10 串鋰電池保護芯片介紹,XBM7101集成均衡NTC/Sense保護芯片功能基本保護功能：對兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護，同時具備電池反接保護功能，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要。過電流保護閾值調(diào)節(jié)：10串鋰電池的保護芯片電路的過電流保護閾值由開關(guān)MOS管決定，如果覺得該閾值較小，可以將多個開關(guān)MOS管進行并聯(lián)操作，以增大過流電流，將兩節(jié)鋰電池保護芯片電路和兩節(jié)鋰電池的充電電路連接在一起，可組成一個充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實現(xiàn)邊充邊放的功能XC3098(磷酸鐵鋰充電芯片）.佛山DS3730賽芯現(xiàn)貨

XBM3214  用于2串鋰電池的保護芯片，芯片內(nèi)置高精度電壓檢測電路和電流檢測電路，支持電池過充電、過放電、充電過電流、放電過電流和短路保護功能，具備25mV過充電檢測精度，采用SOT23 - 6封裝 鋰電池具備電壓高、能量密度大、循環(huán)壽命長等優(yōu)點，在各種需要儲能的場景都有廣泛應(yīng)用。但對于鋰電池而言，過充、過放、過壓、過流等情況都會導(dǎo)致電池異常，影響電池使用壽命。因此，多串鋰電池需要保護IC來監(jiān)控和保護電池，避免出現(xiàn)危險狀況\多串鋰電池保護IC及其特點廣州3m1FAB賽芯廠家助聽器集成充電管理、鋰電池保護、低功耗二合一芯片XF5131。

XBM5244 用于3-4串鋰電池的保護芯片，芯片內(nèi)置高精度電壓檢測電路和電流檢測電路，支持電池過充電、過放電、充電過電流、放電過電流和短路保護功能，具備25mV過充電檢測精度，3~4串集成均衡/NTC/Sense/SSOP16  概述鋰電池具備電壓高、能量密度大、循環(huán)壽命長等優(yōu)點，在各種需要儲能的場景都有廣泛應(yīng)用。但對于鋰電池而言，過充、過放、過壓、過流等情況都會導(dǎo)致電池異常，影響電池使用壽命。因此，多串鋰電池需要保護IC來監(jiān)控和保護電池，避免出現(xiàn)危險狀況

XBM2138QFA    2串鋰電池保護芯片介紹  35W以內(nèi)      XBM2138QFA     內(nèi)置MOS  2串鋰保   內(nèi)置均衡   ：對兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護，同時具備電池反接保護功能，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護閾值調(diào)節(jié)：保護芯片功能基本保護功能：對兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護，同時具備電池反接保護功能，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護閾值調(diào)節(jié) ，可組成一個充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實現(xiàn)邊充邊放的功能單節(jié)至四節(jié)鎳氫電池進行充電管理。該器件內(nèi)部包括功率晶體管，不需要外部的電流檢測電阻和阻流二極管。

XBM2138內(nèi)置MOS內(nèi)置均衡器高精度電壓檢測電路和延時電路，用于2節(jié)串聯(lián)鋰離子/鋰聚合物可再充電電池的保護。適合對2節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護。各延遲時間由內(nèi)部電路設(shè)置（不需外接電容），連接充電器的端子采用高耐壓設(shè)計（CS端子和OC端子，***額定值是33V），還具備向0V電池充電功能，可選擇允許或禁止。內(nèi)置MOS在高負載時可能發(fā)熱，需優(yōu)化PCB散熱（如增加銅箔面積） 內(nèi)置MOS，集成均衡功能7-10串鋰電池保護NTC/SSOP20 多節(jié)鋰電池保護——二級保護XBM7102。深圳3e1EAB賽芯現(xiàn)貨

多節(jié)鋰電池保護電路， XBM2138 XBM32XX XBM325X XBM3360。佛山DS3730賽芯現(xiàn)貨

    PCBLayout參考---兩顆芯片并聯(lián)兩個同型號的鋰電保護可以直接并聯(lián)，實現(xiàn)幾乎是直接翻倍的帶載能力，降低內(nèi)阻，提高效率，但布板清注意：①兩個芯片盡量對稱，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM盡量大面積鋪地，減小布線內(nèi)阻和加強散熱。③，每片鋰電保護IC都需要一個。100Ω電阻**好共用一顆電阻，并且布的離VDD近些，盡量與兩個芯片距離差不都。④VDD采樣線可以略長些，也無需多粗，但需要繞開干擾源-VDD采樣線里面沒有大電流。PCBLayout參考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封裝較小，PCB板上，封裝焊盤略大一些，避免虛焊。②，走線經(jīng)過電阻后，先經(jīng)過電容再到芯片的VDD。③電容的GND盡量短的回到芯片的GND，使整個電容環(huán)路**小。④芯片的GND（B-）到VM建議預(yù)留一個C2（）電容位置，C2電容可以提高ESD和抗干擾能力。⑤芯片的EPAD，建議連接芯片的GND（B-）或者懸空。 佛山DS3730賽芯現(xiàn)貨