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必須使陽極電流《維持電流，對于電阻負(fù)載，只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關(guān)斷，通常在管子陽極電壓互降為零后，加上一定時間的反向電壓。晶閘管主要特性參數(shù)：1.正反向重復(fù)峰值電壓——額定電壓（VDRM、VRRM取其小者）2.額定通態(tài)平均電流IT（AV）——額定電流（正弦半波平均值）3.門極觸發(fā)電流IGT，門極觸發(fā)電壓UGT，（受溫度變化）晶閘管關(guān)斷過電壓（換流過電壓、空穴積蓄效應(yīng)過電壓）及保護晶閘管從導(dǎo)通到阻斷，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產(chǎn)生過電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部。在關(guān)斷過程中，管子在反向作用下，正向電流下降到零時，元件內(nèi)部殘存著載流子。...

隨著科技與社會的不斷發(fā)展，智能晶閘管模塊越來越被大眾所認(rèn)知，因為它在機器上也發(fā)揮著重要的作用，所以在行業(yè)的應(yīng)用中也是越來越多，接觸比較早的使用過它的肯定是在熟悉不過了，但是對于剛接觸它的來講，肯定是很陌生的，所以在使用上肯定就是有點困難的。那么就由淄博正高電氣有限公司的小編帶大家去了解下使用方法吧。1.要先保證com端必須為正，各個功能端相對，如果com的功能端相對是負(fù)極，則會出現(xiàn)調(diào)壓的輸出端出現(xiàn)失控的的情況。2.智能晶閘管調(diào)壓模塊它的正極性就是各個功能端的控制，意思就是控制電壓越高，它的強電輸出電路就越高。3.晶閘管模塊屬于受信號所控制的，他是在某一個時刻使用的一種輸入控制方式，當(dāng)2種方式同...

用指針式萬用表電阻檔測量可控硅陽極和陰極之間是否短路，一般情況下雙向可控硅陽極和陰極之間的電阻在數(shù)十千歐以上，如用萬用表測量時已短路或電阻已小于10千歐以下，可判斷可控硅已擊穿損壞。2.用萬用表分別測量雙向可控硅觸發(fā)極與陰極之間的電阻值，一般再幾歐至百十歐以內(nèi)的正常，觸發(fā)極與陽極之間的電阻值，一般再十千歐以上為正常。晶閘管(可控硅)要導(dǎo)通，必須滿足以下條件：雙向晶閘管導(dǎo)通條件：一是晶閘管(可控硅)陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備，晶閘管(可控硅)才會處于導(dǎo)通狀態(tài)。另外，晶閘管(可控硅)一旦導(dǎo)通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，晶閘管(可控硅)...

電力調(diào)整器是利用晶閘管及其觸發(fā)控制電路來調(diào)節(jié)負(fù)載功率的圓盤式功率調(diào)節(jié)裝置。現(xiàn)在更多的是采用數(shù)字電路觸發(fā)晶閘管來實現(xiàn)電壓調(diào)節(jié)和功率調(diào)節(jié)。那就讓正高電氣的小編帶大家去了解一下它的其他的方面吧！它是一種四層三端半導(dǎo)體器件，連接在電源和負(fù)載之間，并配有相應(yīng)的觸發(fā)控制電路板，可調(diào)節(jié)負(fù)載所加的電壓、電流和功率。主要用于各種電加熱裝置（如電加熱工業(yè)爐、電烘干機、電油爐、各種反應(yīng)罐和反應(yīng)釜的電加熱裝置）的加熱功率調(diào)節(jié)。它不只可以“手動”調(diào)節(jié)，還可以用電動調(diào)節(jié)儀表和智能裝置調(diào)節(jié)儀表、PLC和計算機控制系統(tǒng)，實現(xiàn)加熱溫度的設(shè)定或程序控制。它是采用數(shù)字電路觸發(fā)晶閘管實現(xiàn)電壓和功率調(diào)節(jié)。電壓調(diào)節(jié)采用移相控制方式，功率...

并不能說明控制極特性不好。因此，兩個互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門機電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。對過壓保護可采用兩種措施：在中頻電源的主電路中，瞬時反相電壓是靠阻容吸收來吸收的。如果吸收電路中電阻、電容開路均會使瞬時反相電壓過高燒壞可控硅。用萬用表電阻檔測量晶閘管有無擊穿。在斷電的情況下用東臺表測量吸收電阻阻值、吸收電容容量，判斷是否阻容吸收回路出現(xiàn)故障。在設(shè)備運行時如果突然丟失觸發(fā)脈沖，將造成逆變開路，中頻電源輸出端產(chǎn)生高壓，燒壞可控硅元件。原因及處理方法：(1)整流觸發(fā)脈沖缺失。這種故障一般是逆變脈沖形成、輸出電路故障，可用示波器進行檢查...

