智能手機迎5G換機潮,傳感器及RFMEMS用量逐年提升。一方面,5G加速滲透,拉動智能手機市場恢復增長:今年10月份國內5G手機出貨量占比已達64%;智能手機整體出貨量方面,在5G的帶動下,根據IDC今年的預測,2021年智能手機出貨量相比2020年將增長11.6%,2020-2024年CAGR達5.2%。另一方面,單機傳感器和RFMEMS用量不斷提升,以iPhone為例,2007年的iPhone2G到2020年的iPhone12,手機智能化程度不斷升,功能不斷豐富,指紋識別、3Dtouch、ToF、麥克風組合、深度感知(LiDAR)等功能的加入,使得傳感器數量(包含非MEMS傳感器)由當初的5個增加為原來的4倍至20個以上;5G升級帶來的頻段增加也有望明顯提升單機RF MEMS價值量。全球及中國mems芯片市場有哪些?四川MEMS微納米加工銷售廠家
超薄PDMS與光學玻璃的鍵合工藝優化:超薄PDMS(100μm以上)與光學玻璃的鍵合技術實現了柔性微流控芯片與高透光基板的集成,適用于熒光顯微成像、單細胞觀測等場景。鍵合前,PDMS基板經氧等離子體處理(功率50W,時間20秒)實現表面羥基化,光學玻璃通過UV-Ozone清洗去除有機物污染;然后在潔凈環境下對準貼合,施加0.2MPa壓力并室溫固化2小時,形成不可逆共價鍵,透光率>95%@400-800nm,鍵合界面缺陷率<1%。超薄PDMS的柔韌性(彈性模量1-3MPa)可減少玻璃基板的應力集中,耐彎曲半徑>10mm,適用于動態培養環境下的細胞觀測。在單分子檢測芯片中,鍵合后的玻璃表面可直接進行熒光標記物修飾,背景噪聲較傳統塑料基板降低60%,檢測靈敏度提升至單分子級別。公司開發的自動對準系統,定位精度±2μm,支持4英寸晶圓級批量鍵合,產能達500片/小時,良率>98%。該工藝解決了軟質材料與硬質光學元件的集成難題,為高精度生物檢測與醫學影像芯片提供了理想的封裝方案。本地MEMS微納米加工之SAW器件以PI為特色的柔性電子在太赫茲超表面器件上的應用很廣。
MEMS制作工藝柔性電子的常用材料:
碳納米管(CNT)由于其高的本征載流子遷移率,導電性和機械靈活性而成為用于柔性電子學的有前途的材料,既作為場效應晶體管(FET)中的溝道材料又作為透明電極。管狀碳基納米結構可以被設想成石墨烯卷成一個無縫的圓柱體,它們獨特的性質使其成為理想的候選材料。因為它們具有高的固有載流子遷移率和電導率,機械靈活性以及低成本生產的潛力。另一方面,薄膜基碳納米管設備為實現商業化提供了一條實用途徑。
MEMS制作工藝-太赫茲超導混頻陣列的MEMS體硅集成天線與封裝技術:
太赫茲波是天文探測領域的重要波段,太赫茲波探測對提升人類認知宇宙的能力有重要意義。太赫茲超導混頻接收機是具有代表性的高靈敏天文探測設備。天線及混頻芯片封裝是太赫茲接收前端系統的關鍵組件。當前,太赫茲超導接收機多采用單獨的金屬喇叭天線和金屬封裝,很難進行高集成度陣列擴展。大規模太赫茲陣列接收機發展很大程度受到天線及芯片封裝技術的制約。課題擬研究基于MEMS體硅工藝技術的適合大規模太赫茲超導接收陣列應用的0.4THz以上頻段高性能集成波紋喇叭天線,及該天線與超導混頻芯片一體化封裝。通過電磁場理論分析、電磁場數值建模與仿真、低溫超導實驗驗證等手段, SU8 硅片 / 石英片微流控模具加工技術,支持 6 英寸以下基板單套或套刻的高精度結構復制。
MEMS制作工藝-太赫茲特性:
1.相干性由于它是由相千電流驅動的電偶極子振蕩產生,或又相千的激光脈沖通過非線性光學頻率差頻產生,因此有很好的相干性。THz的相干測量技術能夠直接測量電場振幅和相位,從而方便提取檢測樣品的折射率,吸收系數等。
2.低能性:THz光子的能量只有10^-3量級,遠小于X射線的10^3量級,不易破壞被檢測的物質,適合于生物大分子與活性物質結構的研究。
3.穿透性:THz輻射對于很多非極性物質,如塑料,紙箱,布料等包裝材料有很強的穿透能力,在環境控制與安全方面能有效發揮作用
4.吸收性:大多數極性分子對THz有強烈的吸收作用,可以用來進行醫療診斷與產品質量監控
5.瞬態性:相比于傳統電磁波與光波,THz典型脈寬在皮秒量級,通過光電取樣測量技術,能夠有效抑制背景輻射噪聲的干擾,在小于3THz時信噪比達10人4:1。
6.寬帶性:THz脈沖光源通常包含諾千個周期的電磁振蕩,!單個脈沖頻寬可以覆蓋從GHz至幾+THz的范圍,便于在大的范圍內分析物質的光譜信息。 超透鏡的電子束直寫和刻蝕工藝其實并不復雜。西藏MEMS微納米加工的微流控芯片
可降解聚合物加工工藝儲備,為體內短期植入檢測芯片提供生物相容性材料解決方案。四川MEMS微納米加工銷售廠家
超薄石英玻璃雙面套刻加工技術解析:在厚度100μm以上的超薄石英玻璃基板上進行雙面套刻加工,是實現高集成度微流控芯片與光學器件的關鍵技術。公司采用激光微加工與紫外光刻結合工藝,首先通過CO?激光切割實現玻璃基板的高精度成型(邊緣誤差<±5μm),然后利用雙面光刻對準系統(精度±1μm)進行微結構加工。正面通過干法刻蝕制備5-50μm深度的微流道,背面采用離子束濺射沉積100nm厚度的金屬電極層,經光刻剝離形成微米級電極陣列。針對玻璃材質的脆性特點,開發了低溫鍵合技術(150-200℃),使用硅基粘合劑實現雙面結構的密封,鍵合強度>3MPa,耐水壓>50kPa。該技術應用于光聲成像芯片時,正面微流道實現樣本輸送,背面電極陣列同步激發光聲信號,光-電信號延遲<10ns,成像分辨率達50μm。此外,超薄玻璃的高透光性(>95%@400-1000nm)與化學穩定性,使其成為熒光檢測、拉曼光譜分析等**芯片的優先基板,公司已實現4英寸晶圓級批量加工,成品率>90%,為光學微系統集成提供了可靠的制造平臺。四川MEMS微納米加工銷售廠家