按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。晶體管按其結構及制造工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、**率晶體管和大功率晶體管。晶體管按工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管等。晶體管按封裝結構可分為金屬封裝（簡稱金封）晶體管、塑料封裝（簡稱塑封）晶體管、玻璃殼封裝（簡稱玻封）晶體管、表面封裝（片狀）晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形多種多樣。深圳市凱軒業科技致力于晶體管產品研發及方案設計，有需要可以聯系我司哦！北京達林頓晶體管

半導體三極管是內部含有兩個PN結，外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關等作用，應用十分常見。輸入級和輸出級都采用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管－晶體管邏輯電路，書刊和實用中都簡稱為TTL電路，它屬于半導體集成電路的一種，其中用得比較普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個晶體管和電阻元件組成的電路系統集中制造在一塊很小的硅片上，封裝成一個單獨的元件。半導體三極管是電路中應用比較常見的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號為“Q”、“GB”等）表示。北京達林頓晶體管晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件。

VB---反向峰值擊穿電壓Vc---整流輸入電壓VB2B1---基極間電壓VBE10---發射極與基極反向電壓VEB---飽和壓降VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）VF---正向壓降（正向直流電壓）△VF---正向壓降差VDRM---斷態重復峰值電壓VGT---門極觸發電壓VGD---門極不觸發電壓VGFM---門極正向峰值電壓VGRM---門極反向峰值電壓VF（AV）---正向平均電壓Vo---交流輸入電壓VOM---比較大輸出平均電壓Vop---工作電壓Vn---中心電壓Vp---峰點電壓VR---反向工作電壓（反向直流電壓）VRM---反向峰值電壓（比較高測試電壓）V（BR）---擊穿電壓Vth---閥電壓（門限電壓、死區電壓）VRRM---反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）VRWM---反向工作峰值電壓Vv---谷點電壓Vz---穩定電壓△Vz---穩壓范圍電壓增量Vs---通向電壓（信號電壓）或穩流管穩定電流電壓av---電壓溫度系數Vk---膝點電壓的

ID---暗電流IB2---單結晶體管中的基極調制電流IEM---發射極峰值電流IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與基極間反向電流IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流ICM---比較大輸出平均電流IFMP---正向脈沖電流IP---峰點電流Ⅳ---谷點電流IGT---晶閘管控制極觸發電流IGD---晶閘管控制極不觸發電流IGFM---控制極正向峰值電流IR（AV）---反向平均電流IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）.在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時，所通過的電流；硅開關二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩壓二極管在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流晶體管設計，就選深圳市凱軒業科技，讓您滿意，期待您的光臨！

晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）；場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。晶體管因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發射極接地（又稱共射放大、CE組態）、基極接地（又稱共基放大、CB組態）和集電極接地（又稱共集放大、CC組態、發射極隨耦器）。晶體管是一種半導體器件，放大器或電控開關常用。晶體管是規范操作電腦，手機，和所有其他現代電子電路的基本構建塊。由于其響應速度快，準確性高，晶體管可用于各種各樣的數字和模擬功能，包括放大，開關，穩壓，信號調制和振蕩器。晶體管可包裝或在一個非常小的的區域，可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分。三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管!溫州半導體晶體管

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晶體管的電流放大作用如下圖所示為基本放大電路，為輸入電壓信號，它接入基極-發射極回路，稱為輸入回路；放大后的信號在集電極-發射極回路，稱為輸出回路。由于發射極是兩個回路的公共端，故稱該電路為共射放大電路。晶體管工作在放大狀態的外部條件是發射結正偏且集電結反向偏置，所以輸入回路加的基極電源和輸出回路加的集電極電源的晶體管的結構及類型用不同的摻雜方式在同一個硅片上制造出三個摻雜區域，并形成兩個PN結，就構成了晶體管。結構如圖(a)所示，位于中間的P區稱為基區，它很薄且雜質濃度很低；位于上層的N區是發射區，摻雜濃度很高；位于下層的N區是集電區，面積很大；它們分別引出電極為基極b,發射極e和集電極c。北京達林頓晶體管