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恩施PCB設計怎么樣

來源: 發布時間:2023-03-08

ADC/DAC電路:(4)隔離處理:隔離腔體應做開窗處理、方便焊接屏蔽殼,在屏蔽腔體上設計兩排開窗過孔屏蔽,過孔應相互錯開,同排過孔間距為150Mil。,在腔體的拐角處應設計3mm的金屬化固定孔,保證其固定屏蔽殼,隔離腔體內的器件與屏蔽殼的間距>0.5mm。如圖6-1-2-4所示。腔體的周邊為密封的,接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結構;而腔體內部不同模塊之間可以采用微帶線的結構,這樣內部的屏蔽腔采用開槽處理,開槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。(5)布線原則1、首先參考射頻信號的處理原則。2、嚴格按照原理圖的順序進行ADC和DAC前端電路布線。3、空間允許的情況下,模擬信號采用包地處理,包地要間隔≥200Mil打地過孔4、ADC和DAC電源管腳比較好經過電容再到電源管腳,線寬≥20Mil,對于管腳比較細的器件,出線寬度與管腳寬度一致。5、模擬信號優先采用器件面直接走線,線寬≥10Mil,對50歐姆單端線、100歐姆差分信號要采用隔層參考,在保證阻抗的同時,以降低模擬輸入信號的衰減損耗,6、不同ADC/DAC器件的采樣時鐘彼此之間需要做等長處理。7、當信號線必須要跨分割時,跨接點選擇在跨接磁珠(或者0歐姆電阻)處。PCB設計常用規則之絲印調整。恩施PCB設計怎么樣

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調整器件字符的方法還有:“1”、“O”、△、或者其他符號要放在對應的1管腳處;對BGA器件用英文字母和阿拉伯數字構成的矩陣方式表示。帶極性器件要把“+”或其他標識放在正極旁;對于管腳較多的器件要每隔5個管腳或者收尾管腳都要標出管腳號(6)對于二極管正極標注的擺放需要特別注意:首先在原理圖中確認正極對應的管腳號(接高電壓),然后在PCB中,找到對應的管腳,將正極極性標識放在對應的管腳旁邊7)穩壓二級管是利用pn結反向擊穿狀態制成的二極管。所以正極標注放在接低電壓的管腳處。荊門高速PCB設計怎么樣整板布線的工藝技巧和規則。

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繪制各禁止布局、布線、限高、亮銅、挖空、銑切、開槽、厚度削邊區域大小,形狀與結構圖完全一致,所在層由各EDA軟件確定。對以上相應區域設置如下特性:禁布區設置禁止布局、禁止布線屬性;限高區域設置對應高度限制屬性;亮銅區域鋪相應網絡屬性銅皮和加SolderMask;板卡金屬導軌按結構圖要求鋪銅皮和加SolderMask,距導軌內沿2mm范圍內,禁止布線、打孔、放置器件。挖空、銑切、開槽區域周邊0.5mm范圍增加禁止布局、布線區域,客戶有特殊要求除外。

工藝方面注意事項(1)質量較大、體積較大的SMD器件不要兩面放置;(2)質量較大的元器件放在板的中心;(3)可調元器件的布局要方便調試(如跳線、可變電容、電位器等);(4)電解電容、鉭電容極性方向不超過2個;(5)SMD器件原點應在器件中心,布局過程中如發現異常,通知客戶或封裝工程師更新PCB封裝。布局子流程為:模塊布局→整體布局→層疊方案→規則設置→整板扇出。模塊布局模塊布局子流程:模塊劃分→主芯片放置并扇出→RLC電路放置→時鐘電路放置。常見模塊布局參考5典型電路設計指導。PCB設計中電氣方面的注意事項。

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DDR2模塊相對于DDR內存技術(有時稱為DDRI),DDRII內存可進行4bit預讀取。兩倍于標準DDR內存的2BIT預讀取,這就意味著,DDRII擁有兩倍于DDR的預讀系統命令數據的能力,因此,DDRII則簡單的獲得兩倍于DDR的完整的數據傳輸能力;DDR采用了支持2.5V電壓的SSTL-2電平標準,而DDRII采用了支持1.8V電壓的SSTL-18電平標準;DDR采用的是TSOP封裝,而DDRII采用的是FBGA封裝,相對于DDR,DDRII不僅獲得的更高的速度和更高的帶寬,而且在低功耗、低發熱量及電器穩定性方面有著更好的表現。DDRII內存技術比較大的突破點其實不在于用戶們所認為的兩倍于DDR的傳輸能力,而是在采用更低發熱量、更低功耗的情況下,DDRII可以獲得更快的頻率提升,突破標準DDR的400MHZ限制。PCB典型的電路設計指導。隨州常規PCB設計

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布局整體思路(1)整板器件布局整齊、緊湊;滿足“信號流向順暢,布線短”的原則;(2)不同類型的電路模塊分開擺放,相對、互不干擾;(3)相同模塊采用復制的方式相同布局;(4)預留器件扇出、通流能力、走線通道所需空間;(5)器件間距滿足《PCBLayout工藝參數》的參數要求;(6)當密集擺放時,小距離需大于《PCBLayout工藝參數》中的小器件間距要求;當與客戶的要求時,以客戶為準,并記錄到《項目設計溝通記錄》。(7)器件擺放完成后,逐條核實《PCBLayout業務資料及要求》中的布局要求,以確保布局滿足客戶要求。恩施PCB設計怎么樣

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