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壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區(qū)別？可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結構也十分的緊湊，對于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細的進行區(qū)分一下。①從電流方面來講，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時壓接式模塊的電流就能夠達到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時也有壓接式的。可控硅模塊②從外形方面來講，焊接式的可控硅模塊遠遠沒有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術十分的標準，焊接式...

可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結構也十分的緊湊，對于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細的進行區(qū)分一下。①從電流方面來講，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時壓接式模塊的電流就能夠達到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時也有壓接式的。可控硅模塊②從外形方面來講，焊接式的可控硅模塊遠遠沒有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術十分的標準，焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡，但是在使...

BG集電極電平升高，SCR即開通，所以彩燈能隨室內收錄機播出的音樂節(jié)奏而閃爍發(fā)光。W可用來調節(jié)聲控靈敏度，W由大調小時，聲控靈敏度愈高，但W過小時，電燈常亮，這時就失去聲控作用，使用調試時，將W由大逐漸調小至某一阻值時，電燈即點亮，再將W退回少許（即稍微調大），電燈就熄滅，這時聲控靈敏度高，離HTD二三米遠處普通談話聲就能使彩燈閃爍。如嫌靈敏度太高，只要將W調大些即可，電燈長亮不熄，表示BG的放大倍數(shù)β值過小，應更換β大些的三極管。電阻均為1/8W碳膜電阻。7：簡易延時照明燈本文介紹的這種延時照明燈非常簡單，安裝也十分方便，將它直接連接于普通開關的兩端即可。使用時，打開開關電燈點亮，關燈后由于...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊（semiconductormodule）。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機所用模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊...

1、晶閘管智能模塊的應用領域該智能模塊廣泛應用于控溫、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調整和變換的場合，如工業(yè)、通訊、部對所用等各類電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過模塊的控制端口與多功能控制板連接，實現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功能，并可實現(xiàn)過流、過壓、過溫、缺相等保護功能。2、晶閘管智能模塊的控制方式通過輸入模塊控制接口一個可調的電壓或者電流信號，通過調整該信號的大小即可對模塊的輸出電壓大小進行平滑調節(jié)，實現(xiàn)模塊輸出電壓從0V至任一點或全部導通的過程。電壓或電流信號可取自各種控制儀表、計算機D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法；控制信號采用...

1可控硅模塊是有PNPN四層半導體構成的元件，有三個電極，陽極a，陰極K和控制機G所構成的。21、可控硅模塊的應用領域模塊應用詳細說明介紹：可控硅模塊應用于控溫、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調整和變換的場合，如工業(yè)、通訊、部對所用等各類電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功能，并可實現(xiàn)過流、過壓、過溫、缺相等保護功能。32、可控硅模塊的控制方式：通過輸入可控硅模塊控制接口一個可調的電壓或者電流信號，通過調整該信號的大小即可對可控硅模塊的輸出電壓大小進行平滑調節(jié)，實現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓...

可控硅模塊的作用主要體驗在電路中，在電路中經(jīng)常會見到可控硅模塊的身影，由此可見它的應用是多么的強大，可控硅模塊的其中一個作用就是觸發(fā)電路，但是觸發(fā)電路時需要滿足三個必定條件，下面正高電氣帶您來看看這三個條件是什么？一、可控硅模塊觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖信號應有足夠的功率和寬度為了使全部的元件在各種可能的工作條件下均能可靠的觸發(fā)，可控硅模塊觸發(fā)電路所送出的觸發(fā)電壓和電流，必須大于元件門極規(guī)定的觸發(fā)電壓UGT與觸發(fā)電流IGT的較大值，并且留有足夠的余量。另外，由于可控硅的觸發(fā)是有一個過程的，也就是可控硅觸發(fā)電路的導通需要一定的時間，不是一觸即通，只有當可控硅的陽極電流即主回路電流上升到可控硅的擎住電流I...

因此負載獲得較少的電功率。這個典型的電功率無級調整電路在日常生活中有很多電氣產品中都應用它。可控硅主要參數(shù)有：1、額定通態(tài)平均電流在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。3、反向陰斷峰值電壓當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態(tài)時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。4、控制極觸發(fā)電流在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加一定電壓，使可控硅從關斷狀態(tài)轉為...

可控硅模塊是有PNPN四層半導體構成的元件，有三個電極，陽極a，陰極K和控制機G所構成的。21、可控硅模塊的應用領域模塊應用詳細說明介紹：可控硅模塊應用于控溫、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調整和變換的場合，如工業(yè)、通訊、部對所用等各類電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功能，并可實現(xiàn)過流、過壓、過溫、缺相等保護功能。32、可控硅模塊的控制方式：通過輸入可控硅模塊控制接口一個可調的電壓或者電流信號，通過調整該信號的大小即可對可控硅模塊的輸出電壓大小進行平滑調節(jié)，實現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從...

