針對第三代半導體材料（SiC/GaN）的減薄需求，優普納砂輪適配6吋、8吋晶圓，滿足襯底片粗磨、精磨全流程。以東京精密HRG200X設備為例，6吋SiC線割片采用2000#砂輪粗磨，磨耗比只15%，Ra≤30nm；精磨使用30000#砂輪，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV穩定在2μm以下。DISCO設備案例中，8吋晶圓精磨后TTV≤2μm，適配性強，可替代日本、德國進口產品。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。碳化硅晶圓減薄砂輪超細金剛石磨粒與超高自銳性結合，實現高磨削效率與低損傷 表面粗糙度Ra≤3nm TTV≤2μm。浙江砂輪規格

針對不同磨床特性，優普納提供基體優化設計服務，通過調整砂輪結構（如孔徑、厚度、溝槽）增強與設備的匹配度。例如，為適配DISCO-DFG8640高速減薄機，優普納開發了增強型冷卻流道砂輪，使8吋SiC晶圓加工效率提升25%，磨耗比控制在30%以內。客戶可根據自身設備型號、晶圓尺寸（4吋/6吋/8吋）及工藝階段（粗磨/精磨）靈活選擇砂輪方案，實現“一機一策”的精確適配。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。深圳高性能砂輪在實際應用中，優普納砂輪展現出的高精度、低損耗和強適配性，使其成為半導體加工領域不可或缺的高效工具。

江蘇優普納碳化硅減薄砂輪憑借超細金剛石磨粒與高自銳性設計，在第三代半導體晶圓加工中實現低損傷、低粗糙度的行業突破。以DISCO-DFG8640設備為例，精磨8吋SiC線割片時，砂輪磨耗比達200%，表面粗糙度Ra≤3nm，TTV精度≤2μm，完全滿足5G芯片、功率器件對晶圓平整度的嚴苛要求。對比進口砂輪，優普納產品在相同加工條件下可減少磨削熱損傷30%，明顯提升晶圓良率，尤其適用于新能源汽車電驅模塊等高附加值領域。歡迎您的隨時致電咨詢。

隨著科技的不斷進步，激光改質層減薄砂輪的技術也在不斷發展。未來，激光改質技術將更加智能化和自動化，結合大數據和人工智能技術，能夠實現對砂輪性能的實時監測和優化。此外，材料科學的進步也將推動激光改質層減薄砂輪的材料選擇更加多樣化，進一步提升其性能和適用范圍。同時，環保和可持續發展將成為未來砂輪技術發展的重要方向，激光改質層減薄砂輪的低磨損特性將使其在環保方面具備更大的優勢。隨著市場需求的不斷增加，激光改質層減薄砂輪的應用前景將更加廣闊。在東京精密-HRG200X減薄機上，優普納砂輪對8吋SiC線割片進行精磨，磨耗比300%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。

隨著碳化硅功率器件在新能源汽車中的普及，優普納砂輪已成功應用于多家頭部車企的芯片供應鏈。例如，某800V高壓平臺電驅模塊的SiC晶圓減薄中，優普納30000#砂輪精磨后Ra≤3nm，TTV≤2μm，芯片導通損耗降低15%。客戶反饋顯示，國產砂輪在加工一致性與成本控制上遠超進口競品，單條產線年產能提升30%，為車規級芯片國產化奠定基礎。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。從粗磨到精磨，優普納砂輪在DISCO-DFG8640減薄機上的應用，驗證了其在不同加工階段的穩定性和高效性。進口砂輪源頭工廠

優普納砂輪在DISCO-DFG8640減薄機上，對6吋SiC線割片進行精磨，磨耗比100%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。浙江砂輪規格

在精密光學元件制造領域，非球面微粉砂輪肩負著關鍵使命。其工作原理融合了先進的磨削理念與微觀層面的材料去除機制。江蘇優普納科技有限公司的非球面微粉砂輪，以高精度磨粒為主“切削刃”。在對非球面鏡片等光學元件加工時，砂輪高速旋轉，微小且硬度極高的磨粒如同微觀世界的“雕刻刀”，精確地與工件表面接觸。由于非球面的曲面形狀復雜，砂輪在數控系統的精確操控下，依據預設路徑進行磨削。磨粒粒度呈精細且均勻分布，從粗粒度的磨粒初步去除較多材料，快速塑造非球面的大致輪廓，到細粒度磨粒對表面進行精微修整，逐步實現納米級別的表面精度。在磨削過程中，結合劑發揮著穩定磨粒的關鍵作用，確保磨粒在合適的磨削力下工作。優普納公司精心調配結合劑配方，使磨粒在保持穩固的同時，又能在磨損到一定程度后，及時從結合劑中脫落，讓新的鋒利磨粒暴露并參與磨削，這一自銳過程保證了砂輪在長時間加工中始終維持高效且穩定的磨削性能，為打造高精度非球面光學元件奠定堅實基礎。浙江砂輪規格