為何要晶閘管模塊兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)？它的作用是什么呢？晶閘管模塊在電路中具有不可或缺的作用，您也許聽過晶閘管模塊的作用、優(yōu)勢、應(yīng)用范圍等等，您聽過晶閘管模塊兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)的作用是什么嗎？接下來正高電氣就來為您介紹為何要晶閘管模塊兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)？它的作用是什么呢？在實際晶閘管模塊電路中，常在其兩端并聯(lián)rc串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為rc阻容吸收電路。我們知道，晶閘管模塊有一個重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管模塊在額定結(jié)溫和門極斷路條件下，使晶閘管模塊從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管模塊的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加...

電子元器件包括：電阻、電容器、電位器、電子管、散熱器、機電元件、連接器、半導(dǎo)體分立器件、電聲器件、激光器件、電子顯示器件、光電器件、傳感器、電源、開關(guān)、微特電機、電子變壓器、繼電器、印制電路板、集成電路、各類電路、壓電、晶體、石英、陶瓷磁性材料、印刷電路用基材基板、電子功能工藝所用材料、電子膠（帶）制品、電子化學(xué)材料及部品等。這樣，當(dāng)把穩(wěn)壓管接入電路以后，若由于電源電壓發(fā)生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負(fù)載兩端的電壓將基本保持不變。我們認(rèn)為電感器和電容器一樣，也是一種儲能元件，它能把電能轉(zhuǎn)變?yōu)榇艌瞿埽⒃诖艌鲋袃Υ婺芰俊＜呻娐窂男∫?guī)模集成電路迅速發(fā)展到大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成...

可控硅的參數(shù)有：1、額定通態(tài)均勻電流IT正在必然條件下，陽極---陰極間能夠持續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的均勻值。2、正向阻斷峰值電壓VPF正在控造極開路未加觸發(fā)，陽極正向電壓還未超越導(dǎo)能電壓時，能夠反復(fù)加正在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅接受的正向電壓峰值，不克不及超越手冊給出的那個參數(shù)值。3、反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷形態(tài)時，能夠反復(fù)加正在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不克不及超越手冊給出的那個參數(shù)值。4、觸發(fā)電壓VGT正在劃定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有必然電壓時，可控硅從關(guān)斷形態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通形態(tài)所需要的小控造極電流和電壓。水管以回轉(zhuǎn)方式固定敷設(shè)在金...

根據(jù)數(shù)字集成電路中包含的門電路或元、器件數(shù)量，可將數(shù)字集成電路分為小規(guī)模集成(SSI)電路、中規(guī)模集成(MSI)電路、大規(guī)模集成(LSI)電路、超大規(guī)模集成VLSI電路和特大規(guī)模集成ULSI)電路。在這3種故障中，前一種故障表現(xiàn)出電源電壓升高；后2種故障表現(xiàn)為電源電壓變低到零伏或輸出不穩(wěn)定。此后，人們強烈地期待著能夠誕生一種固體器件，用來作為質(zhì)量輕、價廉和壽命長的放大器和電子開關(guān)。在電子器件的發(fā)展史上翻開了新的一頁。但是，這種點接觸型晶體管在構(gòu)造上存在著接觸點不穩(wěn)定的致命弱點。在點接觸型晶體管開發(fā)成功的同時，結(jié)型晶體管論就已經(jīng)提出，但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導(dǎo)電類...

并不能說明控制極特性不好。因此，兩個互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門機電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。對過壓保護可采用兩種措施：在中頻電源的主電路中，瞬時反相電壓是靠阻容吸收來吸收的。如果吸收電路中電阻、電容開路均會使瞬時反相電壓過高燒壞可控硅。用萬用表電阻檔測量晶閘管有無擊穿。在斷電的情況下用東臺表測量吸收電阻阻值、吸收電容容量，判斷是否阻容吸收回路出現(xiàn)故障。在設(shè)備運行時如果突然丟失觸發(fā)脈沖，將造成逆變開路，中頻電源輸出端產(chǎn)生高壓，燒壞可控硅元件。原因及處理方法：(1)整流觸發(fā)脈沖缺失。這種故障一般是逆變脈沖形成、輸出電路故障，可用示波器進行檢查...

