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漏極電流iD沿溝道產生的電壓降使溝道內各點與柵極間的電壓不再相等，靠近源極一端的電壓較大，這里溝道較厚，而漏極一端電壓較小，其值為VGD=vGS－vDS，因而這里溝道較薄。但當vDS較小（vDS 隨著vDS的增大，靠近漏極的溝道越來越薄，當vDS增加到使VGD...

場效應管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是電子技術中普遍使用的一種半導體器件，具有高輸入阻抗、噪聲低和低功耗等優點。場效應管的用途：一、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解...

在1882年的時候，他們突然想了一個辦法，將一片銅片放在燈絲和玻璃之間，以為能阻止燈絲的老化。很遺憾，這個辦法不行。他們接下來在這個銅片上施加一定的電壓希望能夠改善燈絲的壽命，可是這樣做依然無濟于事。雖然，提高燈絲壽命的實驗失敗了，但是在這個過程中，他們發現了...

三極管的起源，1947年12月23日，巴丁博士、布萊頓博士和肖克萊博士發現，在他們發明的器件中通過的一部分微量電流，竟然可以控制另一部分流過的大得多的電流，因而產生了放大效應，這個器件就叫晶體管。三極管的發展沿革，在晶體管電子流出端的襯底外，沉積一層對應材料，...

三極管的作用：代換，三極管的作用之四就是代換作用，在一定情況下與某些電子元器件相結合可代換其它器件，完成相應功能。比如：兩只三極管串聯可代換調光臺燈中的雙向觸發二極管;在某些電路中，三極管可以代換8V的穩壓管，代換30V的穩壓管等等。三極管的分類：1、按材質分...

結型場效應管（JFET）：1、結型場效應管的分類：結型場效應管有兩種結構形式，它們是N溝道結型場效應管和P溝道結型場效應管。結型場效應管也具有三個電極，它們是：柵極；漏極；源極。電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個PN結的正向導電方向。2、結型場效應管的工作原...

三極管的作用：擴流。把一只小功率可控硅和一只大功率三極管組合，就可得到一只大功率可控硅，其較大輸出電流由大功率三極管的特性決定，見附圖9(a)。圖9(b)為電容容量擴大電路。利用三極管的電流放大作用，將電容容量擴大若干倍。這種等效電容和一般電容器一樣，可浮置工...

場效應管主要參數：1、開啟電壓，開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。2、跨導，跨導gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是權衡場效應管放大才能的重要參數。3、漏源...

三極管工作原理，控制水流的閥門好比基極b，水箱中的水好比集電極c的電壓，發射極e好比流出的水流，閥門開的越大即基極b電流越大，流出的水也就越多即發射極e電流越大；反之閥門關閉得越緊即基極b電流越小，流出的水也就越少即發射極e電流也會越小，此刻這就是三極管處于放...

MOS管三個極分別是什么及判定方法：mos管的三個極分別是：G（柵極），D（漏極）s（源及），要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值，漏極和源及才能導通。判斷柵極G，MOS驅動器主要起波形整形和加強驅動的作用：假如MOS管的G信號波形不夠陡峭，在點評切換階段會造...

三極管的作用是通過電阻將三極管的電流放大作用轉變為電壓放大作用。1、半導體三極管(Bipolar Junction Transistor)，也稱雙極型晶體管、晶體三極管。雙極性晶體管是電子學歷史上具有革新意義的一項發明，其發明者威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特...

光電二極管在電路中一般處于反向工作狀態，在沒有光照時，反向電阻很大，反向電流被稱為暗電流，此時暗電流小，相當于斷路；當光照射在PN結上時，光子打在PN附近，使PN結附近產生光生電子和光生空穴對，他們在PN結處的內電場作用下做定向運動，形成光電流，光的照射強度越...

二極管應用：1.整流，整流二極管主要用于整流電路，即把交流電變換成脈動的直流電。整流二極管都是面結型，因此結電容較大，使其工作頻率較低，一般為3kHZ以下。2.開關，二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導通狀態，相當于一只接通的開關；在反向電壓作用下，電阻很大...

場效應管是一種電壓控制器件，其工作原理是通過改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓來控制漏極（Drain）與源極之間的電流。與傳統的雙極型晶體管（BJT）相比，FET只利用單一類型的載流子（電子或空穴）進行導電，因此也被稱為單極型晶體管。分類：結...

