對(duì)于納 / 微機(jī)械系統(tǒng)的研究與制造，德國(guó) Polos 光刻機(jī)系列展現(xiàn)出強(qiáng)大實(shí)力。無(wú)掩模激光光刻技術(shù)賦予它高度的靈活性，科研人員能夠快速將創(chuàng)新設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)化為實(shí)際器件。在制造微型齒輪、納米級(jí)懸臂梁等微機(jī)械結(jié)構(gòu)時(shí)，Polos 光刻機(jī)可precise控制激光，確保每個(gè)部件的尺寸和形狀都符合設(shè)計(jì)要求。? 借助該光刻機(jī)，科研團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)出新型微機(jī)械傳感器，其靈敏度和響應(yīng)速度遠(yuǎn)超傳統(tǒng)產(chǎn)品。并且，由于系統(tǒng)占用空間小，即使是小型實(shí)驗(yàn)室也能輕松引入。Polos 光刻機(jī)以其低成本、高效率的特性，成為納 / 微機(jī)械系統(tǒng)領(lǐng)域的制造先鋒，助力科研人員不斷探索微納世界的奧秘。技術(shù)Benchmark：Polos-μPrinter 入選《半導(dǎo)體技術(shù)》年度創(chuàng)新產(chǎn)品，推動(dòng)無(wú)掩模光刻技術(shù)普及。陜西德國(guó)BEAM光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化

Polos光刻機(jī)與弗勞恩霍夫ILT的光束整形技術(shù)結(jié)合，可定制激光輪廓以優(yōu)化能量分布，減少材料蒸發(fā)和飛濺，提升金屬3D打印效率7。這種跨領(lǐng)域技術(shù)融合為工業(yè)級(jí)微納制造（如光學(xué)元件封裝）提供新思路，推動(dòng)智能制造向高精度、低能耗方向發(fā)展Polos系列broad兼容AZ、SU-8等光刻膠，通過(guò)優(yōu)化曝光參數(shù)（如能量密度與聚焦深度）實(shí)現(xiàn)不同材料的高質(zhì)量加工。例如，使用AZ5214E時(shí)，可調(diào)節(jié)光束強(qiáng)度以減少側(cè)壁粗糙度，提升微結(jié)構(gòu)的功能性。這一特性使其在生物相容性器件（如仿生傳感器）中表現(xiàn)outstanding26。重慶桌面無(wú)掩模光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米科研成果轉(zhuǎn)化：中科院利用同類(lèi)技術(shù)制備跨尺度微盤(pán)陣列，研究細(xì)胞浸潤(rùn)機(jī)制。

某材料科學(xué)研究中心在探索新型納米復(fù)合材料的性能時(shí)，需要在材料表面構(gòu)建特殊的納米圖案。德國(guó) Polos 光刻機(jī)成為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的得力工具。研究人員利用其無(wú)掩模激光光刻技術(shù)，在不同的納米材料表面制作出各種周期性和非周期性的圖案結(jié)構(gòu)。經(jīng)過(guò)測(cè)試發(fā)現(xiàn)，帶有特定圖案的納米復(fù)合材料，其電學(xué)、光學(xué)和力學(xué)性能發(fā)生了remarkable改變。例如，一種原本光學(xué)性能普通的納米材料，在經(jīng)過(guò) Polos 光刻機(jī)處理后，對(duì)特定波長(zhǎng)光的吸收率提高了 30%，為開(kāi)發(fā)新型光電器件和光學(xué)傳感器提供了新的材料選擇和設(shè)計(jì)思路 。

在構(gòu)建肝臟芯片的血管化網(wǎng)絡(luò)時(shí)，某生物工程團(tuán)隊(duì)使用 Polos 光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)了跨尺度結(jié)構(gòu)制備。其無(wú)掩模技術(shù)在 200μm 的主血管與 5μm 的blood capillary間precise銜接，血管內(nèi)皮細(xì)胞貼壁率達(dá) 95%，較傳統(tǒng)光刻提升 30%。通過(guò)輸入 CT 掃描的真實(shí)肝臟血管數(shù)據(jù)，芯片成功模擬門(mén)靜脈與肝竇的血流梯度，使肝細(xì)胞功能維持時(shí)間從 7 天延長(zhǎng)至 21 天。該技術(shù)為藥物肝毒性測(cè)試提供了接近體內(nèi)環(huán)境的模型，某制藥公司使用后將候選藥物篩選周期縮短 40%，相關(guān)成果登上《Lab on a Chip》封面。未來(lái)技術(shù)儲(chǔ)備：持續(xù)研發(fā)光束整形與多材料兼容工藝，lead微納制造前沿。

某集成電路實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)開(kāi)發(fā)了基于相變材料的存算一體芯片。其激光直寫(xiě)技術(shù)在二氧化硅基底上實(shí)現(xiàn)了 100nm 間距的電極陣列，器件的讀寫(xiě)速度達(dá) 10ns，較傳統(tǒng) SRAM 提升 100 倍。通過(guò)在電極間集成 20nm 厚的 Ge2Sb2Te5 相變材料，芯片實(shí)現(xiàn)了計(jì)算與存儲(chǔ)的原位融合，能效比達(dá) 1TOPS/W，較傳統(tǒng)馮?諾依曼架構(gòu)提升 1000 倍。該技術(shù)被用于邊緣計(jì)算設(shè)備，使圖像識(shí)別延遲從 50ms 縮短至 5ms，相關(guān)芯片已進(jìn)入小批量試產(chǎn)階段。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。軟件高效兼容：BEAM Xplorer支持GDS文件導(dǎo)入，簡(jiǎn)化復(fù)雜圖案設(shè)計(jì)流程。天津PSP光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模

無(wú)掩模技術(shù)優(yōu)勢(shì)：摒棄傳統(tǒng)掩模，圖案設(shè)計(jì)實(shí)時(shí)調(diào)整，研發(fā)成本直降 70%。陜西德國(guó)BEAM光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化

某材料實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)的亞微米級(jí)圖案化能力，在鋁合金表面制備出仿荷葉結(jié)構(gòu)的超疏水涂層。其激光直寫(xiě)技術(shù)在 20μm 間距的微柱陣列上疊加 500nm 的納米脊，使材料表面接觸角達(dá) 165°，滾動(dòng)角小于 3°。該涂層在海水環(huán)境中浸泡 30 天后，防腐蝕性能較未處理表面提升 10 倍。其靈活的圖案編輯功能還支持在同一樣品上實(shí)現(xiàn)超疏水與超親水區(qū)域的任意組合，被用于微流控芯片的液滴定向輸運(yùn)，液滴驅(qū)動(dòng)電壓降低至傳統(tǒng)方法的 1/3。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。陜西德國(guó)BEAM光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化