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閃爍體探測器是采用α閃爍物質和β閃爍物質復合閃爍體作為發光元件。由于α粒子的射程短,當粒子進入α閃爍物質時,將全部能量損失在ZnS(Ag)材料上,引起閃爍發光,光電倍增管產生α信號。β粒子由于穿透能力較強,β粒子穿過ZnS(Ag)材料進入β閃爍物質,產生閃爍光,進入光電倍增管產生β信號。PIPS探測器是半導體兩端加反向電壓,N區接正,P區接負,外加電場方向與內建電場方向相同,使耗盡層增厚,漂移運動增強。當帶電粒子穿過時產生電子-空穴對,在高電場下分別向正負電極漂移,產生信號。信號幅度正比于電子空穴對數目,正比于入射粒子損失能量。
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