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擴(kuò)散P型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上只選擇性地?cái)U(kuò)散一部分而形成的PN結(jié)。因此，不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的腐蝕作用。由于半導(dǎo)體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結(jié)合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認(rèn)為是穩(wěn)定性好和壽命長(zhǎng)的類型。初，對(duì)于被使用的半導(dǎo)體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對(duì)平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號(hào)很少，而作小電流開(kāi)關(guān)用的型號(hào)則很多。公司秉承以‘技術(shù)為、品質(zhì)為生命、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)’的理念為廣大客戶提供優(yōu)良的產(chǎn)品及完善服務(wù)，以‘晶佰源’自主品牌在國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)建立影響力，與時(shí)俱進(jìn)、開(kāi)拓創(chuàng)新、不斷推進(jìn)企業(yè)的規(guī)模化、科技化建設(shè)...

一、可控硅模塊的分類：可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊。引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。可控硅模塊因其體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝的優(yōu)點(diǎn)，一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧，并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展。可控硅就模塊類型的按封裝工藝來(lái)分可以分為焊接式和壓接式。從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）；普通整流管模塊（MDC）；普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）；快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）；非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)所用模塊MT...

可控硅模塊自身特點(diǎn)，在應(yīng)用時(shí)盡量避開(kāi)Ⅳ象限。如果工作沒(méi)有Ⅳ象限，我們可以推薦客戶選用免緩沖三象限系列的雙向可控硅模塊。雙向可控硅模塊象限分布圖和說(shuō)明：一象限：T1(-)T2(+)，G相對(duì)T1為(+)第二象限：T1(-)T2(+)，G相對(duì)T1為(-)第三象限：T1(+)T2(-)，G相對(duì)T1為(-)淄博正高電氣有限公司是一家專注于功率模塊研發(fā)、封裝、銷售的****。我司專業(yè)研發(fā)、封裝團(tuán)隊(duì)具有十年以上的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，經(jīng)過(guò)與國(guó)外眾多行業(yè)的通力合作，研發(fā)出獨(dú)特的一次焊接工藝，配合公司先進(jìn)的生產(chǎn)檢測(cè)設(shè)備解決了熱阻大、過(guò)流小、空洞率高等業(yè)界難題。為公司提供一系列優(yōu)良、高性能的功率模塊。目前公司主要產(chǎn)品；可...

T1管由截止變?yōu)閷?dǎo)通，于是電容C通過(guò)T1管的e、b1結(jié)和R2迅速放電，結(jié)果在R2上獲得一個(gè)尖脈沖。這個(gè)脈沖作為控制信號(hào)送到可控硅SCR的控制極，使可控硅導(dǎo)通。可控硅導(dǎo)通后的管壓降很低，一般小于1V，所以張弛振蕩器停止工作。當(dāng)交流電通過(guò)零點(diǎn)時(shí)，可控硅自關(guān)斷。當(dāng)交流電在負(fù)半周時(shí)，電容C又從新充電……如此周而復(fù)始，便可調(diào)整負(fù)載RL上的功率了。2：元器件選擇調(diào)壓器的調(diào)節(jié)電位器選用阻值為470KΩ的WH114-1型合成碳膜電位器，這種電位器可以直接焊在電路板上，電阻除R1要用功率為1W的金屬膜電阻外，其佘的都用功率為1/8W的碳膜電阻。D1—D4選用反向擊穿電壓大于300V、大整流電流大于，如2CZ21...