平板式晶閘管模塊的優(yōu)勢以及特點來源：晶閘管模塊是電子元器件中廣為人知的，而我們常用的就是平板式晶閘管模塊，那么它有哪些優(yōu)勢以及特點呢？下面正高電氣來帶您了解一下。平板式晶閘管模塊的特點：“一觸即發(fā)”。然而，如果所施加的陽極電極和所述控制極是反向電壓，平板式晶閘管模塊不能傳導(dǎo)。控制極的作用是可以通過一個外加正向作用觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通，卻不能使它關(guān)斷。那么，使導(dǎo)通的平板式晶閘管模塊關(guān)斷的方式是什么呢？使導(dǎo)通的晶閘管控制模塊進行關(guān)斷，可以通過斷開陽極電源或使陽極電流小于維持導(dǎo)通的最小值（稱為維持電流）。如果平板式晶閘管模塊陽極和陰極之間施加的是交流電壓或脈動直流電壓，則平板式晶閘管模塊將在零電壓下...

N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對N一層進行電導(dǎo)調(diào)制，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。IGBT和可控硅區(qū)別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡單地說：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過整流元件變成平穩(wěn)的可調(diào)的單方向的直流電流。其實現(xiàn)條件主要是依靠整流管。晶閘管等元件通過整流來...

壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區(qū)別？可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結(jié)構(gòu)也十分的緊湊，對于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細(xì)的進行區(qū)分一下。①從電流方面來講，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時壓接式模塊的電流就能夠達到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時也有壓接式的。②從外形方面來講，焊接式的可控硅模塊遠遠沒有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn)，焊接式的局部地區(qū)...

可控硅模塊設(shè)備相信大家都已經(jīng)熟悉并了解了，在您了解的知識中，您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎？下面正高電氣來講解一下。可控硅模塊的工作條件：1.當(dāng)可控硅模塊承受反向陽極電壓時，不管門級承受哪種電壓，可控硅模塊都會處于斷開狀態(tài)。2.當(dāng)可控硅模塊經(jīng)歷正向陽極電壓時，可控硅只在門級受到正向電壓時接通。3.當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時，只需要有一定的正極電壓，不管門極電壓怎樣，可控硅模塊都保持導(dǎo)通，如果可控硅導(dǎo)通后，門極將失去其功能。4..當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時，主電路電壓(或電流)減小到接近零時，可控硅模塊關(guān)斷。您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎？可控硅模塊導(dǎo)通的條件是陽極承受正電壓，只有當(dāng)正向觸發(fā)電壓時，可控...

如溫度控制、燈米調(diào)節(jié)及直流電極調(diào)速和換向電路等，逆導(dǎo)的。主要用于直流供電國輛（如無軌電車）的調(diào)速。可關(guān)斷的。這是一種新型產(chǎn)品，它利用正的控制極脈沖可觸發(fā)導(dǎo)通，而用負(fù)的控制極脈沖可以關(guān)斷陽極電流，恢復(fù)阻斷狀態(tài)。利用這種特性可以做成無觸點開關(guān)或用直流調(diào)壓、電視機中行掃描電路及高壓脈沖發(fā)生器電路等。在性能上，可控硅模塊不只具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件，更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。能以毫安級電流控制大功率的機電設(shè)備，如果超過此頻率，因元件開關(guān)損耗增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標(biāo)稱電流應(yīng)降級使用。優(yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍；反應(yīng)極快，在...

時效電爐還有烘箱試驗電爐、電阻爐、真空爐以及高溫爐電爐等等；機械設(shè)備像是包裝行業(yè)的機械、注塑行業(yè)的食品行業(yè)的機械以及塑料加工、以及回火設(shè)備等等；玻璃行業(yè)也是可以用到的像是玻璃纖維、玻璃融化、印制以及玻璃生產(chǎn)線、退火槽等等；在汽車行業(yè)中也有著噴涂烘干以及熱成型的情況；像是在照明的這一方面有隧道照明、路燈照明、舞臺上的燈光照明；對于蒸餾蒸發(fā)以及預(yù)熱系統(tǒng)、管道加熱以及石油的加工這種化學(xué)的行業(yè)也是可以的7.其他行業(yè)中，電力調(diào)整器淬火爐溫控、熱處理爐溫控以及金剛石壓機進行加熱，航空的電源調(diào)壓等等以及中央空調(diào)電的加熱器進行溫度控制，像是紡織機械行業(yè)，水晶石的生產(chǎn)以及石油化工的機械等等這些行業(yè)中都是可以用到...

