絲印調整，子流程：設置字符格式→調整器件字符→添加特殊字符→添加特殊絲印。設置字符格式，字符的寬度/高度：1/3盎司、1/2盎司（基銅）：4/23Mil(推薦設計成4/25Mil)；1盎司（基銅）：5/30Mil；2盎司(基銅)：6/45Mil；字高與字符線寬之比≥6:1。調整器件字符（1）字符與阻焊的間距≥6Mil。字符之間的距離≥6Mil，距離板邊≥10Mil；任何字符不能重疊且不能被元器件覆蓋。（2）絲印字符陰字線寬≥8mil；（3）字符只能有兩個方向，排列應遵循正視時位號的字母數字排序為從左到右，從下到上。（4）字符的位號要與器件一一對應，不能顛倒、變換順序，每個元器件上必須標出位號不可缺失，對于高密度板，可將位號標在PCB其他有空間的位置,用箭頭加圖框表示或者字符加圖框表示，如下圖所示。字符擺放完成后，逐個高亮器件，確認位號高亮順序和器件高亮順序一致。高頻元器件的間隔要充分。深圳什么是PCB培訓走線

PCB培訓課程通常從PCB基礎知識講解開始，介紹PCB的起源、發展歷程以及相關的物理原理。通過學習PCB的結構、材料以及層次設計，學員可以逐步了解不同類型的PCB及其特點，并能夠根據具體需求靈活設計和選擇適合的電路板。此外，PCB培訓還注重培養學員的實操能力，通過實際操作各種設計軟件和設備，讓學員親自設計和制作電路板。這樣的實踐環節不僅讓學員熟悉常用的PCB設計軟件，還能夠培養其解決實際問題的能力。還能夠培養其解決實際問題的能力。什么是PCB培訓廠家盡可能縮短高頻元器件之間的連接，設法減少他們的分布參數及和相互間的電磁干擾。

整體布局整體布局子流程：接口模塊擺放→中心芯片模塊擺放→電源模塊擺放→其它器件擺放◆接口模塊擺放接口模塊主要包括：常見接口模塊、電源接口模塊、射頻接口模塊、板間連接器模塊等。（1）常見接口模塊：常用外設接口有：USB、HDMI、RJ45、VGA、RS485、RS232等。按照信號流向將各接口模塊電路靠近其所對應的接口擺放，采用“先防護后濾波”的思路擺放接口保護器件，常用接口模塊參考5典型電路設計指導。（2）電源接口模塊：根據信號流向依次擺放保險絲、穩壓器件和濾波器件，按照附表4-8，留足夠的空間以滿足載流要求。高低電壓區域要留有足夠間距，參考附表4-8。（3）射頻接口模塊：靠近射頻接口擺放，留出安裝屏蔽罩的間距一般為2-3mm，器件離屏蔽罩間距至少0.5mm。具體擺放參考5典型電路設計指導。（5）連接器模塊：驅動芯片靠近連接器放置。

DDR的PCB布局、布線要求1、DDR數據信號線的拓撲結構，在布局時保證緊湊的布局，即控制器與DDR芯片緊湊布局，需要注意DDR數據信號是雙向的，串聯端接電阻放在中間可以同時兼顧數據讀/寫時良好的信號完整性。2、對于DDR信號數據信號DQ是參考選通信號DQS的，數據信號與選通信號是分組的；如8位數據DQ信號+1位數據掩碼DM信號+1位數據選通DQS信號組成一組，如是32位數據信號將分成4組，如是64位數據信號將分成8組，每組里面的所有信號在布局布線時要保持拓撲結構的一致性和長度上匹配，這樣才能保證良好的信號完整性和時序匹配關系，要保證過孔數目相同。數據線同組（DQS、DM、DQ[7:0]）組內等長為20Mil，不同組的等長范圍為200Mil，時鐘線和數據線的等長范圍≤1000Mil。時鐘線垂直于I/O線比平行I/O線干擾小，時鐘元件引腳需遠離I/O電纜。

導入網表（1）原理圖和PCB文件各自之一的設計，在原理圖中生成網表，并導入到新建PCBLayout文件中，確認網表導入過程中無錯誤提示，確保原理圖和PCB的一致性。（2）原理圖和PCB文件為工程文件的，把創建的PCB文件的放到工程中，執行更新網表操作。（3）將導入網表后的PCBLayout文件中所有器件無遺漏的全部平鋪放置，所有器件在PCBLAYOUT文件中可視范圍之內。（4）為確保原理圖和PCB的一致性，需與客戶確認軟件版本，設計時使用和客戶相同軟件版本。（5）不允許使用替代封裝，資料不齊全時暫停設計；如必須替代封裝，則替代封裝在絲印字符層寫上“替代”、字體大小和封裝體一樣。對A/D類器件，數字部分與模擬部分地線寧可統一也不要交*。湖北設計PCB培訓走線

在通常情況下，所有的元件均應布置在電路板的同一面上。深圳什么是PCB培訓走線

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內存電氣性能更好，成本更低；DDR內存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數如下表所示。深圳什么是PCB培訓走線