晶體管是一種與其他電路元件結合使用時可產生電流增益、電壓增益和信號功率增益的多結半導體器件。因此，晶體管稱為有源器件，而二極管稱為無源器件。晶體管的基本工作方式是在其兩端施加電壓時控制另一端的電流。晶體管兩種主要類型：雙極型晶體管(BJT)和場效應管(FET)。雙極晶體管（Bipolar Junction Transistor-BJT)作為兩種主要類型的晶體管之一，又稱為半導體三極管、晶體三極管，簡稱晶體管。它由兩個PN結組合而成，有兩種載流子參與導電是一種電流控制電流源器件。晶體三極管主要應用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。S8050 J3Y廠家有哪些？哪家好？盟科電子做得不錯。溫州直插三極管測量方法

晶體三極管的特性曲線：晶體三極管的輸入特性曲線。當UCE=0時，相當于集電極與發射極短路，即發射結與集電結并聯。因此，輸入特性曲線與PN結的伏安特性類似，呈指數關系。當UCE增大時，曲線將右移。對于小功率晶體管，UCE大于1V的一條輸入特性曲線可以近似UCE大于1V的所有輸入特性曲線。晶體三極管的輸出特性曲線5所示。對于每一個確定的IB,都有一條曲線，所以輸出特性的一族曲線。截止區:發射結電壓小于開啟電壓，且集電結反向偏置。放大區:發射結正向偏置且集電結反向偏置。飽和區:發射結與集電結均處于正向偏置。東莞貼片三極管廠家現貨三極管封裝形式指定該管的外觀形狀，如果其它參數都正確，封裝不同將導致組件無法在電路板上實現。

三極管的電子運動原理：發射結加正向電壓，擴散運動形成發射極電流IE發射結加正向電壓且發射區雜質濃度高，所以大量自由電子因擴散運動越過發射結到達基區。與此同時，空穴也從基區向發射區擴散，但由于基區雜質濃度低，所以空穴形成的電流非常小，近似分析時可忽略不計。可見，擴散運動形成了發射極電流IE。由于基區很薄，雜質濃度很低，集電結又加了反向電壓，所以擴散到基區的電子中只有極少部分與空穴復合，其余部分均作為基區的非平衡少子到達集電結。又由于電源 VBE的作用，電子與空穴的復合運動將源源不斷地進行，形成基極電流IB。

三極管單純從“放大”的角度來看，我們希望 β 值越大越好。可是，三極管接成共發射極放大電路時，從管子的集電極 c 到發射極 e 總會產生一有害的漏電流，稱為穿透電流 I ceo ，它的大小與 β 值近似成正比， β 值越大， I ceo 就越大。 I ceo 這種寄生電流不受 I b 控制，卻成為集電極電流 I c 的一部分， I c ＝ βI b ＋ I ceo 。值得注意的是， I ceo 跟溫度有密切的關系，溫度升高， I ceo 急劇變大，破壞了放大電路工作的穩定性。所以，選擇三極管時，并不是 β 越大越好，一般取硅管 β 為 40 ～ 150 ，鍺管取 40 ～ 80 。兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。

三極管的工作原理：線性區NMOS如果柵上加正電壓，就會在其下感應出相反極性的負電荷，從而產生N型溝道，使源漏導通。如果不考慮源漏電壓影響，則柵壓高一點，產生的溝道就寬一點，導通能力就大一點，這就是線性區。NPN管如果BE結加正向偏置導通，電子就會進入到基區。除了被基區的P型空穴俘獲外，它們有兩個地方可以去：一個是從基極流出，一個是被集電極更高的正電壓吸收。集電極電壓越高，能收集到的電子就會越多，這也是線性變化的。在線性區，隨著電壓升高，源漏電流或集電極電流上升。而在飽和區電壓升高，電流基本都保持不變。二者的趨勢基本一致。三極管輸出信號的能量實際上是由直流電源提供的，只是經過三極管的控制，使之轉換成信號能量，提供給負載。河源PNP三極管按需定制

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三極管將電阻Rc換成一個燈泡，那么當基極電流為0時，集電極電流為0，燈泡滅。如果基極電流比較大時(大于流過燈泡的電流除以三極管的放大倍數β)，三極管就飽和，相當于開關閉合，燈泡就亮了。由于控制電流只需要比燈泡電流的β分之一大一點就行了，所以就可以用一個小電流來控制一個大電流的通斷。如果基極電流從0慢慢增加，那么燈泡的亮度也會隨著增加(在三極管未飽和之前)。但是在實際使用中要注意，在開關電路中，飽和狀態若在深度飽和時會影響其開關速度，飽和電路在基極電流乘放大倍數等于或稍大于集電極電流時是淺度飽和，遠大于集電極電流時是深度飽和。因此我們只需要控制其工作在淺度飽和工作狀態就可以提高其轉換速度。溫州直插三極管測量方法

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