可控硅模塊是可控硅整流器的簡稱。它是由三個PN結(jié)四層結(jié)構(gòu)硅芯片和三個電極組成的半導(dǎo)體器件。那么就讓正高的小編帶大家去了解下其他知識吧！它的三個電極分別叫陽極（A）、陰極（K）和控制極（G）。當(dāng)器件的陽極接負(fù)電位（相對陰極而言）時，從符號圖上可以看出PN結(jié)處于反向，具有類似二極管的反向特性。當(dāng)器件的陽極上加正電位時（若控制極不接任何電壓），在一定的電壓范圍內(nèi)，器件仍處于阻抗很高的關(guān)閉狀態(tài)。但當(dāng)正電壓大于某個電壓（樂為轉(zhuǎn)折電壓）時，器件迅速轉(zhuǎn)變到低阻通導(dǎo)狀態(tài)。加在陽極和陰極間的電壓低于轉(zhuǎn)折電壓時，器件處于關(guān)閉狀態(tài)。此時如果在控制極上加有適當(dāng)大小的正電壓（對陰極），只有使器件中的電流減到低于某個數(shù)值...

晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM、反向重復(fù)峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態(tài)平均電流IT、門極觸發(fā)電壓VG、門極觸發(fā)電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門極(G)開路的條件下，在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時所對應(yīng)的峰值電壓。(二)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM，是指晶閘管在正向阻斷時，允許加在A、K(或T1、T2)極間大的峰值電壓。此電壓約為正向轉(zhuǎn)折電壓減去1...

使可控硅從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率，若電壓上升率過大，超過了可控硅的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于可控硅的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因為可控硅可以看作是由三個PN結(jié)組成。在可控硅處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個電容C0。當(dāng)可控硅陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結(jié)，這個電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果可控硅在關(guān)斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下，可控硅誤導(dǎo)通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。對加到可控硅上的陽極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。為了限制...

會對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護可控硅不受其損壞，就要了解過電壓的產(chǎn)生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產(chǎn)生的原因。可控硅模塊對過電壓非常敏感，當(dāng)正向電壓超過udrm值時，可控硅會誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障；當(dāng)施加的反向電壓超過urrm值時，可控硅模塊會立即損壞。因此，需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法。過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲能的急劇變化，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn)，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾...

可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不只是整流，還可以用作無觸點開關(guān)的快速接通或切斷；實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣，有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制、機電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用。可控硅從外形上區(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應(yīng)用較多。可控硅工作原理解析可控硅結(jié)...

雙向可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件，也稱雙向晶閘管，在單片機控制系統(tǒng)中，可作為功率驅(qū)動器件，由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題，控制電路簡單，因此特別適合做交流無觸點開關(guān)使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器，且連接在強電網(wǎng)絡(luò)中，其觸發(fā)電路的抗干擾問題很重要，通常都是通過光電耦合器將單片機控制系統(tǒng)中的觸發(fā)信號加載到可控硅的控制極。為減小驅(qū)動功率和可控硅觸發(fā)時產(chǎn)生的干擾，交流電路雙向可控硅的觸發(fā)常采用過零觸發(fā)電路。（過零觸發(fā)是指在電壓為零或零附近的瞬間接通，由于采用過零觸發(fā)，因此需要正弦交流電過零檢測電路）雙向可控硅分為三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其導(dǎo)通條件：總的來說導(dǎo)通的條件就是：G...

N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對N一層進行電導(dǎo)調(diào)制，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。IGBT和可控硅區(qū)別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡單地說：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過整流元件變成平穩(wěn)的可調(diào)的單方向的直流電流。其實現(xiàn)條件主要是依靠整流管。晶閘管等元件通過整流來...

可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不只是整流，還可以用作無觸點開關(guān)的快速接通或切斷；實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣，有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制、機電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用。可控硅從外形上區(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應(yīng)用較多。可控硅工作原理解析可控硅結(jié)...

