多少錢