當電容C被充足電后，使三極管V由截止轉為導通狀態(tài)，將可控硅SCR關斷，電燈也就熄滅了。本電路關燈延時期間，延時時間由R1、C的取值來確定，讀者也可根據(jù)各自需要自行確定。本電路中的可控硅，筆者選用的為單向可控硅，在關燈延時期間電燈的亮度約為開燈時亮度的一半，以適合人們的視覺上的需要，同時又可節(jié)能。電路制作：圖中單向可控硅SCR選用MCR100－8，耐壓須為600V以上。燈泡的功率不大于100W為宜。二極管VD為1N4007，V為C1815。電阻均為1／8W碳膜電阻。制作時，用一小塊電路板將圖中虛線框內各元器件焊裝上。好將本電路裝在拉線開關底部凹槽內，用膠水粘牢并將引線接至開關兩接線端即可。8：單...

可控硅從外形主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應用較多。可控硅有三個電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看...

晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大，且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當陽極電壓升到足夠大時，會使晶閘管導通，稱為正向轉折或“硬開通”。多次硬開通會損壞管子。2．晶閘管加上正向陽極電壓后，還必須加上觸發(fā)電壓，并產生足夠的觸發(fā)電流，才能使晶閘管從阻斷轉為導通。觸發(fā)電流不夠時，管子不會導通，但此時正向漏電流隨著增大而增大。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關斷和導通兩個狀態(tài)，沒有中間狀態(tài)，具有雙穩(wěn)開關特性。是一種理想的無觸點功率開關元件。3．晶閘管一旦觸發(fā)導通，門極完全失去控制作用。要關斷晶閘管，必須使陽極電流《維持電流，對于電阻負載，只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關斷，通常在管...

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種）。螺旋式的應用較多。可控硅有三個電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。其結構示意圖和符號。從圖表-26中可以看到，可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅為什么其...

當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號，BG1將產生基極電流Ib1，經(jīng)放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。■可控硅模塊一經(jīng)觸發(fā)導通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG...

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式的應用較多。可控硅有三個電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。其結構示意圖和符號。從圖表-26中可以看到，可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅為什么其有...

確定了不同型號的產品所應該配備的散熱器型號，推薦采用廠家配套的散熱器和風機，用戶自備時按以下原則選取：1、軸流風機的風速應大于6m/s；2、必須能保證模塊正常工作時散熱底板溫度不大于80℃；3、模塊負載較輕時，可減小散熱器的大小或采用自然冷卻；4、采用自然方式冷卻時散熱器周圍的空氣能實現(xiàn)對流并適當增大散熱器面積；5、所有緊固模塊的螺釘必須擰緊，壓線端子連接牢固，以減少次生熱量的產生，模塊底板和散熱器之間必須要涂敷一層導熱硅脂或墊上一片底板大小的導熱墊，以達到佳散熱效果。8、模塊的安裝與維護（1）在模塊導熱底板表面與散熱器表面各均勻涂覆一層導熱硅脂，然后用四個螺釘把模塊固定于散熱器上，固定螺釘不...

可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統(tǒng)、調功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了的應用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負脈沖）可使其正向（或反向）導通。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極...

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種）。螺旋式的應用較多。可控硅有三個電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。其結構示意圖和符號。從圖表-26中可以看到，可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅為什么其...

一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。我們可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。可畫出圖1的等效電路圖。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓E，又在控制極G和陰極C之間（相當BG2的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號，BG2將產生基極電流Ib2，經(jīng)放大，BG2將有一個放大了β2倍的集電極電流IC2。因為BG2集電極與BG1基極相連，IC2又是BG1的基極電流Ib1。BG1又把Ib1（Ib2）放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2...

可控硅是可控硅整流器的簡稱。可控硅有單向、雙向、可關斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優(yōu)點，被用于可控整流、調壓、逆變以及無觸點開關等各種自動控制和大功率的電能轉換的場合。單向可控硅是一種可控整流電子元件，能在外部控制信號作用下由關斷變?yōu)閷ǎ坏ǎ獠啃盘柧蜔o法使其關斷，只能靠去除負載或降低其兩端電壓使其關斷。單向可控硅是由三個PN結PNPN組成的四層三端半導體器件與具有一個PN結的二極管相比，單向可控硅正向導通受控制極電流控制；與具有兩個PN結的三極管相比，差別在于可控硅對控制極電流沒有放大作用。可控硅導通條件：一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓，二...

可控硅又稱晶閘管（晶體閘流管），是一種常用的功率型半導體器件，其主要的功能是功率控制。可控硅可分為單向可控硅、雙向可控硅、可關斷可控硅等。可控硅的特點是具有可控的單向導電性，以小電流控制大電流，以低電壓控制高電壓。可控硅可以用萬用表進行檢測。一、檢測單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結構，形成3個PN結，具有3個外電極：陽極A、陰極K、控制極G。單向可控硅的引腳如下圖所示。檢測時，萬用表置于“Rx10Ω”檔，黑表筆（表內電池正極）接單向可控硅的控制極G，紅表筆（表內電池負極）接單向可控硅的陰極K，這時測量的是單向可控硅PN結的正向電阻，應有較小的阻值。如下圖所示。對調兩表筆后，測其反向電阻，應...

因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導通。此時觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維...