其閘流特性表現(xiàn)為當(dāng)可控硅加上正向陽(yáng)極電壓的同時(shí)又加上適當(dāng)?shù)恼蚩刂齐妷簳r(shí)，可控硅就導(dǎo)通；這一導(dǎo)通即使在撤去門(mén)極控制電壓后仍將維持，一直到加上反向陽(yáng)極電壓或陽(yáng)極電流小于可控硅自身的維持電流后才關(guān)斷。普通的可控硅調(diào)光器就是利用可控硅的這一特性實(shí)現(xiàn)前沿觸發(fā)相控調(diào)壓的。在正弦波交流電過(guò)零后的某一時(shí)刻t1（或某一相位角wt1），在可控硅控制極上加一觸發(fā)脈沖，使可控硅導(dǎo)通，根據(jù)前面介紹過(guò)的可控硅開(kāi)關(guān)特性，這一導(dǎo)通將維持到正弦波正半周結(jié)束。因此在正弦波的正半周（即0~p區(qū)間）中，0~wt1范圍可控硅不導(dǎo)通，這一范圍稱為控制角，常用a表示；而在wt1~p間可控硅導(dǎo)通，這一范圍稱為導(dǎo)通角，常用j表示。同理在正弦...

可控硅模塊的作用主要體驗(yàn)在電路中，在電路中經(jīng)常會(huì)見(jiàn)到可控硅模塊的身影，由此可見(jiàn)它的應(yīng)用是多么的強(qiáng)大，可控硅模塊的其中一個(gè)作用就是觸發(fā)電路，但是觸發(fā)電路時(shí)需要滿足三個(gè)必定條件，下面正高電氣帶您來(lái)看看這三個(gè)條件是什么？一、可控硅模塊觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖信號(hào)應(yīng)有足夠的功率和寬度為了使全部的元件在各種可能的工作條件下均能可靠的觸發(fā)，可控硅模塊觸發(fā)電路所送出的觸發(fā)電壓和電流，必須大于元件門(mén)極規(guī)定的觸發(fā)電壓UGT與觸發(fā)電流IGT的較大值，并且留有足夠的余量。另外，由于可控硅的觸發(fā)是有一個(gè)過(guò)程的，也就是可控硅觸發(fā)電路的導(dǎo)通需要一定的時(shí)間，不是一觸即通，只有當(dāng)可控硅的陽(yáng)極電流即主回路電流上升到可控硅的擎住電流I...

是把兩個(gè)可控硅反接在一起畫(huà)成的，它的型號(hào)，在我國(guó)一般用“3CTS”或“KS”表示；國(guó)外的資料也有用“TRIAC”來(lái)表示的。雙向可控硅的規(guī)格、型號(hào)、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同，但其電極引腳多數(shù)是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時(shí)，電極引腳向下，面對(duì)標(biāo)有字符的一面)。市場(chǎng)上*常見(jiàn)的幾種塑封外形結(jié)構(gòu)雙向可控硅的外形及電極引腳排列。關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí)，在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移。當(dāng)負(fù)載電流過(guò)零時(shí)，雙向可控硅（晶閘管）開(kāi)始換向，但由于相移的關(guān)系，電壓將不會(huì)是零。所以要求可控硅（晶閘管）要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓。如果這時(shí)換向電壓的變化超過(guò)允許值時(shí)，就沒(méi)...

相當(dāng)廣50Hz正弦波的18電角度。二、觸發(fā)脈沖的型式要有助于可控硅觸模塊發(fā)電路導(dǎo)通時(shí)間的一致性對(duì)于可控硅串并聯(lián)電路，要求并聯(lián)或者串聯(lián)的元件要同一時(shí)刻導(dǎo)通，使兩個(gè)管子中流過(guò)的電流及或承受的電壓及相同。否則，由于元件特性的分散性，在并聯(lián)電路中使導(dǎo)通較早的元件超出允許范圍，在串聯(lián)電路中使導(dǎo)通較晚的元件超出允許范圍而被損壞，所以，針對(duì)上述問(wèn)題，通常采取強(qiáng)觸發(fā)措施，使并聯(lián)或者串聯(lián)的可控硅盡量在同一時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通。三、觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖要有足夠的移相范圍并且要與主回路電源同步為了保證可控硅變流裝置能在給定的控制范圍內(nèi)工作，必須使觸發(fā)脈沖能在相應(yīng)的范圍內(nèi)進(jìn)行移相。同時(shí)，無(wú)論是在可控整流、有源逆變還是在交流調(diào)壓的...

