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可控硅模塊設備相信大家都已經熟悉并了解了，在您了解的知識中，您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎？下面正高電氣來講解一下。可控硅模塊的工作條件：1.當可控硅模塊承受反向陽極電壓時，不管門級承受哪種電壓，可控硅模塊都會處于斷開狀態。2.當可控硅模塊經歷正向陽極電壓時，可控硅只在門級受到正向電壓時接通。3.當可控硅模塊導通時，只需要有一定的正極電壓，不管門極電壓怎樣，可控硅模塊都保持導通，如果可控硅導通后，門極將失去其功能。4..當可控硅模塊導通時，主電路電壓(或電流)減小到接近零時，可控硅模塊關斷。您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎？可控硅模塊導通的條件是陽極承受正電壓，只有當正向觸發電壓時，可控...

可控硅模塊裝置中產生過電流保護的原因有很多，是多種多樣的，那么它采用的保護措施有哪些？下面可控硅模塊廠家帶您一起來看下。可控硅模塊產生出的過電流的原因有很多種，當變流裝置內部的結構元件損壞、控制或者觸發系統之間發生的一些故障、可逆傳動環流過大或逆變失敗、交流電壓過高或過低或缺相、負載過載等原因，都會引起裝置中電力電子元器件耳朵電流超過正常的工作電流。由于可控硅模塊的過流比一般的電氣設備的能力要低得多，因此，我們必須采取防過電流保護可控硅模塊的措施。接下來可控硅生產廠家正高為大家詳細講解一些可控硅模塊裝置中可能采用的4種過電流保護管理措施：1、交流進線串接漏電阻大的整流變壓器，利用短路電流受電抗...

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應用較多。可控硅有三個電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面簡單分析可控硅的工...

安裝可控硅模塊需要滿足哪些要求可控硅模塊的優點眾多，比如體積小、重量輕、安全可靠、運行穩定等等，自從它的出現受到了電力電氣行業的大范圍使用，可控硅模塊在很多應用領域都發揮了非常重要的作用，但是，為了保證可控硅模塊的良好使用，安裝是非常重要的，下面可控硅模塊廠家正高帶您了解一下安裝可控硅模塊需要滿足哪些要求？1.工作環境一定要確保干燥、通風、無腐蝕性氣體，環境溫度范圍-25℃--45℃，并且在安裝時要注意位置的擺放。2.要用這種接線端頭環帶把銅線扎緊，浸錫，套上絕緣熱縮管，用熱風環境或者生活熱水來加熱收縮，導線截面積可以按照工作電流通過密度＜4A/mm2選取，禁止將銅線作為直接壓接在可控硅模塊以...

1.用指針式萬用表電阻檔測量可控硅陽極和陰極之間是否短路，一般情況下雙向可控硅陽極和陰極之間的電阻在數十千歐以上，如用萬用表測量時已短路或電阻已小于10千歐以下，可判斷可控硅已擊穿損壞。2.用萬用表分別測量雙向可控硅觸發極與陰極之間的電阻值，一般再幾歐至百十歐以內的正常，觸發極與陽極之間的電阻值，一般再十千歐以上為正常。晶閘管(可控硅)要導通，必須滿足以下條件：雙向晶閘管導通條件：一是晶閘管(可控硅)陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備，晶閘管(可控硅)才會處于導通狀態。另外，晶閘管(可控硅)一旦導通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，晶閘管(可控...

使用劣質散熱器，散熱體水腔材質差（有的用黃銅），導熱性能差，更嚴重的是蝶型彈簧和三角壓蓋因質量不合格，短時間使用后失去彈性，使管芯與散熱體臺面間的壓力明顯下降，從而影響其散熱效果。用戶沒有必要的安裝設備，更換管芯靠手工安裝很難達到規范的要求。所以我們建議，對于大功率（≥1200A）的晶閘管，建議買廠家成套的元件。因為廠家配套的散熱器質量可靠（質量承諾），同時廠家有所用的安裝模具與設備，確保裝配質量，并且在安裝后重新測試，保證成套元件合格，另外，大功率晶閘管（≥1200A）價格一般每只近千元，有的達數千元，而散熱器每套不過兩百多元，不要因小失大。就當前的水平，我們認為用測量管芯陶瓷外殼溫度的方法...

這種電位器可以直接焊在電路板上，電阻除R1要用功率為1W的金屬膜電阻外，其余的都用功率為1/8W的碳膜電阻。D1—D4選用反向擊穿電壓大于300V、大整流電流大于，如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。SCR選用正向與反向電壓大于300V、額定平均電流大于1A的可控硅整流器件，如國產3CT系列。可控硅調壓器電路圖（二）在很多使用交流電源的負載中，需要完成調光、調溫等功能，要求交流電源能平穩地調節電壓。圖205所示，是一種筒單交流調壓器，可代替普通交流調壓器，體積小、重量輕、控制方便。工作原理電源經電阻R，和電位器W向電容C充電。當電容上的電成送到手定值時堯通過二極管D和可控硅控制極，使可...

