碳化硅是全球較先進的第三代半導體材料。和一代的硅、第二代的砷化鎵材料相比，它具有耐高壓、高頻、大功率等優良的物理特性，是衛星通訊、高壓輸變電、軌道交通、電動汽車、通訊基站等重要領域的重要材料，尤其是在航天、國防等領域有著不可替代的優勢。N型碳化硅晶片的作用是用于制造電力電子器件，可用于電動汽車。據介紹，目前的電動汽車續航還是個問題。如果用上碳化硅晶片的話，就能在電池不變的情況下，使汽車的續航力增加10%左右。雖然碳化硅在電動汽車上的應用才剛剛起步，但每生產一輛電動汽車，至少要消耗一片碳化硅，按照我國電動汽車保有量每年增長70%的速度來看，碳化硅只在電動汽車領域就將帶動一個千億級的產業集群。碳化硅可用做煉鋼的脫氧劑和鑄鐵組織的改良劑，可用做制造四氯化硅的原料。閔行區碳化硅批發價格

目前已知的碳化硅有約200種晶體結構形態，分立方密排的閃鋅礦α晶型結構（2H、4H、6H、15R）和六角密排的纖鋅礦β晶型結構（3C-SiC）等。其中β晶型結構（3C-SiC）可以用來制造高頻器件以及其他薄膜材料的襯底，例如用來生長氮化鎵外延層、制造碳化硅基氮化鎵微波射頻器件等。α晶型4H可以用來制造大功率器件；6H較穩定，可以用來制作光電器件。目前傳統硅基產業極其成熟的商業環境，至少有一大半原因是硅材料較為容易得到。硅材料成熟且高效的制備技術使得硅材料目分低廉，目前6英寸硅拋光片只150元，8英寸300元，12英寸850元左右。寶山區碳化硅批發公司碳化硅化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能好。

在模塊層面上，SiC主要有兩個好處：更小的芯片尺寸和更低的動態損耗。在系統層面上，這些優勢可被以多種方式利用。低動態損耗帶來輸出功率的明顯增加，將提供減輕重量和減小體積的機會。值得一提的是，無需額外的冷卻能力就可實現功率的增加。因為與硅器件相比，SiC帶來實際的損耗減少，可能在相同的冷卻條件下得到更高的輸出功率。低的功率損耗能提高能效，允許設計高效率的逆變器，例如用于太陽能和UPS應用。此外，低動態損耗使得SiC器件非常適用于20kHz以上的較高開關頻率。利用高開關頻率，可以減少LC濾波器的成本和尺寸。根據所使用的芯片面積，在4kHz的低開關頻率下也可以展示SiC的優點。SiC的其它優點涉及到增強的散熱和正溫度系數，這對并聯的的SiC芯片很重要。所有這一切都使得SiC在普遍的可能應用范圍內成為非常有吸引力的材料。

全SiC模塊的功率密度比IGBT模塊要高得多，甚至在開關頻率低于5kHz時。因此，通過使用更大的芯片面積來優化用于低開關頻率的全SiC模塊是可能的。 只要SiC芯片尺寸合適，SiC器件可以在普遍的開關頻率范圍內提供更高的輸出電流和輸出功率。大功率要求功率芯片和模塊大量并聯。目前，可以獲得額定電流高達200A的硅IGBT和傳統續流二極管，SiC MOSFET和肖特基二極管的較大額定電流迄今為止小于100A。因此，不得不并聯大量的SiC晶片以實現大額定功率。考慮到SiC器件的快速開關特性和振蕩趨勢，需要低電感模塊設計和DCB基板上優化的芯片布局。在下文中，1200V、900A全SiC模塊與1300A的常規硅模塊相對比。 IGBT模塊利用2塊并聯的DCB基板，每個基板配有并聯的9個75A溝道IGBT，連同5個100A CAL續流二極管。碳化硅本身夠硬、抗熱。

從出口 13個關別分析，天津港走貨量高達9.16萬噸，占出口總量的55.64%，仍位列一；青島、大連、南京和上海港分別占15.98%、13.14%、11.49%和3.08%，位列第二至五位，其中大連關出貨量同比下滑幅度較高；以上5個關別出口量總和占出口總量的99.33%。從各月出口情況分析，出口量上半年逐月提高，下半年跳躍較大，但當月平均單價一降再降，第二季度全方面跌破2000美元，三季度末止跌回穩，但只在9月站上了2000美元，便又在第四季度一路下滑，全年較低價格出現在11月，為1345.58美元/噸，比全年2月的較高價格下跌了42.1%。 一般情況下，碳化硅含量越高，碳化硅顏色就越綠。靜安區碳化硅廠家

工業碳化硅因所含雜質的種類和含量不同，而呈淺黃、綠、藍乃至黑色。閔行區碳化硅批發價格

在上述各層料中，通常將未反應料和一部分氧碳化硅層料作為乏料收集，將氧碳化硅層的另一部分料與無定形物、二級品、部分粘結物一起收集為回爐料，而一些粘結很緊、塊度大、雜質多的粘結物則拋棄之。而一級品則經過分級、粗碎、細碎、化學處理、干燥與篩分、磁選后就成為各種粒度的黑色或綠色的SiC顆粒。要制成碳化硅微粉還要經過水選過程；要做成碳化硅制品還要經過成型與結燒的過程。中國有碳化硅冶煉企業200多家，年生產能力220多萬噸（其中：綠碳化硅塊120多萬噸，黑碳化硅塊約100萬噸）。冶煉變壓器功率大多為6300~12500kVA，較大冶煉變壓器為32000kVA。閔行區碳化硅批發價格

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