三極管基極有電流流動時；由于B極和E極之間有正向電壓，所以電子從發射極向基極移動，又因為C極和E極間施加了反向電壓，因此，從發射極向基極移動的電子，在高電壓的作用下，通過基極進入集電極。于是，在基極所加的正電壓的作用下，發射極的大量電子被輸送到集電極，產生很大的集電極電流。基極無電流流動時；在B極和E極之間不能施加電壓的狀態時，由于C極和E極間施加了反向電壓，所以集電極的電子受電源正電壓吸引而在C極和E極之間產生空間電荷區，阻礙了從發射極向集電極的電子流動，因而就沒有集電極電流產生。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結。佛山小功率三極管廠家直銷

雙極管共發射極接法的電壓-電流關系輸入特性曲線簡單地看，輸入特性曲線類似于發射結的伏安特性曲線，現討論iB和vBE之間的函數關系。因為有集電結電壓的影響，它與一個單獨的PN結的伏安特性曲線不同。 為了排除vCE的影響，在討論輸入特性曲線時，應使vCE=const(常數)。vCE的影響，可以用三極管的內部的反饋作用解釋，即vCE對iB的影響。共發射極接法的輸入特性曲線見。其中vCE=0V的那一條相當于發射結的正向特性曲線。當vCE≥1V時， vCB= vCE - vBE>0，集電結已進入反偏狀態，開始收集電子，且基區復合減少， IC / IB增大，特性曲線將向右稍微移動一些。但vCE再增加時，曲線右移很不明顯。曲線的右移是三極管內部反饋所致，右移不明顯說明內部反饋很小。杭州貼片三極管型號盟科電子是生產三極管的廠家，主要SMD封裝，小信號開關三極管。

BVCEO是三極管基極開路時，集電極-發射極反向擊穿電壓。如果在使用中加在集電極與發射極之間的電壓超過這個數值時，將可能使三極管產生很大的集電極電流，這種現象叫擊穿。三極管擊穿后會造成性損壞或性能下降。 PCM是集電極大允許耗散功率。三極管在工作時，集電極電流在集電結上會產生熱量而使三極管發熱。若耗散功率過大，三極管將燒壞。在使用中如果三極管在大于PCM下長時間工作，將會損壞三極管。需要注意的是大功率三極管給出的大允許耗散功率都是在加有一定規格散熱器情況下的參數。

晶體三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。從三個區引出相應的電極，分別為基極b發射極e和集電極c。發射區和基區之間的PN結叫發射結，集電區和基區之間的PN結叫集電結?；鶇^很薄，而發射區較厚，雜質濃度大，PNP型三極管發射區"發射"的是空穴，其移動方向與電流方向一致，故發射極箭頭向里；NPN型三極管發射區"發射"的是自由電子，其移動方向與電流方向相反，故發射極箭頭向外。發射極箭頭指向也是PN結在正向電壓下的導通方向。硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類型。三極管的腳位判斷，三極管的腳位有兩種封裝排列形式。

三極管的腳位判斷，三極管的腳位有兩種封裝排列形式，三極管是一種結型電阻器件，它的三個引腳都有明顯的電阻數據，測試時（以數字萬用表為例，紅筆+，黒筆-）我們將測試檔位切換至 二極管檔 （蜂鳴檔）標志符號：正常的NPN結構三極管的基極（B）對集電極（C）、發射極（E）的正向電阻是430Ω-680Ω（根據型號的不同，放大倍數的差異，這個值有所不同）反向電阻無窮大；正常的PNP 結構的三極管的基極（B）對集電極（C）、發射極（E）的反向電阻是430Ω-680Ω，正向電阻無窮大。三極管選型表，腳位圖，應用圖。杭州貼片三極管型號

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