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2. urrm：反向重復峰值電壓 控制極斷路時，可以重復作用在晶閘管上的反向重復電壓。普通晶閘管一般取urrm為100v--3000v3. itav：通態平均電流 環境溫度為40℃時，在電阻性負載、單相工頻正弦半波、導電角不小于170°的電路中，晶閘管允許...

門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計算IGBT 驅動器電路所需輸出功率的關鍵參數。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發射極電壓VCE 的電壓有密切聯系。在IGBT數據手冊中給出的電容Cies 的值，在實際電路應用中不是一個特別有用...

通常，小規模的ipm的特點在于其引線框架技術。穿孔銅板用作功率開關和驅動ic的載體。通過一層薄薄的塑料或絕緣金屬板進行散熱。 用于中高功率應用的ipm模塊的設計特點是將模塊分為兩個層次。功率半導體在底部，驅動器和保護電路在上部。本領域內名氣比較大的ipm是賽...

TCR的作用就像一個可變電納，改變觸發角就可以改變電納值，因為所加的交流電壓是恒定的，改變電納值就可以改變基波電流，從而導致電抗器吸收無功功率的變化。但是，當觸發角超過90°以后，電流變為非正弦的，隨之就產生諧波。如果兩個晶閘管在正半波和負半波對稱觸發，就只會...

觸發電壓范圍一般為 1.5V-3V 左右，觸發電流為 10mA-幾百 mA 左右。峰值觸發 電壓不宜超過10V，峰值觸發電流也不宜超過 2A。A、K 間導通壓降為 1-2V [1]。雙向可控硅單向可控硅的工作原理圖雙向可控硅具有兩個方向輪流導通、關斷的特性。雙...

建筑與家用電器：在建筑照明系統中，晶閘管模塊通過智能模塊精確控制燈光亮度，可以實現節能環保的效果。同時，在空調、洗衣機、微波爐等家電中，晶閘管模塊用于實現準確的溫控和能耗管理，提高了設備的使用壽命和可靠性。醫療設備：晶閘管模塊用于控制X射線機、CT掃描儀等設備...

實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。 IGBT的觸發和關斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負向電壓，柵極電壓可由不同的驅動電路產生。當選擇這些驅動電路時，必須基于以下的...

晶閘管整流器是一種整流器，拖動裝置的直流電源是利用晶閘管整流器的直流電壓向提升電動機供電。這種拖動裝置的直流電源是利用晶閘管整流器的直流電壓向提升電動機供電，所以又稱。電動機的電樞和磁場均可由晶閘管整流器供電，因為該整流器的直流電壓可通過觸發延遲角均勻調節，電...

在變壓器的設計中，銅和鐵的用量可以均衡考慮。因為一旦變壓器的容量確定了，電流就確定了，導線的粗細也就確定了，增大匝數W，磁通Φ就可以小一些，鐵芯的截面積就可以小一些，但是要把這些匝數繞進去，鐵芯的窗口要大一些；相反，減小匝數W，磁通Φ就要大一些，鐵芯的截面積要...

TCR觸發角α的可控范圍是90°～180°。當觸發角為90°時，晶閘管全導通，此時TCR中的電流為連續的正弦波形。當觸發角從90°變到接近180°時，TCR中的電流呈非連續脈沖形，對稱分布于正半波和負半波。當觸發角為180°時，電流減小到0，當觸發角低于90°...

IGBT電源模塊是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，其**由MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）和GTR（巨型晶體管）復合結構組成，兼具高輸入阻抗與低導通壓降的優勢。該模塊廣泛應用于高壓變流系統，包括工業變頻器、電力牽引傳動裝置及智能電網設備等...

控制方式：通過控制觸發信號的時機，可以調節輸出電壓和電流。應用領域：整流電路：用于將交流電轉換為直流電。調速控制：在電動機控制中，調節電機的速度。功率控制：用于燈光調光、加熱器控制等。逆變器：在太陽能和風能系統中，將直流電轉換為交流電。工作原理：晶閘管的工作原...

(2) 認真核對變壓器基礎橫、縱軸線尺寸及預埋管位置，并與圖紙所給尺寸核對，無誤后方可進行下一步工作。2.2 變壓器開箱檢查(1) 變壓器到貨后開箱檢查時，應會同業主、監理及廠家的有關人員一同檢查。(2) 在卸車前測量和記錄沖擊記錄器的沖擊值，這個數值應小于3...

但是，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通可控硅不同，是把兩個可控硅反接在一起畫成的，如圖2所示。它的型號，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示；國外的資料也有用“TRIAC”來...

