植入式神經電極需要兼具生物相容性與導電性能,表面微圖案可remarkable影響細胞 - 電極界面。Polos 光刻機在鉑銥合金電極表面刻制出 10μm 間距的蜂窩狀微孔,某神經工程團隊發現該結構使神經元突觸密度提升 20%,信號采集噪聲降低 35%。其無掩模特性支持根據不同腦區結構定制電極陣列,在大鼠海馬區電生理實驗中,單神經元信號識別率從 60% 提升至 85%,為腦機接口技術的臨床轉化奠定了硬件基礎。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。圖案靈活性:支持 STL 模型直接導入,30 分鐘完成從設計到曝光全流程。重慶POLOSBEAM-XL光刻機MAX層厚可達到10微米
大尺寸晶圓的高效處理:Polos-BESM XL的優勢!Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設計,寫入區域達155×155 mm,平臺重復性精度0.1 μm,滿足工業級需求。搭配20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭,實時觀測與多層對準功能使其成為光子晶體和柔性電子器件研究的理想工具。其BEAM Xplorer軟件簡化復雜圖案設計,內置高性能筆記本實現快速數據處理62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。陜西德國POLOS光刻機納 / 微機械:亞微米級結構加工,微型齒輪精度達 ±50nm,推動微機電系統創新。
SPS POLOS μ以桌面化設計降低設備投入成本,無需掩膜制備費用。其光束引擎通過壓電驅動快速掃描,單次寫入區域達400 μm,支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示,該設備成功制備了間距3 μm的微圖案陣列和叉指電容器,助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗證。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化,無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下,將該技術帶到了桌面上,進一步提升了其優勢。
在微流體研究領域,德國 Polos 光刻機系列憑借獨特優勢脫穎而出。其無掩模激光光刻技術,打破傳統光刻的局限,無需掩模就能實現高精度圖案制作。這使得科研人員在構建微通道網絡時,可根據實驗需求自由設計,快速完成從圖紙到實體的轉化。?以藥物傳輸研究為例,利用 Polos 光刻機,能制造出尺寸precise、結構復雜的微通道,模擬人體環境,讓藥物在微小空間內可控流動,much提升藥物傳輸效率研究的準確性。同時,在細胞培養實驗中,該光刻機制作的微流體芯片,為細胞提供穩定且適宜的生長環境,助力細胞生物學研究取得新突破。小空間大作為的 Polos 光刻機,正推動微流體研究不斷向前。光束引擎高速掃描:SPS POLOS μ單次寫入400 μm區域,壓電驅動提升掃描速度。
某分析化學實驗室采用 Polos 光刻機開發了集成電化學傳感器的微流控芯片。其多材料同步曝光技術在 PDMS 通道底部直接制備出 10μm 寬的金電極,傳感器的檢測限達 1nM,較傳統電化學工作站提升 100 倍。通過軟件輸入不同圖案,可在 24 小時內完成從葡萄糖檢測到重金屬離子分析的模塊切換。該芯片被用于即時檢測(POCT)設備,使現場水質監測時間從 2 小時縮短至 10 分鐘,相關設備已通過歐盟 CE 認證。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。POLOS μ:超緊湊設計,納米級精度專攻微流控與細胞芯片。重慶POLOSBEAM-XL光刻機MAX層厚可達到10微米
電子學應用:2μm 線寬光刻能力,第三代半導體器件研發效率提升 3 倍。重慶POLOSBEAM-XL光刻機MAX層厚可達到10微米
某能源研究團隊采用 Polos 光刻機制造了壓電式微型能量收集器。其激光直寫技術在 PZT 薄膜上刻制出 50μm 的叉指電極,器件的能量轉換效率達 35%,在 10Hz 振動下可輸出 50μW/cm2 的功率。通過自定義電極間距和厚度,該收集器可適配不同頻率的環境振動,在智能穿戴設備中實現了運動能量的實時采集與存儲。其輕量化設計(體積 < 1mm3)還被用于物聯網傳感器節點,使傳感器續航時間從 3 個月延長至 2 年。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。重慶POLOSBEAM-XL光刻機MAX層厚可達到10微米