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式的應(yīng)用較多。可控硅有三個(gè)電極----陽(yáng)極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)。從圖表-26中可以看到，可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅為什么其有...

泄放保護(hù)電阻R1用1W金屬膜電阻或線繞電阻外，其余元器件均為普通型。電阻為1/8W；電解電容的耐壓值取10V－16V，C1取值范圍為－lu之間；穩(wěn)壓管VD9為5V－6V/1W,可選用ZCW104（舊型號(hào)為ZCW21B）硅穩(wěn)壓管；VS1－VS3為1A/400V小型塑封雙向晶閘管，可選用MAC94A4型或MAC97A6型；L為電抗器，可以自制，亦可采用原調(diào)速器中的電抗器；SB1－SB4為輕觸型按鍵開(kāi)關(guān)（也叫微動(dòng)或點(diǎn)動(dòng)開(kāi)關(guān)），有條件的可采用導(dǎo)電橡膠組合按鍵開(kāi)關(guān)。電路焊接無(wú)誤，一般不用調(diào)試就能工作。改裝方法該電路對(duì)所有普通風(fēng)扇都能進(jìn)行改裝。將焊接好的電路板裝進(jìn)合適的塑料肥皂盒或原調(diào)速器盒中，將原分線器...

其閘流特性表現(xiàn)為當(dāng)可控硅加上正向陽(yáng)極電壓的同時(shí)又加上適當(dāng)?shù)恼蚩刂齐妷簳r(shí)，可控硅就導(dǎo)通；這一導(dǎo)通即使在撤去門(mén)極控制電壓后仍將維持，一直到加上反向陽(yáng)極電壓或陽(yáng)極電流小于可控硅自身的維持電流后才關(guān)斷。普通的可控硅調(diào)光器就是利用可控硅的這一特性實(shí)現(xiàn)前沿觸發(fā)相控調(diào)壓的。在正弦波交流電過(guò)零后的某一時(shí)刻t1（或某一相位角wt1），在可控硅控制極上加一觸發(fā)脈沖，使可控硅導(dǎo)通，根據(jù)前面介紹過(guò)的可控硅開(kāi)關(guān)特性，這一導(dǎo)通將維持到正弦波正半周結(jié)束。因此在正弦波的正半周（即0~p區(qū)間）中，0~wt1范圍可控硅不導(dǎo)通，這一范圍稱為控制角，常用a表示；而在wt1~p間可控硅導(dǎo)通，這一范圍稱為導(dǎo)通角，常用j表示。同理在正弦...

泄放保護(hù)電阻R1用1W金屬膜電阻或線繞電阻外，其余元器件均為普通型。電阻為1/8W；電解電容的耐壓值取10V－16V，C1取值范圍為－lu之間；穩(wěn)壓管VD9為5V－6V/1W,可選用ZCW104（舊型號(hào)為ZCW21B）硅穩(wěn)壓管；VS1－VS3為1A/400V小型塑封雙向晶閘管，可選用MAC94A4型或MAC97A6型；L為電抗器，可以自制，亦可采用原調(diào)速器中的電抗器；SB1－SB4為輕觸型按鍵開(kāi)關(guān)（也叫微動(dòng)或點(diǎn)動(dòng)開(kāi)關(guān)），有條件的可采用導(dǎo)電橡膠組合按鍵開(kāi)關(guān)。電路焊接無(wú)誤，一般不用調(diào)試就能工作。改裝方法該電路對(duì)所有普通風(fēng)扇都能進(jìn)行改裝。將焊接好的電路板裝進(jìn)合適的塑料肥皂盒或原調(diào)速器盒中，將原分線器...

