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高科技MEMS微納米加工平臺

來源: 發布時間:2024-02-27

物聯網普及極大拓展MEMS應用場景。物聯網的產業架構可以分為四層:感知層、傳輸層、平臺層和應用層,MEMS器件是物聯網感知層重要組成部分。物聯網的發展帶動智能終端設備普及,推動MEMS需求放量,據全球移動通信系統協會GSMA統計,全球物聯網設備數量已從2010年的20億臺,增長到2019年的120億臺,未來受益于5G商用化和WiFi 6的發展,物聯網市場潛力巨大,GSMA預測,到2025年全球物聯網設備將達到246億臺,2019到2025年將保持12.7%的復合增長率。PVD磁控濺射、PECVD氣相沉積、IBE刻蝕、ICP-RIE深刻蝕是構成MEMS技術的必備工藝。高科技MEMS微納米加工平臺

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智能手機迎5G換機潮,傳感器及RFMEMS用量逐年提升。一方面,5G加速滲透,拉動智能手機市場恢復增長:今年10月份國內5G手機出貨量占比已達64%;智能手機整體出貨量方面,在5G的帶動下,根據IDC今年的預測,2021年智能手機出貨量相比2020年將增長11.6%,2020-2024年CAGR達5.2%。另一方面,單機傳感器和RFMEMS用量不斷提升,以iPhone為例,2007年的iPhone2G到2020年的iPhone12,手機智能化程度不斷升,功能不斷豐富,指紋識別、3Dtouch、ToF、麥克風組合、深度感知(LiDAR)等功能的加入,使得傳感器數量(包含非MEMS傳感器)由當初的5個增加為原來的4倍至20個以上;5G升級帶來的頻段增加也有望明顯提升單機RF MEMS價值量。高科技MEMS微納米加工組成EBL設備制備納米級超透鏡器件的原理是什么?

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射頻MEMS器件分為MEMS濾波器、MEMS開關、MEMS諧振器等。射頻前端模組主要由濾波器、低噪聲放大器、功率放大器、射頻開關等器件組成,其中濾波器是射頻前端中重要的分立器件,濾波器的工藝就是MEMS,在射頻前端模組中占比超過50%,主要由村田制作所等國外公司生產。因為沒有適用的國產5GMEMS濾波器,因此華為手機只能用4G,也是這個原因,可見MEMS濾波器的重要性。濾波器(SAW、BAW、FBAR等),負責接收通道的射頻信號濾波,將接收的多種射頻信號中特定頻率的信號輸出,將其他頻率信號濾除。以SAW聲表面波為例,通過電磁信號-聲波-電磁信號的兩次轉換,將不受歡迎的頻率信號濾除。

MEMS制作工藝深硅刻蝕即ICP刻蝕工藝:硅等離子體刻蝕工藝的基本原理干法刻蝕是利用射頻電源使反應氣體生成反應活性高的離子和電子,對硅片進行物理轟擊及化學反應,以選擇性的去除我們需要去除的區域。被刻蝕的物質變成揮發性的氣體,經抽氣系統抽離,然后按照設計圖形要求刻蝕出我們需要實現的深度。干法刻蝕可以實現各向異性,垂直方向的刻蝕速率遠大于側向的。其原理如圖所示,生成CF基的聚合物以進行側壁掩護,以實現各向異性刻蝕刻蝕過程一般來說包含物理濺射性刻蝕和化學反應性刻蝕。對于物理濺射性刻蝕就是利用輝光放電,將氣體解離成帶正電的離子,再利用偏壓將離子加速,濺擊在被蝕刻物的表面,而將被蝕刻物質原子擊出(各向異性)。對于化學反應性刻蝕則是產生化學活性極強的原(分)子團,此原(分)子團擴散至待刻蝕物質的表面,并與待刻蝕物質反應產生揮發性的反應生成物(各向同性),并被真空設備抽離反應腔MEMS傳感器行業為國內企業追趕提供了契機。

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MEMS制作工藝-光學超表面meta-surface:超表面是指一種厚度小于波長的人工層狀材料。超表面可實現對電磁波偏振、振幅、相位、極化方式、傳播模式等特性的靈活有效調控。超表面可視為超材料的二維對應。

根據面內的結構形式,超表面可以分為兩種:一種具有橫向亞波長的微細結構,一種為均勻膜層。

根據調控的波的種類,超表面可分為光學超表面、聲學超表面、機械超表面等。光學超表面 是最常見的一種類型,它可以通過亞波長的微結構來調控電磁波的偏振、相位、振幅、頻率等特性,是一種結合了光學與納米科技的新興技術。

其超表面的制作方式,一般會用到電子束光刻技術EBL,通過納米級的直寫,將圖形曝光到各種襯底上,然后經過鍍膜或刻蝕形成具有一定相位調控的超表面器件。 MEMS是一種現代化的制造技術。山東MEMS微納米加工發展趨勢

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MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點:

3.由于聲表面波器件是在單晶材料上用半導體平面工藝制作的,所以它具有很好的一致性和重復性,易于大量生產,而且當使用某些單晶材料或復合材料時,聲表面波器件具有極高的溫度穩定性。

4.聲表面波器件的抗輻射能力強,動態范圍很大,可達100dB。這是因為它利用的是晶體表面的彈性波而不涉及電子的遷移過程

此外,在很多情況下,聲表面波器件的性能還遠遠超過了很好的電磁波器件所能達到的水平。比如用聲表面波可以作成時間-帶寬乘積大于五千的脈沖壓縮濾波器,在UHF頻段內可以作成Q 值超過五萬的諧振腔,以及可以作成帶外抑制達70dB 、頻率達1 低Hz 的帶通濾波器 高科技MEMS微納米加工平臺

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