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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-02-25

光伏濕法工藝設(shè)備主要包括以下幾種:1.溶液制備設(shè)備:包括反應(yīng)釜、攪拌器、加熱器等,用于制備太陽(yáng)能電池的溶液。2.沉積設(shè)備:包括電化學(xué)沉積設(shè)備和物理的氣相沉積設(shè)備,用于將溶液中的材料沉積在襯底上。3.烘烤設(shè)備:用于將沉積在襯底上的材料進(jìn)行烘烤,使其形成薄膜。4.光刻設(shè)備:用于將薄膜進(jìn)行光刻,形成電極和通道等結(jié)構(gòu)。5.清洗設(shè)備:用于清洗襯底和薄膜,保證太陽(yáng)能電池的質(zhì)量。6.測(cè)量設(shè)備:包括光電流譜儀、電學(xué)測(cè)試儀等,用于測(cè)試太陽(yáng)能電池的性能。以上是光伏濕法工藝設(shè)備的主要種類,不同的設(shè)備在太陽(yáng)能電池的制備過(guò)程中扮演著不同的角色,共同完成太陽(yáng)能電池的制備。電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備,設(shè)備產(chǎn)能大,穩(wěn)定性好;西安HJT濕法去BSG

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濕法設(shè)備通常包括濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝)、制絨設(shè)備(Topcon工藝)、濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)、RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)、濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)、制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)等;釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配,在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級(jí)。其作用是對(duì)太陽(yáng)能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理,從而提升電池的質(zhì)量和效率。蘇州硅片濕法去BSG濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。

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光伏電池濕法設(shè)備濕法制絨設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢(shì)是進(jìn)口PLC控制,兼容MES,UPS和RFID功能。機(jī)械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時(shí)。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進(jìn)口材質(zhì),避免材料雜質(zhì)析出;引進(jìn)半導(dǎo)體清洗工藝,保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結(jié)構(gòu),有效提升脫水能力,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。采用低溫烘干技術(shù),保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。

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