異質結電池整線生產設備，l在擴散的過程中，pn結p區一側出現負電荷區，n區一側出現正電荷區，其形成空間電荷區，在空間內部形成內建電場，載流子做漂移運動，阻礙電子與空穴的擴散，達到平衡，能帶停止相對移動，p區能帶相對于n區上移，n區能帶相對于p區下移，pn結的費米能級處處相等，即載流子的擴散電流和漂移電流相互抵消；pn結勢壘區存在較強的內建電場（自n區指向p區），則p區的電子進入n區，n區的空穴進入p區，使p端電勢升高，n端電勢降低，在pn結兩端產生光生電動勢，即為PN結的光生伏特效應。同理，由于光照在PN結兩端產生光生電動勢，即在PN結兩端加上正向偏壓V，則產生正向電流IF，在PN結開路時，光生電流等于正向電流，PN結兩端建立起穩定的電勢差VOC，即光電池的開路電壓，這就是光電池的基本原理。光伏異質結的制造工藝包括薄膜沉積、熱處理、光刻等步驟，具有靈活性高、可定制化的優點。鄭州零界高效異質結

異質結電池生產設備，本征非晶硅薄膜沉積（i-a-Si:H）i-a-Si:H/c-Si界面處存在復合活性高的異質界面，是由于界面處非晶硅薄膜中的缺陷和界面上的懸掛鍵會成為復合中心，因此需要進行化學鈍化；化學鈍化主要由氫鈍化非晶硅薄膜鈍化層來完成，將非晶硅薄膜中的缺陷和界面懸掛鍵飽和來減少復合性缺陷態密度。摻雜非晶硅薄膜沉積場鈍化主要在電池背面沉積同型摻雜非晶硅薄層形成背電場，可以削弱界面的復合，達到減少載流子復合和獲取更多光生載流子的目的；摻雜非晶硅薄膜一般采用與沉積本征非晶硅膜層相似的等離子體系統來完成；p型摻雜常用的摻雜源為硼烷(B2H6)混氫,或者三甲基硼(TMB)；n型摻雜則用磷烷混氫（PH3)。優越的表面鈍化能力是獲得較高電池效率的重要條件，利用非晶硅優異的鈍化效果，可將硅片的少子壽命大幅度提升。蘇州太陽能異質結制絨設備光伏異質結是一種高效太陽能電池，具有高轉換效率和長壽命的優點。

釜川自主研發的“零界”高效異質結電池整線制造解決方案已實現設備國產化，該解決方案疊加了雙面微晶、無銀或低銀金屬化工藝，提升了太陽能電池的轉換效率、良率和產能，并極大降低了生產成本。釜川以半導體生產設備、太陽能電池生產設備為主要產品，打造光伏設備一體化服務。擁有強大的科研團隊，憑借技術競爭力，在清洗制絨設備、PECVD設備、PVD設備、電鍍銅設備等方面的有獨特優勢；以高效加工制造、快速終端交付的能力，為客戶提供優質的整線工藝設備的交付服務。

HJT電池所有制程的加工溫度均低于250，避免了生產效率低而成本高的高溫擴散制結的過程，而且低溫工藝使得a-Si薄膜的光學帶隙、沉積速率、吸收系數以及氫含量得到較精確的控制，也可避免因高溫導致的熱應力等不良影響。HJT電池轉換效率高，拓展潛力大，工藝簡單并且降本路線清晰，契合了光伏產業發展的規律，是有潛力的下一代電池技術。HJT電池為對稱的雙面結構，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場作用。高效異質結電池PECVD設備是制備微晶硅的設備，其工藝機理復雜，影響因素眾多，需要專業公司制備。

異質結電池為對稱的雙面結構，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場作用。異質結電池整線解決方案：釜川自主研發的“零界”高效異質結電池整線制造解決方案已實現設備國產化,該解決方案疊加了雙面微晶、無銀或低銀金屬化工藝，提升了太陽能電池的轉換效率、良率和產能，并降低了生產成本。異質結電池是光伏行業的新興技術，其轉換效率高，能夠顯著提升太陽能電池的整體性能。蘇州太陽能異質結制絨設備

釜川高效異質結電池濕法金屬化設備采用無銀或低銀工藝。鄭州零界高效異質結

異質結是由不同材料組成的結構，其中至少有一種材料是半導體材料。根據不同的材料組合方式和結構特點，異質結可以分為以下幾種主要類型：結：由p型半導體和n型半導體組成的結構，是常見的異質結。在pn結中，p型半導體和n型半導體的電子濃度和空穴濃度不同，形成了電場，使得pn結具有整流、光電轉換等特性。2.Schottky結：由金屬和半導體組成的結構，金屬為n型或p型半導體提供電子或空穴，形成勢壘，使得電子或空穴在兩種材料之間流動。Schottky結具有快速開關、高頻特性等優點。3.量子阱結：由兩種不同帶隙能量的半導體材料組成，中間夾著一層非常薄的半導體材料，形成能量勢阱。量子阱結具有量子效應，可以用于制造激光器、太陽能電池等器件。4.量子點結：由非常小的半導體顆粒組成，大小通常在1-10納米之間。量子點結具有量子效應，可以用于制造高效的光電轉換器件。5.懸掛門結：由兩個不同材料的半導體組成，其中一個半導體材料被刻蝕成一個非常薄的層，形成一個懸掛的結構。懸掛門結具有高靈敏度、低功耗等特點，可以用于制造傳感器、存儲器等器件。鄭州零界高效異質結