IGBT絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為1500V的高壓變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。由于IGBT等功率器件都存在一定的結電容，所以會造成器件導通關斷的延遲現象。雖然我們盡量考慮去降低該影響（提高控制極驅動電壓電流，設置結電容釋放 回路等）。但是為了防止關斷延遲效應造成上下橋臂直通，因為一個橋臂未完全關斷，而另一橋臂又處于導通狀態，直通炸模塊后后果非常嚴重（比較好的結果是過 熱）。IGBT具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點。分立IGBT

功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。功率半導體細分為功率器件（分立器件的一支）和功率IC（集成電路的一支）。理想情況下，完美的轉化器在打開的時候沒有任何電壓損失，在開閉轉換的時候沒有任何的功率損耗，因此功率半導體這個領域的產品和技術創新，其目標都是為了提高能量轉化效率。在使用igbt構成的各種主回路之中，大功率igbt驅動保護電路起到弱電控制強電的終端界面(接口)作用。igbt模塊引腳說明IGBT驅動電路設計的是否合理直接關系到IGBT的安全、可靠使用。

從20 世紀80 年代至今，IGBT 芯片經歷了5-6 代產品升級，從平面穿通型（PT）到溝槽型電場—截止型（FS-Trench），各方面指標都得到了不斷的優化。芯片面積縮小為初的四分之一，工藝線寬從5微米降到0.5微米，通態飽和壓降從3伏降到1伏，關斷時間也更快，從0.5微秒降到0.15微秒，功率損耗也更低，斷態電壓也從600V 提高到了6500V 以上。IGBT的開關頻率越高，開關次數就越多，損耗功率就也高，那乘以散熱器的熱阻后，IGBT的溫升也越高，如果溫度高到超出了IGBT的上限，那IGBT就失效了。

作為一種新型電力電子器件，IGBT是國際上公認的電力電子技術第三次**具代表性的產品，是工業控制及自動化領域的元器件，能夠根據工業裝置中的信號指令來調節電路中的電壓、電流、頻率、 相位等，以實現精細調控的目的，廣泛應用于電機節能、軌道交通、智能電網、航空航天、家用電器、汽車電子、 新能源發電、新能源汽車等領域。隨著新能源汽車的發展以及變頻白色家電的普及，IGBT的應用優勢逐步凸顯，它不僅在工業應用中提高了設備的自動化水平、控制精度等，也大幅提高了電能的應用效率，同時減小了產品體積和重量，節約了材料，未來的應用空間十分廣闊。IGBT 驅動電路的作用對整個IGBT構成的系統來說至關重要。

IGBT是什么。全名叫 -- 絕緣柵雙極性晶體管，是當今社會比較新型也是利用比較的功率電子元器件。它的作用是將整流后的直流電再變成中頻交流電，應用，電磁爐，變頻空調，逆變電焊機等等很多的電源中。絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，因此，可。絕緣柵雙極性晶體管，大功率模塊。在IC處于飽和狀態時，可以降低導通期間從P+基片注入的空穴數量的百分比，把導通損耗定義成功率損耗是可行的，集電極電流引起以下問題，Rg值對功耗的。器件關斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。IGBT散熱器

絕緣柵雙極型晶體管在大家熟悉的電動汽車上就有大量運用。分立IGBT

指的是“絕緣柵雙極型晶體管”。采用IGBT進行功率變換能夠提高用電效率和質量，具有高效節能和綠色環保的特點，是解決能源短缺和降低碳排放的關鍵技術，在大家熟悉的電動汽車上就有運用。IGBT 是一種大功率電子電力器件，主要用于變頻器逆變和其他逆變電路，將直流電壓逆變成頻率可調的交流電，是電子電力裝置的“CPU”。在電動車身上，IGBT 主要控制驅動系統直/交流電轉換，它可以直接決定整車的性能表現。電力電子技術在當今急需節能降耗的工業領域里起到了不可替代的作用;而igbt在諸如變頻器、大功率開關電源等電力電子技術的能量變換與管理應用中，越來越成為各種主回路的優先功率開關器件，因此如何安全可靠地驅動igbt工作，也成為越來越多的設計工程師面臨需要解決的課題。分立IGBT

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