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重慶PSP光刻機(jī)光源波長405微米

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-06-07

在tumor轉(zhuǎn)移機(jī)制研究中,某tumor研究中心利用 Polos 光刻機(jī)構(gòu)建了仿生tumor微環(huán)境芯片。通過無掩模激光光刻技術(shù),在 PDMS 基底上制造出三維tumor血管網(wǎng)絡(luò)與間質(zhì)纖維化結(jié)構(gòu),其中血管直徑可精確控制在 10-50μm。實(shí)驗(yàn)顯示,該芯片模擬的tumor微環(huán)境中,tumor細(xì)胞遷移速度較傳統(tǒng)二維培養(yǎng)提升 2.3 倍,且化療藥物滲透效率降低 40%,與臨床數(shù)據(jù)高度吻合。該團(tuán)隊(duì)通過軟件實(shí)時(shí)調(diào)整通道曲率和細(xì)胞外基質(zhì)密度,成功復(fù)現(xiàn)了tumor細(xì)胞上皮 - 間質(zhì)轉(zhuǎn)化(EMT)過程,相關(guān)成果發(fā)表于《Cancer Research》,并被用于新型抗轉(zhuǎn)移藥物的篩選平臺(tái)開發(fā)。柔性電子制造:可制備叉指電容器與高頻電路,推動(dòng)5G通信與物聯(lián)網(wǎng)硬件發(fā)展。重慶PSP光刻機(jī)光源波長405微米

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某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻機(jī)開發(fā)了基于阻變存儲(chǔ)器(RRAM)的存算一體架構(gòu)。其激光直寫技術(shù)在 10nm 厚度的 HfO?介質(zhì)層上實(shí)現(xiàn)了 5nm 的電極邊緣控制,器件的電導(dǎo)均勻性提升至 95%,計(jì)算能效比達(dá) 10TOPS/W,較傳統(tǒng) GPU 提升兩個(gè)數(shù)量級(jí)。基于該技術(shù)的邊緣 AI 芯片,在圖像識(shí)別任務(wù)中能耗降低 80%,推理速度提升 3 倍,已應(yīng)用于智能攝像頭和無人機(jī)避障系統(tǒng),相關(guān)芯片出貨量突破百萬片。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。陜西德國PSP-POLOS光刻機(jī)光刻膠broad兼容:支持AZ5214E、SU-8等材料,優(yōu)化參數(shù)降低側(cè)壁粗糙度。

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單細(xì)胞分選需要復(fù)雜的流體動(dòng)力學(xué)控制結(jié)構(gòu),傳統(tǒng)光刻難以實(shí)現(xiàn)多尺度結(jié)構(gòu)集成。Polos 光刻機(jī)的分層曝光功能,在同一片芯片上制備出 5μm 窄縫的細(xì)胞捕獲區(qū)與 50μm 寬的廢液通道,通道高度誤差控制在 ±2% 以內(nèi)。某細(xì)胞生物學(xué)實(shí)驗(yàn)室利用該芯片,將單細(xì)胞分選通量提升至 1000 個(gè) / 秒,分選純度達(dá) 98%,較傳統(tǒng)流式細(xì)胞儀體積縮小 90%。該技術(shù)已應(yīng)用于循環(huán)tumor細(xì)胞檢測(cè),使稀有細(xì)胞捕獲效率提升 3 倍,相關(guān)設(shè)備進(jìn)入臨床驗(yàn)證階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。

可編程微流控芯片需要集成電路控制與流體通道,傳統(tǒng)工藝需多次掩模對(duì)準(zhǔn),良率only 30%。Polos 光刻機(jī)的多材料同步曝光技術(shù),支持在同一塊基板上直接制備金屬電極與 PDMS 通道,將良率提升至 85%。某微系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室利用該特性,開發(fā)出可實(shí)時(shí)切換流路的生化分析芯片,通過軟件輸入不同圖案,10 分鐘內(nèi)即可完成從 DNA 擴(kuò)增到蛋白質(zhì)檢測(cè)的模塊切換。該成果應(yīng)用于 POCT 設(shè)備,使現(xiàn)場(chǎng)快速檢測(cè)系統(tǒng)的體積縮小 60%,檢測(cè)時(shí)間縮短至傳統(tǒng)方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。客戶認(rèn)可:全球 500 + 客戶滿意度達(dá) 98%,復(fù)購率 75%,技術(shù)支持響應(yīng)時(shí)間 < 2 小時(shí)。

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微納衛(wèi)星對(duì)部件重量與精度要求苛刻,傳統(tǒng)加工難以兼顧。Polos 光刻機(jī)在硅基材料上實(shí)現(xiàn)了 50nm 深度的微溝槽加工,為某航天團(tuán)隊(duì)制造出輕量化星載慣性導(dǎo)航陀螺結(jié)構(gòu)。通過自定義螺旋型振動(dòng)梁圖案,陀螺的零偏穩(wěn)定性提升至 0.01°/h,較商用產(chǎn)品性能翻倍。該技術(shù)還被用于微推進(jìn)器噴嘴陣列加工,使衛(wèi)星姿態(tài)調(diào)整精度達(dá)到亞毫牛級(jí),助力我國低軌衛(wèi)星星座建設(shè)取得關(guān)鍵突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。跨學(xué)科應(yīng)用:覆蓋微機(jī)械、光子晶體、仿生傳感器與納米材料合成領(lǐng)域。重慶PSP光刻機(jī)光源波長405微米

亞微米級(jí)精度:0.8 μmmost小線寬,支持高精度微流體芯片與MEMS器件制造。重慶PSP光刻機(jī)光源波長405微米

SPS POLOS μ以桌面化設(shè)計(jì)降低設(shè)備投入成本,無需掩膜制備費(fèi)用。其光束引擎通過壓電驅(qū)動(dòng)快速掃描,單次寫入?yún)^(qū)域達(dá)400 μm,支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示,該設(shè)備成功制備了間距3 μm的微圖案陣列和叉指電容器,助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗(yàn)證。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化,無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。重慶PSP光刻機(jī)光源波長405微米

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