可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了的應用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負脈沖）可使其正向（或反向）導通。這種裝置的優點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極...

可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了的應用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負脈沖）可使其正向（或反向）導通。這種裝置的優點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極...

使用劣質散熱器，散熱體水腔材質差（有的用黃銅），導熱性能差，更嚴重的是蝶型彈簧和三角壓蓋因質量不合格，短時間使用后失去彈性，使管芯與散熱體臺面間的壓力明顯下降，從而影響其散熱效果。用戶沒有必要的安裝設備，更換管芯靠手工安裝很難達到規范的要求。所以我們建議，對于大功率（≥1200A）的晶閘管，建議買廠家成套的元件。因為廠家配套的散熱器質量可靠（質量承諾），同時廠家有所用的安裝模具與設備，確保裝配質量，并且在安裝后重新測試，保證成套元件合格，另外，大功率晶閘管（≥1200A）價格一般每只近千元，有的達數千元，而散熱器每套不過兩百多元，不要因小失大。就當前的水平，我們認為用測量管芯陶瓷外殼溫度的方法...

就組成了一個簡單實用的大功率無級調速電路。這個電路的獨特之處在于可控硅控制極不需外加電源，只要將負載與本電路串聯后接通電源，兩個控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動直流電壓產生，調節電位器R2即可改變兩只可控硅的導通角，增大R2的阻值到一定程度，便可使兩個主可控硅阻斷，因此R2還可起開關的作用。該電路的另一個特點是兩只主可控硅交替導通，一個的正向壓降就是另一個的反向壓降，因此不存在反向擊穿問題。但當外加電壓瞬時超過阻斷電壓時，SCR1、SCR2會誤導通，導通程度由電位器R2決定。SCR3與周圍元件構成普通移相觸發電路，其原理這里從略。SCR1、SCR2筆者選用的是封裝好的可控硅模塊（110...

可控硅又稱晶閘管（晶體閘流管），是一種常用的功率型半導體器件，其主要的功能是功率控制。可控硅可分為單向可控硅、雙向可控硅、可關斷可控硅等。可控硅的特點是具有可控的單向導電性，以小電流控制大電流，以低電壓控制高電壓。可控硅可以用萬用表進行檢測。一、檢測單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結構，形成3個PN結，具有3個外電極：陽極A、陰極K、控制極G。檢測時，萬用表置于“Rx10Ω”檔，黑表筆（表內電池正極）接單向可控硅的控制極G，紅表筆（表內電池負極）接單向可控硅的陰極K，這時測量的是單向可控硅PN結的正向電阻，應有較小的阻值。如下圖所示。對調兩表筆后，測其反向電阻，應比正向電阻明顯大一些。萬用表...

雙向可控硅是一種功率半導體器件，也稱雙向晶閘管，在單片機控制系統中，可作為功率驅動器件，由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題，控制電路簡單，因此特別適合做交流無觸點開關使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器，且連接在強電網絡中，其觸發電路的抗干擾問題很重要，通常都是通過光電耦合器將單片機控制系統中的觸發信號加載到可控硅的控制極。為減小驅動功率和可控硅觸發時產生的干擾，交流電路雙向可控硅的觸發常采用過零觸發電路。（過零觸發是指在電壓為零或零附近的瞬間接通，由于采用過零觸發，因此需要正弦交流電過零檢測電路）雙向可控硅分為三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其導通條件：總的來說導通的條件就是：G...

晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當其反向漏電電流急劇增加時反對應的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復峰值電壓VRRM反向重復峰值電壓VRRM，是指晶閘管在門極G斷路時，允許加在A、K極間的大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。(六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱通態平均電壓或通態壓降VT，是指在規定環境溫度和標準散熱條件下，當通過晶閘管的電流為額定電流時，其陽極A與陰極K之間電壓降的平均值，通常為。(七)晶閘管門極觸發電壓VGT門極觸發VGT，是指在規定的環境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值正向電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態轉變為導通狀態所需...

兩個溫度值接近，說明散熱器正常工作。，器件陶磁環的溫度高于散熱體表面溫度，說明散熱器的效果不好需進行處理；，散熱體表面溫度高于器件陶磁環的溫度，說明器件工作正常而系統連接或散熱器的安裝有問題需處理。東臺臺基生產的可控硅是耐高溫的可控硅。這是我們的可控硅的優勢。1、普通的晶閘管可以用于交直流電壓的控制、可控整流、交流調壓、逆變電源、開關電源保護電路等應用上國內很多公司生產的可控硅，能承受的溫度是有限的，一般在45℃左右，一旦超過50℃就會。但是西東臺臺基生產的可控硅不是這樣的。（一）按關斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅...

