微納3D打印其實和與灰度光刻有點相似，但是原理不同，我們常見的微納3D打印技術是雙光子聚合和微納金屬3D打印技術，利用該技術我們理論上可以獲得任意想要的結構，不光是微透鏡陣列結構（如下圖5所示），該方法的優勢是可以完全按照設計獲得想要的結構，對于雙光子聚合的微結構，我們需要通過LIGA工藝獲得金屬模具，但是對于微納金屬3D打印獲得的微納米結構可以直接進行后續的復制工作，并通過納米壓印技術進行復制。灰度光刻的就是利用灰度光刻掩膜版（掩膜接觸式光刻）或者計算機控制激光束或者電子束劑量從而達到在某些區域完全曝透，而某些區域光刻膠部分曝光，Nanoscribe中國分公司-納糯三維科技（上海）有限公司為您講解高速灰度光刻微納加工。廣東進口灰度光刻3D光刻

Nanoscribe成立于2007年，總部位于德國卡爾斯魯厄，擁有卡爾斯魯厄理工學院（KIT）的技術背景和卡爾蔡司公司的支持。經過十幾年的不斷研究和成長，Nanoscribe已成為微納米生產的先驅和3D打印市場的帶領者，推動著諸如力學超材料，微納機器人，再生醫學工程，微光學等創新領域的研究和發展，并提供優化制程方案。全新的QuantumX無掩模光刻系統能夠數字化制造高精度2維和。作為世界上頭一個雙光子灰度光刻系統，在充分滿足設計自由的同時，一步制造具有光學質量表面以及高形狀精度要求的微光學元件，達到所見即所得。。高精度灰度光刻技術灰度光刻技術可實現掩膜版的自適應優化。

國際上，激光直寫設備是光掩模制備的主要工具，尤其在高世代TFT-Array掩模的平面圖形，面積可達110英寸（瑞典MICRONIC）單價高于1.5億元/套，制備一個線寬分辨率1.5微米的110吋光掩模單價500萬RMB；然而，這種激光直寫設備并不適用于微納3Ｄ形貌結構和深紋圖形制備。已有的基于藍光405nm直接成像光刻（DIL）適合光刻分辨率較低的圖形，也不適用于3D結構的灰度光刻。因此，面向柔性光電子材料與器件的需求，必須攻克大面積3D形貌的微結構的高效高精度制備，解決海量數據高效率轉化、高精度數據迭代與疊加曝光，高速率飛行直寫技術的難題。

這款灰度光刻設備具備出色的精度和穩定性。通過先進的光刻技術，它能夠在微米級別上進行精確的圖案制作，確保產品的質量和精度達到比較高水平。同時，設備的穩定性也得到了極大的提升，減少了生產過程中的誤差和損耗，提高了生產效率。這款設備具備高效的生產能力。它采用了快速曝光和快速開發的技術，**縮短了生產周期。相比傳統的光刻設備，它的生產速度提高了30%，提升了我們的生產效率。同時，設備還具備多通道同時加工的能力，可以同時處理多個產品，進一步提高了生產效率和產能。制備各種復雜的微納米結構，滿足不同應用領域的需求。

Nanoscribe的全球頭一次創造工業級雙光子灰度光刻無掩模光刻系統QuantumX，適用于制造微光學衍射以及折射元件。由Nanoscribe研發的IP系列光刻膠是用于特別高分辨率微納3D打印的標準材料。所打印的亞微米級別分辨率器件具有特別高的形狀精度，屬于目前市場上易于操作的“負膠”。IP樹脂作為高效的打印材料，是Nanoscribe微納加工解決方案的基本組成部分之一。我們提供針對優化不同光刻膠和應用領域的高級配套軟件，從而簡化3D打印工作流程并加快科研和工業領域的設計迭代周期，包括仿生表面，微光學元件，機械超材料和3D細胞支架等。想要了解Quantum X 雙光子灰度光刻微納打印設備。重慶雙光子灰度光刻3D微納加工

灰度光刻技術的精度受到灰度值的影響。廣東進口灰度光刻3D光刻

雙光子灰度光刻技術可以一步實現真正具有出色形狀精度的多級衍射光學元件（DOE），并且滿足DOE納米結構表面的橫向和縱向分辨率達到亞微米量級。由于需要多次光刻，刻蝕和對準工藝，衍射光學元件（DOE）的傳統制造耗時長且成本高。而利用增材制造即可簡單一步實現多級衍射光學元件，可以直接作為原型使用，也可以作為批量生產母版工具。Nanoscribe的QuantumX打印系統非常適合DOE的制作。該系統的無掩模光刻解決方案可以滿足衍射光學元件所需的橫向和縱向高分辨率要求。基于雙光子灰度光刻技術(2GL®)的QuantumX打印系統可以實現一氣呵成的制作，即一步打印多級衍射光學元件，并以經濟高效的方法將多達4,096層的設計加工成離散的或準連續的拓撲。廣東進口灰度光刻3D光刻