工藝、層疊和阻抗信息確認（1）與客戶確認阻抗類型，常見阻抗類型如下：常規阻抗：單端50歐姆，差分100歐姆。特殊阻抗：射頻線單端50歐姆、75歐姆隔層參考，USB接口差分90歐姆，RS485串口差分120歐姆。（2）傳遞《PCBLayout業務資料及要求》中的工藝要求、層疊排布信息和阻抗要求至工藝工程師，由工藝工程師生成《PCB加工工藝要求說明書》，基于以下幾點進行說明：信號層夾在電源層和地層之間時,信號層靠近地層。差分間距≤2倍線寬。相鄰信號層間距拉大。阻抗線所在的層號。（3）檢查《PCB加工工藝要求說明書》信息是否有遺漏，錯誤，核對無誤后再與客戶進行確認。如何梳理PCB設計布局模塊框圖？宜昌高效PCB設計規范

ADC/DAC電路：（4）隔離處理：隔離腔體應做開窗處理、方便焊接屏蔽殼，在屏蔽腔體上設計兩排開窗過孔屏蔽，過孔應相互錯開，同排過孔間距為150Mil。，在腔體的拐角處應設計3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼，隔離腔體內的器件與屏蔽殼的間距＞0.5mm。如圖6-1-2-4所示。腔體的周邊為密封的，接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結構；而腔體內部不同模塊之間可以采用微帶線的結構，這樣內部的屏蔽腔采用開槽處理，開槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。（5）布線原則1、首先參考射頻信號的處理原則。2、嚴格按照原理圖的順序進行ADC和DAC前端電路布線。3、空間允許的情況下，模擬信號采用包地處理，包地要間隔≥200Mil打地過孔4、ADC和DAC電源管腳比較好經過電容再到電源管腳，線寬≥20Mil，對于管腳比較細的器件，出線寬度與管腳寬度一致。5、模擬信號優先采用器件面直接走線，線寬≥10Mil，對50歐姆單端線、100歐姆差分信號要采用隔層參考，在保證阻抗的同時，以降低模擬輸入信號的衰減損耗，6、不同ADC/DAC器件的采樣時鐘彼此之間需要做等長處理。7、當信號線必須要跨分割時，跨接點選擇在跨接磁珠（或者0歐姆電阻）處。宜昌高效PCB設計怎么樣PCB設計中存儲器有哪些分類？

放置固定結構件（1）各固定器件坐標、方向、1腳位置、頂底層放置與結構圖固定件完全一致，并將器件按照結構圖形對應放置。（2）當有如下列情形時，需將問題描述清楚并記錄到《項目設計溝通記錄》中，同時郵件通知客戶修改確認。結構圖形與部分管腳不能完全重合；結構圖形1腳標識與封裝1腳焊盤指示不符；結構圖形指示孔徑與封裝孔徑不符；文字描述、標注尺寸等和結構圖實際不一致；其他有疑問的地方。（3）安裝孔坐標、孔徑、頂底層與結構圖完全一致。（4）安裝孔、定位孔為NPTH且保留焊環時，焊環離孔距離8Mil以上，焊盤單邊比孔大33mil（5）固定結構件放置完畢后，對器件賦予不可移動屬性。（6）在孔符層進行尺寸標注，標注單位為公制（mm），精度小數點后2位，尺寸公差根據客戶結構圖要求。（7）工藝邊或者拼版如使用V-CUT，需進行標注。（8）如設計過程中更改結構，按照結構重新繪制板框、繪制結構特殊區域和放置固定構件?？蛻魺o具體的結構要求時，應根據情況記錄到《項目設計溝通記錄》中。（9）子卡、母卡對插/扣設計

整板扇出（1）對板上已處理的表層線和過孔按照規則進行相應的調整。（2）格點優先選用25Mil的，其次采用5Mil格點，過孔扇出在格點上，相同器件過孔走線采用復制方式，保證過孔上下左右對齊、常見分立器件的扇出形式（3）8MIL過孔中心間距35MIL以上，10MIL過孔中心間距40MIL以上，以免將平面層隔斷；差分過孔間距一般為30Mil（或過孔邊緣距為8Mil）。（4）芯片電源管腳先過電容再打過孔（5）所有電源/地管腳就近打孔，高速差分過孔附近30-50Mil內加回流地孔，模塊內通過表層線直連，無法連接的打過孔處理。（6）電源輸出過孔打在輸出濾波電容之后，電源輸入過孔扇出在輸入濾波電容之前，過孔數目滿足電源載流要求，過孔通流能力參照，地孔數不少于電源過孔數。疊層方案子流程以及規則設置。

繪制各禁止布局、布線、限高、亮銅、挖空、銑切、開槽、厚度削邊區域大小，形狀與結構圖完全一致，所在層由各EDA軟件確定。對以上相應區域設置如下特性：禁布區設置禁止布局、禁止布線屬性；限高區域設置對應高度限制屬性；亮銅區域鋪相應網絡屬性銅皮和加SolderMask；板卡金屬導軌按結構圖要求鋪銅皮和加SolderMask，距導軌內沿2mm范圍內，禁止布線、打孔、放置器件。挖空、銑切、開槽區域周邊0.5mm范圍增加禁止布局、布線區域，客戶有特殊要求除外。PCB設計的基礎流程是什么？鄂州正規PCB設計包括哪些

PCB設計中如何評估平面層數？宜昌高效PCB設計規范

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內存電氣性能更好，成本更低；DDR內存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數如下表所示。宜昌高效PCB設計規范

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