1.用指針式萬用表電阻檔測量可控硅陽極和陰極之間是否短路，一般情況下雙向可控硅陽極和陰極之間的電阻在數十千歐以上，如用萬用表測量時已短路或電阻已小于10千歐以下，可判斷可控硅已擊穿損壞。2.用萬用表分別測量雙向可控硅觸發極與陰極之間的電阻值，一般再幾歐至百十歐以內的正常，觸發極與陽極之間的電阻值，一般再十千歐以上為正常。晶閘管(可控硅)要導通，必須滿足以下條件：雙向晶閘管導通條件：一是晶閘管(可控硅)陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備，晶閘管(可控硅)才會處于導通狀態。另外，晶閘管(可控硅)一旦導通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，晶閘管(可控...

可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不只是整流，還可以用作無觸點開關的快速接通或切斷；實現將直流電變成交流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導體器件一樣，有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制、機電應用、工業電氣及家電等方面都有的應用。可控硅從外形上區分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應用較多。可控硅工作原理解析可控硅結...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊（semiconductormodule）。可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機所用模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等。下面是一個壞了換下來的電阻焊控制器一般這個東西都是可控硅壞了...

雙向可控硅是一種功率半導體器件，也稱雙向晶閘管，在單片機控制系統中，可作為功率驅動器件，由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題，控制電路簡單，因此特別適合做交流無觸點開關使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器，且連接在強電網絡中，其觸發電路的抗干擾問題很重要，通常都是通過光電耦合器將單片機控制系統中的觸發信號加載到可控硅的控制極。為減小驅動功率和可控硅觸發時產生的干擾，交流電路雙向可控硅的觸發常采用過零觸發電路。（過零觸發是指在電壓為零或零附近的瞬間接通，由于采用過零觸發，因此需要正弦交流電過零檢測電路）雙向可控硅分為三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其導通條件：總的來說導通的條件就是：G...

當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發信號，BG1將產生基極電流Ib1，經放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環放大，直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發”的過程，對可控硅來說，觸發信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經觸發導通后，由于循環反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經過BG1、B...

可控硅是可控硅整流器的簡稱。可控硅有單向、雙向、可關斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優點，被用于可控整流、調壓、逆變以及無觸點開關等各種自動控制和大功率的電能轉換的場合。單向可控硅是一種可控整流電子元件，能在外部控制信號作用下由關斷變為導通，但一旦導通，外部信號就無法使其關斷，只能靠去除負載或降低其兩端電壓使其關斷。單向可控硅是由三個PN結PNPN組成的四層三端半導體器件與具有一個PN結的二極管相比，單向可控硅正向導通受控制極電流控制；與具有兩個PN結的三極管相比，差別在于可控硅對控制極電流沒有放大作用。可控硅導通條件：一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓，二...

它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。一、可控硅的結構和特性■可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式的應用較多。■可控硅有三個電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。其結構示意圖和符號見圖表-26。■從圖表-26中可以看到，可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流...

我國的晶閘管中頻電源的共同特點是全集成化控制線路數字化程度高于90%、啟動成功率幾乎達到、除具有常規的水壓不足、快熔熔斷、過流、過壓等保護功能外，還具有限流、限壓等保護功能、功能較齊全的晶閘管電源還配置逆變失敗、水溫監視等可選功能，其頻率較高可以作到8kHz，額定功率可以作到1000kW左右，如果在裝配工藝上再進一步改進的話，可以接近世界先進水平。所以，希望各大公司在選擇晶閘管的時候，不要只只考慮到晶閘管的單次成本。可能次您買晶閘管時，有的公司報價很低。但是三五天就燒壞了。這樣您幾天就換一只管子，對您公司來說是造成更嚴重的利益損失。還不如一次選擇好的，選擇質量優勝的產品。這樣晶閘管使用壽命長，...

就組成了一個簡單實用的大功率無級調速電路。這個電路的獨特之處在于可控硅控制極不需外加電源，只要將負載與本電路串聯后接通電源，兩個控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動直流電壓產生，調節電位器R2即可改變兩只可控硅的導通角，增大R2的阻值到一定程度，便可使兩個主可控硅阻斷，因此R2還可起開關的作用。該電路的另一個特點是兩只主可控硅交替導通，一個的正向壓降就是另一個的反向壓降，因此不存在反向擊穿問題。但當外加電壓瞬時超過阻斷電壓時，SCR1、SCR2會誤導通，導通程度由電位器R2決定。SCR3與周圍元件構成普通移相觸發電路，其原理這里從略。SCR1、SCR2筆者選用的是封裝好的可控硅模塊（110...

