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5、時間、安培,溫控均為數(shù)字顯示。6、冷卻方式：采用軍級風扇，直通風冷。7、箱體材料：增強型PVC板材、合金鋁主體制作。8、主要零部件：由日本富士、美國IR、以及德國愛克薩斯等提供，功率變換。9、整流機維修：維修簡單易懂，整流機以實現(xiàn)模塊化管理，可單獨對某一個...

對外有三個電極〔圖2（P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2（以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因為它的特性類似于真空閘流管，所以國際上...

在這兩種狀態(tài)中，加在功率晶體管上的伏安乘積是很小的（在導通時，電壓低，電流大；關(guān)斷時，電壓高，電流小）/功率器件上的伏安乘積就是功率半導體器件上所產(chǎn)生的損耗。開關(guān)電源伯特圖與線性電源相比，PWM開關(guān)電源更為有效的工作過程是通過“斬波”，即把輸入的直流電壓斬成幅...

要使EDI處于比較好工作狀態(tài)、不出故障的基本要求就是對EDI進水要求進行適當?shù)念A處理。進水中的雜質(zhì)對去離子模組有很大影響。并可能導致縮短模組的壽命。EDI的運行過程播報編輯1.淡水進水淡水室后，淡水中的離子與混床樹脂發(fā)生離子交換，從而從水中脫離；2.被交換的離...

電化學等方面也得到用戶好評。特別是在PCB、電鍍、電解行業(yè)領(lǐng)域,成為眾多客戶的優(yōu)先。特點1、降低孔隙率，晶核的形 成速度大于成長速度，促使晶核細化。2、改善結(jié)合力，使鈍化膜擊穿，有利于基體與鍍層之間牢固結(jié)合。3、改善覆蓋能力和分散能力，高的陰極負電位使普通電鍍...

電化學等方面也得到用戶好評。特別是在PCB、電鍍、電解行業(yè)領(lǐng)域,成為眾多客戶的優(yōu)先。特點1、降低孔隙率，晶核的形 成速度大于成長速度，促使晶核細化。2、改善結(jié)合力，使鈍化膜擊穿，有利于基體與鍍層之間牢固結(jié)合。3、改善覆蓋能力和分散能力，高的陰極負電位使普通電鍍...

控制器的主要目的是保持輸出電壓穩(wěn)定，其工作過程與線性形式的控制器很類似。也就是說控制器的功能塊、電壓參考和誤差放大器，可以設(shè)計成與線性調(diào)節(jié)器相同。他們的不同之處在于，誤差放大器的輸出（誤差電壓）在驅(qū)動功率管之前要經(jīng)過一個電壓/脈沖寬度轉(zhuǎn)換單元。開關(guān)電源有兩種主...

由圖可見，雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內(nèi)的曲線組合成的。***象限的曲線說明當加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時，我們稱為正向電壓，并用符號U21表示。當這個電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電壓UBO時，圖3(b)左邊的可控硅就觸發(fā)導通，這時的通態(tài)電流...

為了減小或消除這種損耗，功率場效應(yīng)管宜采用零電壓開通方式（ZVS）。絕緣柵雙極性晶體管（Insulated Gate Bipolar tansistor，IGBT）是一種復合開關(guān)器件，關(guān)斷時的電流拖尾會導致較大的關(guān)斷損耗，如果在關(guān)斷前使流過它的電流降到零，則可...

這些離子穿過陽離子選擇膜，進入相臨的濃水流卻被陰離子膜陰隔，從而留在濃水流中。當水流過這兩種平行的室時，離子在純水室被除去并在相臨的濃水流中聚積，然后由濃水流將其從模組中帶走。在純水及濃水中離子交換樹脂的使用是EDI技術(shù)和**的關(guān)鍵。一個重要的現(xiàn)象在純水室的離...

反滲透可以除去其中超過99%的離子。自來水也含有微量金屬，溶解的氣體（如CO2）和其他必須在工業(yè)處理中去除的弱離子化的化合物（如矽和硼）。RO反滲透出水（EDI進水）一般為60-40μ/cm（電導），根據(jù)不同需要，超純水或去離子水一般電阻為2-18MΩμm。交...

電源產(chǎn)品結(jié)構(gòu)合理，可靠性強。該電源以其體積小、重量輕、高效率、高可靠的優(yōu)越性能成為可控硅電源的更新?lián)Q代產(chǎn)品。適應(yīng)范圍適用于實驗、氧化、電解、鍍鋅、鍍鎳、鍍錫、鍍鉻、光電、冶煉、化成、腐蝕等各種精密表面處理場所。在陽極氧化、真空鍍膜、電解、電泳、水處理、電子產(chǎn)品...

特點1、降低孔隙率，晶核的形 成速度大于成長速度，促使晶核細化。2、改善結(jié)合力，使鈍化膜擊穿，有利于基體與鍍層之間牢固結(jié)合。3、改善覆蓋能力和分散能力，高的陰極負電位使普通電鍍中鈍化的部位也能沉積，減緩形態(tài)復雜零件的突出部位由于沉積離子過度消耗而帶來的“燒焦”...

大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結(jié)，對外有三個電極〔圖2（P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2（以硅單晶為基本...

要使EDI處于比較好工作狀態(tài)、不出故障的基本要求就是對EDI進水要求進行適當?shù)念A處理。進水中的雜質(zhì)對去離子模組有很大影響。并可能導致縮短模組的壽命。EDI的運行過程播報編輯1.淡水進水淡水室后，淡水中的離子與混床樹脂發(fā)生離子交換，從而從水中脫離；2.被交換的離...

