在微流控芯片集成領(lǐng)域，某微機(jī)電系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)的多材料同步曝光技術(shù)，在同一塊 PDMS 芯片上直接制備出金屬電極驅(qū)動(dòng)的氣動(dòng)泵閥結(jié)構(gòu)。其微泵通道寬度可控制在 20μm，流量調(diào)節(jié)精度達(dá) ±1%，響應(yīng)時(shí)間小于 50ms。通過軟件輸入不同圖案，可在 10 分鐘內(nèi)完成從連續(xù)流到脈沖流的模式切換。該芯片被用于單細(xì)胞代謝分析，實(shí)現(xiàn)了單個(gè)tumor細(xì)胞葡萄糖攝取率的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，檢測(cè)靈敏度較傳統(tǒng)方法提升 3 倍，相關(guān)設(shè)備已進(jìn)入臨床前驗(yàn)證階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。Polos-BESM XL：加大加工幅面，滿足中尺寸器件一次性成型需求。北京光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

Polos-BESM支持GDS文件直接導(dǎo)入和多層曝光疊加，簡(jiǎn)化射頻器件（如IDC電容器）制造流程。研究團(tuán)隊(duì)利用類似設(shè)備成功制備高頻電路元件，驗(yàn)證了其在5G通信和物聯(lián)網(wǎng)硬件中的潛力。其高重復(fù)性（0.1 μm）確保科研成果的可轉(zhuǎn)化性，助力國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈突破技術(shù)封鎖56。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。河北德國BEAM光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米材料科學(xué)：超疏水表面納米圖案化，接觸角 165°，防腐蝕性能增強(qiáng) 10 倍。

某材料科學(xué)研究中心在探索新型納米復(fù)合材料的性能時(shí)，需要在材料表面構(gòu)建特殊的納米圖案。德國 Polos 光刻機(jī)成為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的得力工具。研究人員利用其無掩模激光光刻技術(shù)，在不同的納米材料表面制作出各種周期性和非周期性的圖案結(jié)構(gòu)。經(jīng)過測(cè)試發(fā)現(xiàn)，帶有特定圖案的納米復(fù)合材料，其電學(xué)、光學(xué)和力學(xué)性能發(fā)生了remarkable改變。例如，一種原本光學(xué)性能普通的納米材料，在經(jīng)過 Polos 光刻機(jī)處理后，對(duì)特定波長(zhǎng)光的吸收率提高了 30%，為開發(fā)新型光電器件和光學(xué)傳感器提供了新的材料選擇和設(shè)計(jì)思路 。

某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻機(jī)開發(fā)了基于阻變存儲(chǔ)器（RRAM）的存算一體架構(gòu)。其激光直寫技術(shù)在 10nm 厚度的 HfO?介質(zhì)層上實(shí)現(xiàn)了 5nm 的電極邊緣控制，器件的電導(dǎo)均勻性提升至 95%，計(jì)算能效比達(dá) 10TOPS/W，較傳統(tǒng) GPU 提升兩個(gè)數(shù)量級(jí)。基于該技術(shù)的邊緣 AI 芯片，在圖像識(shí)別任務(wù)中能耗降低 80%，推理速度提升 3 倍，已應(yīng)用于智能攝像頭和無人機(jī)避障系統(tǒng)，相關(guān)芯片出貨量突破百萬片。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。雙光子聚合擴(kuò)展：結(jié)合Nanoscribe技術(shù)實(shí)現(xiàn)3D微納打印，拓展微型機(jī)器人制造。

無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。軟件高效兼容：BEAM Xplorer支持GDS文件導(dǎo)入，簡(jiǎn)化復(fù)雜圖案設(shè)計(jì)流程。天津BEAM-XL光刻機(jī)可以自動(dòng)聚焦波長(zhǎng)

光束引擎高速掃描：SPS POLOS μ單次寫入400 μm區(qū)域，壓電驅(qū)動(dòng)提升掃描速度。北京光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

在航空航天科研中，某科研團(tuán)隊(duì)致力于研發(fā)用于環(huán)境監(jiān)測(cè)和偵察的微型飛行器。其中，制造輕量化且高性能的微機(jī)械部件是關(guān)鍵。德國 Polos 光刻機(jī)憑借無掩模激光光刻技術(shù)，助力團(tuán)隊(duì)制造出尺寸precise、質(zhì)量輕盈的微型齒輪、機(jī)翼骨架等微機(jī)械結(jié)構(gòu)。例如，利用該光刻機(jī)制造的微型齒輪，齒距精度達(dá)到納米級(jí)別，極大提高了飛行器動(dòng)力傳輸系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。基于此，科研團(tuán)隊(duì)成功試飛了一款新型微型飛行器，其續(xù)航時(shí)間和飛行靈活性遠(yuǎn)超同類產(chǎn)品，為未來微型飛行器在復(fù)雜環(huán)境下的應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。北京光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米