用指針式萬用表電阻檔測量可控硅陽極和陰極之間是否短路，一般情況下雙向可控硅陽極和陰極之間的電阻在數(shù)十千歐以上，如用萬用表測量時已短路或電阻已小于10千歐以下，可判斷可控硅已擊穿損壞。2.用萬用表分別測量雙向可控硅觸發(fā)極與陰極之間的電阻值，一般再幾歐至百十歐以內(nèi)的正常，觸發(fā)極與陽極之間的電阻值，一般再十千歐以上為正常。晶閘管(可控硅)要導(dǎo)通，必須滿足以下條件：雙向晶閘管導(dǎo)通條件：一是晶閘管(可控硅)陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備，晶閘管(可控硅)才會處于導(dǎo)通狀態(tài)。另外，晶閘管(可控硅)一旦導(dǎo)通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，晶閘管(可控硅)...

可控硅又稱晶閘管（晶體閘流管），是一種常用的功率型半導(dǎo)體器件，其主要的功能是功率控制。可控硅可分為單向可控硅、雙向可控硅、可關(guān)斷可控硅等。可控硅的特點是具有可控的單向?qū)щ娦裕孕‰娏骺刂拼箅娏鳎缘碗妷嚎刂聘唠妷骸？煽毓杩梢杂萌f用表進行檢測。一、檢測單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結(jié)構(gòu)，形成3個PN結(jié)，具有3個外電極：陽極A、陰極K、控制極G。檢測時，萬用表置于“Rx10Ω”檔，黑表筆（表內(nèi)電池正極）接單向可控硅的控制極G，紅表筆（表內(nèi)電池負(fù)極）接單向可控硅的陰極K，這時測量的是單向可控硅PN結(jié)的正向電阻，應(yīng)有較小的阻值。如下圖所示。對調(diào)兩表筆后，測其反向電阻，應(yīng)比正向電阻明顯大一些。萬用表...

三相可控硅觸發(fā)板是以高級工業(yè)級單片機為組成的全數(shù)字控制、數(shù)字觸發(fā)板，并將電源變壓器、脈沖變壓器焊裝在控制板上。使用靈活,安裝簡便。電源用變壓器，性能穩(wěn)定可靠。三相同步方案,定制可適應(yīng)交流5V～380V各種同步電壓。4種高性能PID方案，適應(yīng)不同性質(zhì)負(fù)載，控制精度高，動態(tài)特性好。全數(shù)字觸發(fā)，脈沖不對稱度≤°,用脈沖變壓器觸發(fā),脈沖前沿陡度≤。功能、參數(shù)設(shè)定采用按鍵操作，故障、報警、界面采用LED數(shù)碼管顯示，操作方便，顯示直觀。本控制板的所有控制參數(shù)均為數(shù)字量，無溫度漂移變化，運行穩(wěn)定、工作可靠。強抗干擾能力，采用獨特措施，惡劣干擾環(huán)境正常運行。通用性強，適用范圍寬，控制板適應(yīng)任何主電路，任何性質(zhì)...

可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋Ｆ渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關(guān)使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極...

能夠用正觸發(fā)使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)使其關(guān)斷的可控硅等等。工作原理:魚網(wǎng)面發(fā)熱體是由漁網(wǎng)狀構(gòu)造的棉布涂覆其上的碳素液，通過化學(xué)合成制成的電氣抵抗體PE、PET、PU等材料在真空狀態(tài)下形成的保護膜，以電極發(fā)熱的碳纖維材料，利用碳原子之間的相互運動所產(chǎn)生摩擦熱制造的發(fā)熱材料可控硅有多種分類辦法。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控造方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控造方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。其次，要計算好使用面積，同一房間應(yīng)選用同一批號同一花...

隨著科技與社會的不斷發(fā)展，智能晶閘管模塊越來越被大眾所認(rèn)知，因為它在機器上也發(fā)揮著重要的作用，所以在行業(yè)的應(yīng)用中也是越來越多，接觸比較早的使用過它的肯定是在熟悉不過了，但是對于剛接觸它的來講，肯定是很陌生的，所以在使用上肯定就是有點困難的。那么就由淄博正高電氣有限公司的小編帶大家去了解下使用方法吧。1.首先要先保證com端必須為正，各個功能端相對，如果com的功能端相對是負(fù)極，則會出現(xiàn)調(diào)壓的輸出端出現(xiàn)失控的的情況。2.智能晶閘管調(diào)壓模塊它的正極性就是各個功能端的控制，意思就是控制電壓越高，它的強電輸出電路就越高。3.晶閘管模塊屬于受信號所控制的，他是在某一個時刻使用的一種輸入控制方式，當(dāng)2種方...