增加電力網(wǎng)的穩(wěn)定，然后由逆變器將直流高壓逆變?yōu)?0HZ三相交流。直流——交流中頻加熱和交流電動(dòng)機(jī)的變頻調(diào)速、串激調(diào)速等變頻，交流——頻率可變交流四、斬波調(diào)壓（脈沖調(diào)壓）斬波調(diào)壓是直流——可變直流之間的變換，用在城市電車、電氣機(jī)車、電瓶搬運(yùn)車、鏟車（叉車）、電氣汽車等，高頻電源用于電火花加工。五、無(wú)觸點(diǎn)功率靜態(tài)開(kāi)關(guān)（固態(tài)開(kāi)關(guān)）作為功率開(kāi)關(guān)元件，代替接觸器、繼電器用于開(kāi)關(guān)頻率很高的場(chǎng)合晶閘管導(dǎo)通條件：晶閘管加上正向陽(yáng)極電壓后，門(mén)極加上適當(dāng)正向門(mén)極電壓，使晶閘管導(dǎo)通過(guò)程稱為觸發(fā)。晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通后，門(mén)極就對(duì)它失去控制作用，通常在門(mén)極上只要加上一個(gè)正向脈沖電壓即可，稱為觸發(fā)電壓。門(mén)極在一定條件下可以...

現(xiàn)代照明設(shè)計(jì)要求規(guī)定，照明系統(tǒng)中的功率因數(shù)必須達(dá)到，而氣體放電燈的功率因數(shù)在一般在，所以都設(shè)計(jì)用電容補(bǔ)償功率因數(shù)）在國(guó)外發(fā)達(dá)國(guó)家，已有明文規(guī)定對(duì)電氣設(shè)備諧波含量的限制，在國(guó)內(nèi)，北京、上海、廣州等大城市，已對(duì)諧波含量超標(biāo)的設(shè)備限制并入電網(wǎng)使用。采用可控硅技術(shù)對(duì)照明系統(tǒng)進(jìn)行照度控制時(shí)，可通過(guò)加裝濾波設(shè)備來(lái)有效降低諧波污染。近年來(lái)，許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等。應(yīng)用介紹------可控硅在調(diào)光器中的應(yīng)用：可控硅調(diào)光器是目前舞臺(tái)照明、環(huán)境照明領(lǐng)域的主流設(shè)備。在照明系...

D1、D2整流，C2濾波，DW穩(wěn)壓后，獲得9V左右的電壓供IC用。室溫下接通電源，因已調(diào)V2《Vz、V6《Vf，IC③腳為高電位，BCR被觸發(fā)導(dǎo)通，電熱絲通電發(fā)熱，溫度逐漸升高。熱敏傳感器BG1隨溫度的升高，其穿透電流Iceo增大，V2、V6升高。當(dāng)V2》Vz，V6≥Vf時(shí)，IC翻轉(zhuǎn)，③腳變?yōu)榈碗娢唬珺CR截止郵電局熱絲停止發(fā)熱，溫度開(kāi)始逐漸下降，BG1的Iceo隨之逐漸減小，V2、V6降低。當(dāng)V6《Vf，V2≤Vz時(shí)，IC③腳回到高電位，BCR又被觸發(fā)導(dǎo)通，電熱絲又開(kāi)始發(fā)熱。實(shí)踐證明，調(diào)節(jié)RP2使V2=1/2V6時(shí)，溫差為零；而V2=V6時(shí)大。元件選擇：BG1可選用3AX、3AG等PNP型鍺...