可控硅模塊設備相信大家都已經熟悉并了解了，在您了解的知識中，您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎？下面正高電氣來講解一下。可控硅模塊的工作條件：1.當可控硅模塊承受反向陽極電壓時，不管門級承受哪種電壓，可控硅模塊都會處于斷開狀態。2.當可控硅模塊經歷正向陽極電壓時，可控硅只在門級受到正向電壓時接通。3.當可控硅模塊導通時，只需要有一定的正極電壓，不管門極電壓怎樣，可控硅模塊都保持導通，如果可控硅導通后，門極將失去其功能。4..當可控硅模塊導通時，主電路電壓(或電流)減小到接近零時，可控硅模塊關斷。您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎？可控硅模塊導通的條件是陽極承受正電壓，只有當正向觸發電壓時，可控...

雙向可控硅是一種功率半導體器件，也稱雙向晶閘管，在單片機控制系統中，可作為功率驅動器件，由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題，控制電路簡單，因此特別適合做交流無觸點開關使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器，且連接在強電網絡中，其觸發電路的抗干擾問題很重要，通常都是通過光電耦合器將單片機控制系統中的觸發信號加載到可控硅的控制極。為減小驅動功率和可控硅觸發時產生的干擾，交流電路雙向可控硅的觸發常采用過零觸發電路。（過零觸發是指在電壓為零或零附近的瞬間接通，由于采用過零觸發，因此需要正弦交流電過零檢測電路）雙向可控硅分為三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其導通條件：總的來說導通的條件就是：G...

可控硅模塊設備相信大家都已經熟悉并了解了，在您了解的知識中，您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎？下面正高電氣來講解一下。可控硅模塊的工作條件：1.當可控硅模塊承受反向陽極電壓時，不管門級承受哪種電壓，可控硅模塊都會處于斷開狀態。2.當可控硅模塊經歷正向陽極電壓時，可控硅只在門級受到正向電壓時接通。3.當可控硅模塊導通時，只需要有一定的正極電壓，不管門極電壓怎樣，可控硅模塊都保持導通，如果可控硅導通后，門極將失去其功能。4..當可控硅模塊導通時，主電路電壓(或電流)減小到接近零時，可控硅模塊關斷。您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎？可控硅模塊導通的條件是陽極承受正電壓，只有當正向觸發電壓時，可控...

維持繼電器吸合約4秒鐘，故電路動作較為準確。如果將負載換為繼電器，即可控制大電流工作的負載。可控硅是一種新型的半導體器件，它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、動作快以及使用方便等優點，活動導入以可控硅實際應用案例的展示，以激發學生的活動興趣。可控硅控制電路的制作13例1：可調電壓插座電路如圖，可用于調溫（電烙鐵）、調光（燈）、調速（電機），使用時只要把用電器的插頭插入插座即可，十分方便。V1為雙向二極管2CTS，V2為3CTSI雙向可控硅，調節RP可使插座上的電壓發生變化。2：簡易混合調光器根據電學原理可知，電容器接入正弦交流電路中，電壓與電流的大值在相位上相差90°。根據這一原理，把C1和...

設備自身運行中以及非正常運行中也有過電壓出現。過電壓保護的第一種方法是并接R-C阻容吸收回路，以及用壓敏電阻或硒堆等非線性元件加以。過電壓保護的第二種方法是采用電子電路進行保護。3.電流上升率、電壓上升率的保護（1）電流上升率di/dt的可控硅初開通時電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區域，局部電流密度很大，然后以μs的擴展速度將電流擴展到整個陰極面，若可控硅開通時電流上升率di/dt過大，會導致PN結擊穿，必須限制可控硅的電流上升率使其在合適的范圍內。其有效辦法是在可控硅的陽極回路串聯入電感。電壓上升率dv/dt的加在可控硅上的正向電壓上升率dv/dt也應有所限制,如果dv/dt過大，由于晶...

電力調整器它是屬于可控硅又稱為晶閘管以及觸發控制的電路用來調整負載功率的調整單元，而現在更多的都是運用數字的電路觸發可控硅去實現調壓和調功。那么就讓正高的小編帶大家去了解下吧！他有著無限大的或者說是很大的電阻，那么我們可以把串接的這個電阻器的電路可以看做是開路，電流可以是零。通常在工業中常用的電阻器是介于兩種極端的情況的中間，電力調整器它本身就具有一定的電阻，他可以通過一定的電流，但是它也并不是像電流短路的時候那樣大，電力調整器它的限流作用其實就是類似于兩個都比較粗的管子中有一個比較小的小管子，起到了一個限制水流量的作用。另外其實是屬于一個限流的作用，可以將通過它的所連接的支路的電流進行限制，...