在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。其次，VGS向負的方向...

二極管，二極管的主要功能就是單向導電，也就是電流只能從二極管的一個方向通過，反向電流就不讓過！在我們日常生活中也有類似功能的物品，比如我們小時候經常見到的魚簍蓋子，通過這個蓋子只能放魚進去，魚卻無法再跑出來！也許您會說我從小就在城市里長大，沒看到過魚簍，不知道...

靜態電特性：注①：Vgs（off）其實就是開啟電壓Vgs（th），只不過這里看的角度不一樣。注②：看完前文的讀者應該知道為什么這里兩個Rds（on）大小有差異，不知道的回去前面重新看。動態點特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ；Coss = Cds ...

場效應管注意事項：（1）在安裝場效應管時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發熱元件；為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時，應當大于根部尺寸5毫米處進行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。（2）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，...

現在的高清、液晶、等離子電視機中開關電源部分除了采用了PFC技術外，在元器件上的開關管均采用性能優異的MOS管取代過去的大功率晶體三極管，使整機的效率、可靠較大程度上提高，故障率大幅的下降。MOS管和大功率晶體三極管在結構、特性有著本質上的區別，所以在應用上，...

下面對MOS失效的原因總結以下六點，然后對1，2重點進行分析：1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區...

SOA失效的預防措施：1：確保在較差條件下，MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內。2：將OCP功能一定要做精確細致。在進行OCP點設計時，一般可能會取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多，然后就根據IC的保護電壓比如0.7V開始調試RSENSE電...

MOS場效應管電源開關電路，MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應管可分為NPN型PNP型。...

在1884年，愛迪生被授予了此項發明的專業技術。由于當時這種裝置實際上并不能看出實用價值，這項專業技術更多地是為了防止別人聲稱較早發現了這一所謂“愛迪生效應”。20年后，約翰·弗萊明（愛迪生前雇員）發現了這一效應的實用價值，它可以用來制作精確檢波器。1904年...

搭建如下電路，使集電結反偏，發射結正偏。反向偏置的集電結在外部電場的幫助下變寬，同時正向偏置的發射結，由于內部電場被削弱，自由電子擴散運動增強，發射區內部的大量自由電子擴散到了基區，被集電結的內部電場捕獲，被電場加速送到了集電結，集電區內部的自由電子被反向偏置...

半導體二極管的參數介紹如下：1、反向電流IR：指管子末擊穿時的反向電流， 其值愈小，則管子的單向導電性愈好。由于溫度增加，反向電流會急劇增加，所以在使用二極管時要注意溫度的影響。2、正向壓降VD：在規定的正向電流下，二極管的正向電壓降。小電流硅二極管的正向壓降...

漏極電流iD沿溝道產生的電壓降使溝道內各點與柵極間的電壓不再相等，靠近源極一端的電壓較大，這里溝道較厚，而漏極一端電壓較小，其值為VGD=vGS－vDS，因而這里溝道較薄。但當vDS較小（vDS 隨著vDS的增大，靠近漏極的溝道越來越薄，當vDS增加到使VGD...

三極管的工作原理：這里主要講一下PNP和NPN。1、PNP，PNP是一種BJT，其中一種n型材料被引入或放置在兩種p型材料之間。在這樣的配置中，設備將控制電流的流動。PNP晶體管由2個串聯的晶體二極管組成。二極管的右側和左側分別稱為集電極-基極二極管和發射極-...

搭建如下電路，使集電結反偏，發射結正偏。反向偏置的集電結在外部電場的幫助下變寬，同時正向偏置的發射結，由于內部電場被削弱，自由電子擴散運動增強，發射區內部的大量自由電子擴散到了基區，被集電結的內部電場捕獲，被電場加速送到了集電結，集電區內部的自由電子被反向偏置...

按照用途可以分為四種 ：普通功率型晶體管 高頻大功率晶體管 超高頻大功率晶體管 特種功率型晶體管 按制造工藝分為六種：雙擴散硅雙基型 （bjt） 雙擴散鋁雙基型 （btjt） 單向晶閘管 （smcntctbtct等 ） 多晶閘管及門陣列式 （pmicmosfe...

晶體二極管分類如下：1、點接觸型二極管，點接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其PN結的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結型相比較，點接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因為構造...