晶間腐蝕，晶界能量較高：晶界是不同晶粒之間的交界，由于晶粒有著不同的位向，交界處原子的排列必須從一種位向逐步過渡到另一種位向，是 “面型” 不完整的結構缺陷。晶界上原子的平均能量因晶格畸變變大而高于晶粒內部原子的平均能量，處于不穩定狀態，在腐蝕介質中的腐蝕速度比晶粒本體的腐蝕速度快。電化學不均勻性：晶粒和晶界的物理化學狀態不同，如平衡電位不同，極化性能（包括陽極和陰極的）不同，在適宜的介質中形成腐蝕電池，晶界為陽極，晶粒為陰極，晶界產生選擇性溶解。晶間腐蝕，可選擇漏液傳感器檢測，有漏液停機報警。蘇州低倍組織熱酸蝕腐蝕操作簡單

晶間腐蝕，貧化理論：對于奧氏體不銹鋼等合金，在一定條件下，晶界會析出第二相，導致晶界附近某種成分出現貧乏化。以奧氏體不銹鋼為例，具體過程如下：碳化物析出：當溫度升高時，碳在不銹鋼晶粒內部的擴散速度大于鉻的擴散速度。室溫時碳在奧氏體中的溶解度很小，而一般奧氏體不銹鋼中的含碳量均超過此值，多余的碳會不斷地向奧氏體晶粒邊界擴散，并和鉻化合，在晶間形成碳化鉻的化合物，如等。貧鉻區形成：鉻沿晶界擴散的速度比在晶粒內擴散速度快，但由于碳化鉻形成速度較快，內部的鉻來不及向晶界擴散，所以在晶間所形成的碳化鉻所需的鉻主要來自晶界附近，結果使晶界附近的含鉻量大為減少。當晶界的鉻的質量分數低到小于時，就形成 “貧鉻區”。蘇州低倍組織熱酸蝕腐蝕操作簡單晶間腐蝕，4工位單獨控制工作，增加制樣效率。

電解拋光腐蝕后面板上面前面一個為電源總開關；下排左起前面一個為電源輸入插座；下排左起第二個：插座的開/關與工作電流輸出同步；下排左起第三、四個和電源的總電源同步。注意事項：開機前將電壓、電流調節電位器逆時針調到底；空栽或輕負載時輸出電壓由高處至低端時，動作不宜過快以免失控；面板輸出接線柱不可當輸入接線柱使用；對穩壓電源進行維修時，必須將輸入電壓斷開；輸入電源線的保護接地端，必須可靠接地，以確保使用安全。

晶間腐蝕，國內外相關標準：GB/T4334.(1~5)-2000不銹鋼晶間腐蝕敏感性試驗方法標準(根據不同材料敏感性選擇相應標準)GB/T15260-1994《鎳合金晶間腐蝕敏感性試驗方法標準》GB/T21433-2008《不銹鋼壓力容器晶間腐蝕敏感性檢驗》CB/T3949-2001《船用不銹鋼焊接接頭晶間腐蝕試驗方法》ASTMG28-02(2008)StandardTestMethodsforDetectingSusceptibilitytoIntergranularCorrosioninWrought,NickelRich,ChromiumBearingAlloys(中文名稱:《鍛造高鎳鉻軸承合金晶間腐蝕敏感性的檢查用標準試驗方法》GB/T7998-2005《鋁合金晶間腐蝕測定方法》HG/T3173-2002《尿素級很低碳鉻鎳鑰奧氏體不銹鋼晶間腐蝕傾向試驗》電解拋光腐蝕，可選擇電壓電流曲線實時顯示。

晶間腐蝕涌入，主要由于晶粒表面和內部間化學成分的差異以及晶界雜質或內應力的存在。晶間腐蝕破壞晶粒間的結合，降低金屬的機械強度。而且腐蝕發生后金屬和合金的表面仍保持一定的金屬光澤，看不出被破壞的跡象，但晶粒間結合力明顯減弱，力學性能惡化, 不能經受敲擊，所以是一種很危險的腐蝕。通常出現于黃銅、硬鋁合金和一些不銹鋼、鎳基合金中。不銹鋼焊縫的晶間腐蝕是化學工業的一個重大問題。不銹鋼在腐蝕介質作用下，在晶粒之間產生的一種腐蝕現象稱為晶間腐蝕。電解拋光腐蝕，工作電壓、電流可輸入計算機，以便于進一步數據分析和研究。海南金相電解腐蝕性價比高

晶間腐蝕，溫度可選擇控制溶液溫度，更精確。蘇州低倍組織熱酸蝕腐蝕操作簡單

電解拋光腐蝕儀利用電化學原理進行金相樣品的制備，該設備工作電壓、電流范圍大，功能齊全，既可用于金相試樣的拋光，也可用于金相試樣的腐蝕，具備制樣快、重復性好等優點，是鋼鐵，尤其是不銹鋼及有色金屬試樣制備的理想設備，用戶的計算機可直接讀取所有歷史數據，可對所有數據進行分析、存檔、打印處理。電壓、電流范圍大，可同時滿足各種材料的拋光和腐蝕，主要用于各大中院校、環保、科研、衛生、防疫、石油、治金、化工、醫療等設備，本儀器性能好，無噪聲。蘇州低倍組織熱酸蝕腐蝕操作簡單