可控硅模塊觸發(fā)電路時(shí)需要滿足的必定要求可控硅模塊的作用主要體驗(yàn)在電路中，在電路中經(jīng)常會(huì)見(jiàn)到可控硅模塊的身影，由此可見(jiàn)它的應(yīng)用是多么的強(qiáng)大，可控硅模塊的其中一個(gè)作用就是觸發(fā)電路，但是觸發(fā)電路時(shí)需要滿足三個(gè)必定條件，下面正高電氣帶您來(lái)看看這三個(gè)條件是什么？一、可控硅模塊觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖信號(hào)應(yīng)有足夠的功率和寬度為了使全部的元件在各種可能的工作條件下均能可靠的觸發(fā)，可控硅模塊觸發(fā)電路所送出的觸發(fā)電壓和電流，必須大于元件門(mén)極規(guī)定的觸發(fā)電壓UGT與觸發(fā)電流IGT的較大值，并且留有足夠的余量。另外，由于可控硅的觸發(fā)是有一個(gè)過(guò)程的，也就是可控硅觸發(fā)電路的導(dǎo)通需要一定的時(shí)間，不是一觸即通，只有當(dāng)可控硅的陽(yáng)極電...

晶閘管集成智能模塊使用簡(jiǎn)介：1.晶閘管智能模塊的應(yīng)用領(lǐng)域該智能模塊廣泛應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合，如工業(yè)、通訊等各類電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過(guò)模塊的控制端口與多功能控制板連接，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能，并可實(shí)現(xiàn)過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)溫、缺相等保護(hù)功能。2.晶閘管智能模塊的控制方式通過(guò)輸入模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào)，通過(guò)調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通的過(guò)程。電壓或電流信號(hào)可取自各種控制儀表、計(jì)算機(jī)D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種...

觸發(fā)脈沖的型式要有助于可控硅觸模塊發(fā)電路導(dǎo)通時(shí)間的一致性對(duì)于可控硅串并聯(lián)電路，要求并聯(lián)或者串聯(lián)的元件要同一時(shí)刻導(dǎo)通，使兩個(gè)管子中流過(guò)的電流及或承受的電壓及相同。否則，由于元件特性的分散性，在并聯(lián)電路中使導(dǎo)通較早的元件超出允許范圍，在串聯(lián)電路中使導(dǎo)通較晚的元件超出允許范圍而被損壞，所以，針對(duì)上述問(wèn)題，通常采取強(qiáng)觸發(fā)措施，使并聯(lián)或者串聯(lián)的可控硅盡量在同一時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通。觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖要有足夠的移相范圍并且要與主回路電源同步為了保證可控硅變流裝置能在給定的控制范圍內(nèi)工作，必須使觸發(fā)脈沖能在相應(yīng)的范圍內(nèi)進(jìn)行移相。同時(shí)，無(wú)論是在可控整流、有源逆變還是在交流調(diào)壓的觸發(fā)電路中，為了使每—周波重復(fù)在相同位置上...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊。早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)所用模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(...

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種）。螺旋式的應(yīng)用較多。可控硅有三個(gè)電極----陽(yáng)極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)。從圖表-26中可以看到，可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅為什么其...

可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)的快速接通或切斷；實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣，有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。目前可控硅在自動(dòng)控制、機(jī)電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用。可控硅從外形上區(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應(yīng)用較多。可控硅工作原理解析可控硅結(jié)構(gòu)原件可控...

淄博正高電氣有限公司的可控硅模塊一種晶閘管模塊組件。能解決現(xiàn)有的晶閘管組件存在的問(wèn)題。包括散熱單元、晶閘管電路單元、絕緣單元，散熱單元包括下散熱器、上散熱器、緊固螺栓；晶閘管電路單元包括下電極、芯片、第二陰極壓塊、陰極壓塊、導(dǎo)電塊、第二芯片、第二導(dǎo)電塊、上電極；絕緣單元包括絕緣膠體、絕緣殼體、絕緣陶瓷、絕緣套管、絕緣件，絕緣膠體包裹在自導(dǎo)電塊及第二導(dǎo)電塊中下部開(kāi)始經(jīng)過(guò)陰極壓塊、第二芯片、芯片、第二陰極壓塊、下電極至下散熱器上，絕緣膠體橫向外側(cè)由絕緣殼體包裹，下電極與下散熱器之間的縫隙由絕緣陶瓷填充，下電極的左側(cè)通過(guò)絕緣件隔離，緊固螺栓外側(cè)套接所述絕緣套管。結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單新穎，操作及使用方便且實(shí)用性強(qiáng)...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊（semiconductormodule）。早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)所用模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊...