如1N5233、2CW21C等型號。L可用電風扇機械調速器中的電抗器，一般機械調速器有5擋轉速，現(xiàn)只有3擋，所以要空出線圈2個抽頭不用。C3要求采用CBB/3-400V型聚丙烯電容器。MAC97A6的技術參數(shù)產品型號:MAC97A6雙向可控硅斷態(tài)重復峰值電壓VDRM(Max)(V):400反向重復峰值電壓VRRM(Max)(V):400額定正向平均電流IF(Max)(A):6額定電流小于1安培控制功率小于60瓦以下門極觸發(fā)電流IGT(Max)(mA):7門極觸發(fā)電壓VGT(Max)(V):(℃):3TO92/-40~110價格/1片(套):￥：雙向可控硅的工作原理1.可控硅是P1N1P2N2四...

常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內晶閘管導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現(xiàn)了可控整流。五、在橋式整流電路中，把二極管都換成晶閘管是不是就成了可控整流電路了呢?在橋式整流電路中，只需要把兩個二極管換成晶閘管就能構成全波可控整流電路了。現(xiàn)在畫出電路圖和波形圖(圖5)，就能看明白了。六、晶閘管控制極所需的觸發(fā)脈沖是怎么產生的呢?晶閘管觸發(fā)電路的形式很多...

當電容C被充足電后，使三極管V由截止轉為導通狀態(tài)，將可控硅SCR關斷，電燈也就熄滅了。本電路關燈延時期間，延時時間由R1、C的取值來確定，讀者也可根據(jù)各自需要自行確定。本電路中的可控硅，筆者選用的為單向可控硅，在關燈延時期間電燈的亮度約為開燈時亮度的一半，以適合人們的視覺上的需要，同時又可節(jié)能。電路制作：圖中單向可控硅SCR選用MCR100－8，耐壓須為600V以上。燈泡的功率不大于100W為宜。二極管VD為1N4007，V為C1815。電阻均為1／8W碳膜電阻。制作時，用一小塊電路板將圖中虛線框內各元器件焊裝上。好將本電路裝在拉線開關底部凹槽內，用膠水粘牢并將引線接至開關兩接線端即可。8：單...

好在其回路中分別串入一個300Ω的限流電阻。（3）調整時，改變R1、R2或C1、C2的大小，則可直接控制彩燈相互變化的快慢節(jié)奏。（4）如雙向晶閘管VS1、VS2用3A/400V，好負載功率在300W以下，切忌不可超過高限額500W。如想增大功率，可選用電流大于3A的晶閘管，但C1的容量還需增加。如原用μ/400V可換成～1μ/400V即可。（5）本裝置采用塑料作外殼，以避免市電源對人的觸電，這樣更為安全。11：可控硅交流調壓器交流調壓器采用可控硅調壓器。電路簡單、裝置容易、控制方便的可控硅交流調壓器，這可用作家用電器的調壓裝置，進行照明燈調光，電風扇調速、電熨斗調溫等控制。本活動調壓器的輸出功...

鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據(jù)P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測...

可控硅模塊是有PNPN四層半導體構成的元件，有三個電極，陽極a，陰極K和控制機G所構成的。21、可控硅模塊的應用領域模塊應用詳細說明介紹：可控硅模塊應用于控溫、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調整和變換的場合，如工業(yè)、通訊等各類電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功能，并可實現(xiàn)過流、過壓、過溫、缺相等保護功能。32、可控硅模塊的控制方式：通過輸入可控硅模塊控制接口一個可調的電壓或者電流信號，通過調整該信號的大小即可對可控硅模塊的輸出電壓大小進行平滑調節(jié)，實現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至任一...

面板上所有發(fā)光二極管VD1－VD8均不亮，電風扇不轉。若這時每按動一次風速選擇鍵SB3，可依次從IC的11－13腳輸出控制電平（脈沖信號），經(jīng)發(fā)光管VDl－VD3和限流電阻R2－R4，分別觸發(fā)雙向晶閘管VS1－VS3的G極，用以控制它的導通與截止，再經(jīng)電抗器L進行阻抗變換，即可按強風、中風、弱風、強風……的順序來改變其工作狀態(tài)，并且風速指示管VD1－VD3（紅色）對應點亮或熄滅；當按風型選擇鍵SB4，電風扇即按連續(xù)風（常風）、陣風（模擬自然風）、連續(xù)風……的方式循環(huán)改變其工作狀態(tài)，在連續(xù)風狀態(tài)下，風型指示管VD4（黃色）熄滅，在陣風狀態(tài)下，VD4閃光；當按動定時時間選擇鍵SB2，定時指示管VD...

擴散P型雜質，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上只選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調整PN結面積的腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩(wěn)定性好和壽命長的類型。初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。公司秉承以‘技術為、品質為生命、誠信經(jīng)營’的理念為廣大客戶提供優(yōu)良的產品及完善服務，以‘晶佰源’自主品牌在國內外半導體功率器件市場建立影響力，與時俱進、開拓創(chuàng)新、不斷推進企業(yè)的規(guī)模化、科技化建設...