（1） 脫鹽率大于99.9%，效率遠遠高于兩級反滲透和單純的離子交換。（2） 較傳統(tǒng)的離子交換法脫鹽節(jié)約樹脂95%以上（3） 離子交換樹脂不需使用酸堿再生，節(jié)約大量酸堿和清洗用水，降低勞動 強度。（4） 清潔生產(chǎn)，無廢水處理問題，利于環(huán)保。（5） 自動化程度高...

在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時，晶閘管被觸發(fā)導通。畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調(diào)節(jié)負載上輸出...

產(chǎn)品特點1、本機具有穩(wěn)壓/穩(wěn)流功能(并指示)。2、本機具有過壓、過流過熱、過載保護功能。3、本機具有聲光報警功能。4、手動時間設(shè)定功能（Tmax：99h99m）。5、時間、安培,溫控均為數(shù)字顯示。6、冷卻方式：采用軍級風扇，直通風冷。7、箱體材料：增強型PVC...

人們在開關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域是邊開發(fā)相關(guān)電力電子器件，邊開發(fā)開關(guān)變頻技術(shù)，兩者相互促進推動著開關(guān)電源每年以超過兩位數(shù)字的增長率向著輕、小、薄、低噪聲、高可靠、抗干擾的方向發(fā)展。開關(guān)電源可分為AC/DC和DC/DC兩大類。微型低功率開關(guān)電源開關(guān)電源開關(guān)電源正在走向大眾...

反滲透可以除去其中超過99%的離子。自來水也含有微量金屬，溶解的氣體（如CO2）和其他必須在工業(yè)處理中去除的弱離子化的化合物（如矽和硼）。RO反滲透出水（EDI進水）一般為60-40μ/cm（電導），根據(jù)不同需要，超純水或去離子水一般電阻為2-18MΩμm。交...

關(guān)電源電腦記錄下來的各種信息定期打印出來，可以很方便地了解到電源本身的歷史資料，例如何時發(fā)生過交流中斷、何時進行了電池充放電，以及電源的工作狀態(tài)等等。通過對這些資料的分析，可發(fā)現(xiàn)一定的問題，如有必要可及時進行數(shù)據(jù)修改。3、應(yīng)加裝防塵隔離裝置我們知道，無防塵隔離...

根據(jù)不同需要，超純水或去離子水一般電阻為2-18MΩμm。交換反應(yīng)在模組的純化學室進行，在那里陰離子交換樹脂用它們的氫氧根據(jù)離子（OH-）來交換溶解鹽中的陰離了（如氯離子C1）。相應(yīng)地，陽離子交換樹脂用它們的氫離子（H+）來交換溶解鹽中的陽離子（如Na+）。在...

為了減小或消除這種損耗，功率場效應(yīng)管宜采用零電壓開通方式（ZVS）。絕緣柵雙極性晶體管（Insulated Gate Bipolar tansistor，IGBT）是一種復合開關(guān)器件，關(guān)斷時的電流拖尾會導致較大的關(guān)斷損耗，如果在關(guān)斷前使流過它的電流降到零，則可...

反轉(zhuǎn)式串聯(lián)開關(guān)電源反轉(zhuǎn)式串聯(lián)開關(guān)電源與一般串聯(lián)式開關(guān)電源的區(qū)別是，這種反轉(zhuǎn)式串聯(lián)開關(guān)電源輸出的電壓是負電壓，正好與一般串聯(lián)式開關(guān)電源輸出的正電壓極性相反；并且由于儲能電感L只在開關(guān)K關(guān)斷時才向負載輸出電流，因此，在相同條件下，反轉(zhuǎn)式串聯(lián)開關(guān)電源輸出的電流比串聯(lián)...

在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時，晶閘管被觸發(fā)導通。畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調(diào)節(jié)負載上輸出...

為了減小或消除這種損耗，功率場效應(yīng)管宜采用零電壓開通方式（ZVS）。絕緣柵雙極性晶體管（Insulated Gate Bipolar tansistor，IGBT）是一種復合開關(guān)器件，關(guān)斷時的電流拖尾會導致較大的關(guān)斷損耗，如果在關(guān)斷前使流過它的電流降到零，則可...

因此效率較高、功率因數(shù)較高。所以有明顯的節(jié)電效果，加熱每噸棒料用電341度。中文名可控硅電源類 型電源可控硅電源前級不可控全橋整流，不會在整流段引起波形的變形，沒有關(guān)斷角的削波現(xiàn)象，并且用大電容濾波，因此諧波數(shù)小對電網(wǎng)的干擾小?？煽毓桦娫摧^高頻的優(yōu)勢：隨...

（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。（六）過零觸發(fā)...

直流DC/DC轉(zhuǎn)換器按輸入與輸出之間是否有電氣隔離可以分為兩類：一類是有隔離的稱為隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器；另一類是沒有隔離的稱為非隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器。隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器也可以按有源功率器件的個數(shù)來分類。單管的DC/DC轉(zhuǎn)換器有正激式（Forward）和...

注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負極，控制極G通過按鈕開關(guān)SB接在1.5V直流電源的正極（這里使用的是KP1型晶閘管，若采用KP5型，應(yīng)接在3V直流電源的正極）。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接，也就是說，給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓。...