當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào)，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大，BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過(guò)程是“一觸即發(fā)”的過(guò)程，對(duì)可控硅來(lái)說(shuō)，觸發(fā)信號(hào)加入控制極，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能。可控硅模塊一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過(guò)BG1...

壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區(qū)別？可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結(jié)構(gòu)也十分的緊湊，對(duì)于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說(shuō)壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細(xì)的進(jìn)行區(qū)分一下。①?gòu)碾娏鞣矫鎭?lái)講，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時(shí)壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時(shí)也有壓接式的。可控硅模塊②從外形方面來(lái)講，焊接式的可控硅模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn)，焊接式...

壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區(qū)別？可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結(jié)構(gòu)也十分的緊湊，對(duì)于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說(shuō)壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細(xì)的進(jìn)行區(qū)分一下。①?gòu)碾娏鞣矫鎭?lái)講，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時(shí)壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時(shí)也有壓接式的。可控硅模塊②從外形方面來(lái)講，焊接式的可控硅模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn)，焊接式...

晶閘管智能模塊的應(yīng)用領(lǐng)域該智能模塊廣泛應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合，如工業(yè)、通訊、部對(duì)所用等各類電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過(guò)模塊的控制端口與多功能控制板連接，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能，并可實(shí)現(xiàn)過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)溫、缺相等保護(hù)功能。晶閘管智能模塊的控制方式通過(guò)輸入模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào)，通過(guò)調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通的過(guò)程。電壓或電流信號(hào)可取自各種控制儀表、計(jì)算機(jī)D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法；控制信號(hào)采用0～5V...

可控硅模塊又叫晶閘管。自從20世紀(jì)50年代問(wèn)世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等。大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極：層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷P(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。用萬(wàn)用表可以區(qū)分可控硅模塊的三個(gè)電極普通晶閘管的三個(gè)電極可以用萬(wàn)用表歐姆擋R100擋...

晶閘管的主要工作原理及特性為了能夠直觀地認(rèn)識(shí)晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來(lái)，通過(guò)開(kāi)關(guān)S接在直流電源上。注意陽(yáng)極A是接電源的正極，陰極K接電源的負(fù)極，控制極G通過(guò)按鈕開(kāi)關(guān)SB接在3V直流電源的正極(這里使用的是KP5型晶閘管，若采用KP1型，應(yīng)接在)。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接，也就是說(shuō)，給晶閘管陽(yáng)極和控制極所加的都是正向電壓。現(xiàn)在我們合上電源開(kāi)關(guān)S，小燈泡不亮，說(shuō)明晶閘管沒(méi)有導(dǎo)通；再按一下按鈕開(kāi)關(guān)SB，給控制極輸入一個(gè)觸發(fā)電壓，小燈泡亮了，說(shuō)明晶閘管導(dǎo)通了。這個(gè)演示實(shí)驗(yàn)給了我們什么啟發(fā)呢?圖3這個(gè)實(shí)驗(yàn)告訴我們，要使晶閘管導(dǎo)通，一是在它的陽(yáng)極A與...

常把交流電的半個(gè)周期定為180，稱為電角度。這樣，在U2的每個(gè)正半周，從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯，α和θ都是用來(lái)表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流。在橋式整流電路中，把二極管都換成晶閘管是不是就成了可控整流電路了呢？在橋式整流電路中，只需要把兩個(gè)二極管換成晶閘管就能構(gòu)成全波可控整流電路了。現(xiàn)在畫(huà)出電路圖和波形圖，就能看明白了。晶閘管控制極所需的觸發(fā)脈沖是怎么產(chǎn)生的呢？晶閘管觸發(fā)電路的形式很多，常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路...