碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個常用的基本品種，都屬α-SiC。①黑碳化硅含SiC約95%，其韌性高于綠碳化硅，大多用于加工抗張強度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、鑄鐵和有色金屬等。②綠碳化硅含SiC約97%以上，自銳性好，大多用于加工硬質合金、鈦合金和光學玻璃，也用于珩磨汽缸套和精磨高速鋼刀具。此外還有立方碳化硅，它是以特殊工藝制取的黃綠色晶體，用以制作的磨具適于軸承的超精加工，可使表面粗糙度從Ra32～0.16微米一次加工到Ra0.04～0.02微米。 μ-碳化硅較為穩定，且碰撞時有較為悅耳的聲音，但直至現在，這兩種型態尚未有商業上之應用。浦東新區碳化硅廠家報價

碳化硅、氮化鎵的市場潛力還遠未被全部挖掘：5G、智慧交通、新能源已經成為全球發展的方向，但作為上游材料的氮化鎵、碳化硅的市場潛力其實還遠未被全部挖掘。因為如果從產業鏈中游來看，我國第三代半導體器件市場有著巨大的增長空間，或能成為倒逼上游材料發展的一大動力。半導體產業發展至今經歷了三個階段，一代半導體材料以硅為反映;第二代半導體材料砷化鎵也已經普遍應用;而以氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶為反映的第三代半導體材料，相較前兩代產品性能優勢顯著。 長寧區碳化硅工廠碳化硅至少有70種結晶型態。

對比熱數據，全SiC模塊顯示出比傳統硅模塊更低的熱阻。這是由于與Si相比，SiC具有更高的熱傳導率和更好的熱擴散能力：在此布局中，4個SiC二極管芯片在相同的空間上代替1個硅二極管。SiC器件更低的熱阻是特別重要的，因為在這種情況下硅芯片使用了21 cm2的總面積，而全SiC模塊只用了10 cm2。與硅模塊的通態損耗相比，全SiC模塊的通態損耗更高。SiC肖特基二極管的正向壓降也是這樣。全SiC模塊的動態損耗非常低：SiC MOSFET的開關損耗比硅IGBT低4倍，SiC肖特基二極管的損耗低8-9倍。

在10A的額定電流下，硅續流二極管展現出較低的正向壓降，SiC肖特基二極管的Vf更高，而快速硅二極管展現出較高的正向壓降。正向電壓與溫度之間的關聯差別很大：快速硅二極管具有負的溫度系數，150°C下的Vf比25°C下的Vf低。對于12A以上的電流，CAL的溫度系數為正，SiC肖特基二極管即使電流為4A時，溫度系數也為正。由于二極管通常并聯以實現大功率器件，需要具有正溫度系數以避免并聯二極管中的電流不平衡和運行溫度不均勻。這里，SiC肖特基二極管顯示出較佳的性能。但與常規硅二極管相比，SiC肖特基二極管的靜態損耗較高。碳化硅晶體結構分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化硅)。

碳化硅由于化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途，例如：以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機葉輪或汽缸體的內壁，可提高其耐磨性而延長使用壽命1～2倍；用以制成的高級耐火材料，耐熱震、體積小、重量輕而強度高，節能效果好。低品級碳化硅（含SiC約85%）是極好的脫氧劑，用它可加快煉鋼速度，并便于控制化學成分，提高鋼的質量。此外，碳化硅還大量用于制作電熱元件硅碳棒。碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級，只次于世界上較硬的金剛石（10級），具有優良的導熱性能，是一種半導體，高溫時能抗氧化。中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體。黃浦區碳化硅批發公司

煉得的碳化硅塊，經破碎、酸堿洗、磁選和篩分而制成各種粒度的產品。浦東新區碳化硅廠家報價

如果只算碳化硅芯片，在功率半導體方面碳化硅的對比傳統硅基功率芯片，有著無可比擬的優勢：碳化硅能承受更大的電流和電壓、更高的開關速度、更小的能量損失、更耐高溫。因此用碳化硅的做成的功率模組可以相應的減少了電容、電感、線圈、散熱組件的部件，使得整個功率器件模組更加輕巧、節能、輸出功率更強，同時還增強了可靠性，優點十分明顯，具體總結如下： 1、更低的阻抗，帶來更小尺寸的產品設計和更高的效率； 2、適用于更高頻率和更快的開關速度； 3、較佳的高溫特性，能在更高溫度下工作。 浦東新區碳化硅廠家報價

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