（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。可控硅開關（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅...

該電子為p+n-p晶體管的少數載流子，從集電極襯底p+層開始流入空穴，進行電導率調制（雙極工作），所以可以降低集電極－發射極間飽和電壓。在發射極電極側形成n+pn－寄生晶體管。若n+pn－寄生晶體管工作，又變成p+n－ pn+晶閘管。電流繼續流動，直到輸出側停...

該電子為p+n-p晶體管的少數載流子，從集電極襯底p+層開始流入空穴，進行電導率調制（雙極工作），所以可以降低集電極－發射極間飽和電壓。在發射極電極側形成n+pn－寄生晶體管。若n+pn－寄生晶體管工作，又變成p+n－ pn+晶閘管。電流繼續流動，直到輸出側停...

（2）小規格模塊主電極無螺釘緊固，極易掀起折斷，接線時應注意避免外力或電纜重力將電極拉起折斷。（3）嚴禁將電纜銅線直接壓接在模塊電極上，以防止接觸不良產生附加發熱。（4）模塊不能當作隔離開關使用。為保證安全，模塊輸入端前面需加空氣開關。（5）測量模塊工作殼溫時...

普通晶閘管是一種半可控大功率半導體器件，出現于70年代。pnpn四層半導體結構，有三個極：陽極、陰極和門極。 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，它的出現使半導體器件由弱電領域擴展到強電領域。普通晶閘管t在工作過程中，它的陽極a和陰極k與...

四、直流輸電用這類整流變壓器的電壓一般在110kV以上，容量在數萬千伏安。需特別注意對地絕緣的交、直流疊加問題。 此外還有電鍍用或電加工用直流電源，勵磁用直流電源，充電用及靜電除塵用直流電源等。應用整流變**多的化學行業中，大功率整流裝置也是二次電壓低，電流...

光控晶閘管：通過光照度觸發導通，具有很強的抗干擾能力和良好的高壓絕緣性能。特點：體積小、效率高、壽命長。能以毫安級電流控制大功率的機電設備。反應極快，在微秒級內開通、關斷。無觸點運行，無火花、無噪音。但靜態及動態的過載能力較差，容易受干擾而誤導通。三、主要參數...

右圖給出自耦式12脈沖變壓整流器，變壓器用于產生滿足整流器要求的兩組三相電壓，兩組三相電壓（Va''，Vb''，Vc''）與(Va'，Vb'，Vc')分別超前與滯后于輸入三相電壓15°，兩組三相電壓輸出分別連接到整流橋1和整流橋2，整流橋輸出通過平衡電抗器并聯...

（2）可以采用開關電源，也可采用線性電源（即變壓器整流式穩壓電源）。開關電源外殼應帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。（3）控制電源極性要求正確接入模塊控制端口，嚴禁反接。否則將燒壞模塊控制電路。4、使用環境要求（1）工作場所環境溫度范圍...

電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數的***、二、三層...

1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT，并有足夠的柵電流激發可控硅(晶閘管)內部的正反饋，則也會被觸發導通。應用安裝時，首先要使柵極外的連線盡可能短。當連線不能很短時，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個...

（3）器身：器身絕緣墊塊均采用**度的層壓木和層壓紙板支撐，使繞組的端部的支撐面積達到95%以上，進一步提高了產品抗短路能力，提高產品的運行可靠性。器身與箱蓋的連接采用了呆板帶緩沖結構，克服了器身“懸空”和“頂蓋”現象。絕緣材料均采用**度、高密度電纜紙包繞，...

它的缺點是對電網無功沖擊大，從而產生較大的起動壓降;它的高次諧波會影響電網電壓波形，干擾其他用電設備;它的運行功率因數低等。但整流變壓器采取特殊接線，電樞回路的晶閘管整流器分成兩組串接，采取所謂“順序控制”方法，可以減少無功的需要量，可以消除危害較大的5次和7...

E 節能照明：隧道照明，路燈照明，攝影照明，舞臺燈光F 化學工業：蒸餾蒸發，預熱系統，管道加熱，石油化工，溫度補償G 其它行業：鹽浴爐，工頻感應爐，淬火爐溫控，熱處理爐溫控，金剛石壓機加熱，大功率充磁/退磁設備，航空電源調壓，中央空調電加熱器溫控，紡織機械，水...

PNPN四層組成(2)可控硅由關斷轉為導通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。(3)可控硅導通后，當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關斷。(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線，2.門極伏安特性區。(5)應在額定參數范圍...

BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環放大，直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發”的過程，對可控硅來說，觸發信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經觸發導通后，...