江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，以其高精度、低損耗、強適配的特性，成為第三代半導體材料加工的優先選擇。在實際應用中，無論是粗磨還是精磨，優普納的砂輪都能展現出優越的性能。在東京精密-HRG200X減薄機上，6吋和8吋SiC線割片的加工結果顯示，表面粗糙度Ra值和總厚度變化TTV均達到了行業先進水平。同時，砂輪的磨耗比極低，使用壽命長，為客戶節省了大量成本。此外，優普納的砂輪還能根據客戶設備進行定制，適配性強，能夠滿足不同客戶的多樣化需求。這種綜合優勢，使得優普納在國產碳化硅減薄砂輪市場中脫穎而出，成為行業的目標。通過持續的技術研發和工藝改進 優普納碳化硅晶圓減薄砂輪在性能上不斷突破 為國產半導體加工設備及耗材力量。減薄砂輪案例

在第三代半導體材料加工領域，江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪憑借其高精度加工能力脫穎而出。采用專研的強度高微晶增韌陶瓷結合劑，砂輪在磨削過程中展現出優越的穩定性，能夠有效減少振動，確保加工后的晶圓表面粗糙度極低。無論是6吋還是8吋的SiC線割片，使用優普納砂輪加工后，表面粗糙度Ra值均能達到納米級別，總厚度變化TTV控制在微米級別以內。這種高精度的加工能力，不只滿足了半導體制造的需求，也為優普納在國產碳化硅減薄砂輪市場奠定了堅實的基礎，助力其品牌形象進一步鞏固。SiC晶圓磨削砂輪創新從粗磨到精磨，優普納砂輪在DISCO-DFG8640減薄機上的應用，驗證了其在不同加工階段的穩定性和高效性。

在精密光學元件制造領域，非球面微粉砂輪肩負著關鍵使命。其工作原理融合了先進的磨削理念與微觀層面的材料去除機制。江蘇優普納科技有限公司的非球面微粉砂輪，以高精度磨粒為主“切削刃”。在對非球面鏡片等光學元件加工時，砂輪高速旋轉，微小且硬度極高的磨粒如同微觀世界的“雕刻刀”，精確地與工件表面接觸。由于非球面的曲面形狀復雜，砂輪在數控系統的精確操控下，依據預設路徑進行磨削。磨粒粒度呈精細且均勻分布，從粗粒度的磨粒初步去除較多材料，快速塑造非球面的大致輪廓，到細粒度磨粒對表面進行精微修整，逐步實現納米級別的表面精度。在磨削過程中，結合劑發揮著穩定磨粒的關鍵作用，確保磨粒在合適的磨削力下工作。優普納公司精心調配結合劑配方，使磨粒在保持穩固的同時，又能在磨損到一定程度后，及時從結合劑中脫落，讓新的鋒利磨粒暴露并參與磨削，這一自銳過程保證了砂輪在長時間加工中始終維持高效且穩定的磨削性能，為打造高精度非球面光學元件奠定堅實基礎。

優普納砂輪以國產價格提供進口品質，單次加工成本降低40%。例如，進口砂輪精磨8吋SiC晶圓磨耗比通常超過250%，而優普納產品只需200%，且Ra≤3nm的精度完全滿足5G、新能源汽車芯片制造需求。客戶反饋顯示，國產替代后設備停機更換頻率減少50%，年維護成本節省超百萬元。針對不同設備（如DISCO-DFG8640、東京精密HRG200X），優普納提供基體優化設計砂輪，增強冷卻液流動性，減少振動。支持定制2000#至30000#磨料粒度，適配粗磨、半精磨、精磨全工藝。案例中，6吋SiC晶圓使用30000#砂輪精磨后TTV≤2μm，表面質量達國際先進水平。碳化硅晶圓減薄砂輪，采用高性能陶瓷結合劑及“Dmix+”制程工藝，為第三代半導體材料加工提供高效的方案。

針對第三代半導體材料（SiC/GaN）的減薄需求，優普納砂輪適配6吋、8吋晶圓，滿足襯底片粗磨、精磨全流程。以東京精密HRG200X設備為例，6吋SiC線割片采用2000#砂輪粗磨，磨耗比只15%，Ra≤30nm；精磨使用30000#砂輪，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV穩定在2μm以下。DISCO設備案例中，8吋晶圓精磨后TTV≤2μm，適配性強，可替代日本、德國進口產品。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。在6吋和8吋SiC線割片的加工中，優普納砂輪均展現出優越性能，無論是粗磨還是精磨，達到行業更高加工標準。國產砂輪哪家好

砂輪于東京精密-HRG200X減薄機上，使8吋SiC線割片磨耗比達300% Ra≤3nm TTV≤2μm 彰顯高精度與高磨耗比優勢。減薄砂輪案例

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，憑借其高性能陶瓷結合劑和“Dmix+”制程工藝，在第三代半導體材料加工領域樹立了新的目標。這種獨特的結合劑配方不只賦予了砂輪強度高和韌性，還通過多孔顯微組織的設計，實現了高研削性能和良好的散熱效果。在實際應用中，無論是粗磨還是精磨，優普納的砂輪都能保持穩定的性能，減少振動和損傷，確保加工后的晶圓表面質量優異。這種技術優勢不只滿足了半導體制造的需求，還為國產化替代提供了堅實的技術支持。減薄砂輪案例