大家可能會對它有些許的陌生，其實我們每個人都在接觸電力調整器，那么就讓我們從是干什么的開始吧！，是用于晶閘管以及其他的觸發控制電路來進行調整負載功率的調整單元，當然現在大多數的**則是運用數字電路進行相應的調壓和調功。一般情況下調壓是采用相應的移相控制方式，而調功則有定周期的調功和變周期調功。那么電力調整器到底到底有什么樣的特點呢，那就讓正高的小編帶大家去了解下吧！1.像阻性、感性負載、變壓器的一側則會采用移相觸發的方式2.可以選擇多種的控制信號3.可以“自動限流”當負載的電流大于額定的值數時，則調壓器輸出的電流將會被限定在額定值的左右4.為了減少對電網的沖擊和干擾，具有軟起動，軟關斷的的功能，這也將會使主回路的晶閘管更加的安全可靠。5.還具有恒電壓、恒電流、恒功率的三種反饋形式6.電力調整器會保護晶閘管過熱、過電流等相應的保護功能，保護時候相互對應的二極管的指示燈會亮。7.主電路和控制電路具有一體化的結構、體積比較小、重量也比較輕、然后使用和維護也非常方便。1.感性負載：操控器可以帶動變壓器的運行，這個可以再電網的環境下長期并且穩定的進行工作，可以用于工業復雜的電網下。淄博正高電氣以創百年企業、樹百年品牌為使命，傾力為客戶創造更大利益！福建小功率可控硅調壓模塊批發

三相可控硅觸發板原理三相可控硅觸發板是以高級工業級單片機為組成的全數字控制、數字觸發板，并將電源變壓器、脈沖變壓器焊裝在控制板上。使用靈活，安裝簡便。電源用部對變壓器，性能穩定可靠。三相同步方案，定制可適應交流5V～380V各種同步電壓。4種高性能PID方案，適應不同性質負載，控制精度高，動態特性好。全數字觸發，脈沖不對稱度≤°，用部對脈沖變壓器觸發，脈沖前沿陡度≤。功能、參數設定采用按鍵操作，故障、報警、界面采用LED數碼管顯示，操作方便，顯示直觀。本控制板的所有控制參數均為數字量，無溫度漂移變化，運行穩定、工作可靠。強抗干擾能力，江蘇三相觸發板配件，采用獨特措施，惡劣干擾環境正常運行。通用性強，適用范圍寬，控制板適應任何主電路，任何性質負載。手動、自動；穩流、穩壓；電位器控制、儀表控制可任意選擇和切換。三相晶閘管數控板直接觸發六個10000A以內的晶閘管元件的設備，外接脈沖功放板。安徽雙向可控硅調壓模塊功能淄博正高電氣在客戶和行業中樹立了良好的企業形象。

可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了的應用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負脈沖）可使其正向（或反向）導通。這種裝置的優點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構。

每一塊控制板均經過了嚴格的軟件測試、硬件老化，以確保工作穩定可靠。2.產品名稱：通用三相晶閘管數控觸發板3.產品型號：ZKD64.適用裝置:主要用于電解、電鍍、充電、直流電機調速（雙閉環）、直流穩壓穩流、電加熱、電磁鐵、交直流電焊機、交流穩壓穩流等晶閘管電源設備。名稱型號適用范圍通用可控整流ZKD6-TY適用于電解,電鍍,充電,穩流穩壓可控整流裝置調壓移相ZKD6-YX適用于三(單)相交流調壓或整流帶電阻,電感負載化工電解ZKD6-HG適用于化工,冶煉行業大電流可控整流裝置充放電ZKD6-CF適用于蓄電池充放電裝置直流電機調速ZKD6-TS適用于直流電機調速裝置發電機勵磁ZKD6-LC適用于同步電機勵磁裝置電動機勵磁ZKD6-TC適用于電動機勵磁裝置電動機軟啟動ZKD6-RC適用于交流電動機可控硅軟啟動裝置5.適用電路①三相全控橋式可控整流電路。②帶平衡電抗器的雙反星形可控整流電路。③變壓器原邊交流調壓，副邊二極管整流電路。④三相零式整流電路。⑤三相半控橋式可控整流電路。⑥三相交流相控調壓電路⑦三相五柱式雙反星形可控硅整流電路6.正常使用條件⑴海拔高度不超過2000M。⑵環境溫度：-40℃－+50℃。⑶空氣大相對濕度不超過90%(在相當于空氣溫度20±5℃)。淄博正高電氣優良的研發與生產團隊，專業的技術支撐。

使可控硅從斷態轉入通態的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了可控硅的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于可控硅的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發生這種情況。因為可控硅可以看作是由三個PN結組成。在可控硅處于阻斷狀態下，因各層相距很近，其J2結結面相當于一個電容C0。當可控硅陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結，這個電流起了門極觸發電流作用。如果可控硅在關斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發信號的情況下，可控硅誤導通現象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到可控硅上的陽極電壓上升率應有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保可控硅安全運行，常在可控硅兩端并聯RC阻容吸收網絡，利用電容兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。因為電路總是存在電感的(變壓器漏感或負載電感)，所以與電容C串聯電阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C電路在過渡過程中，因振蕩在電容器兩端出現的過電壓損壞可控硅。同時，避免電容器通過可控硅放電電流過大，造成過電流而損壞可控硅。由于可控硅過流過壓能力很差。淄博正高電氣不斷從事技術革新，改進生產工藝，提高技術水平。青島交流可控硅調壓模塊廠家

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可控硅保護電路如何設計可控硅的保護電路，大致可以分為兩種情況：一種是在適當的地方安裝保護器件，例如，R-C阻容吸收回路、限流電感、快速熔斷器、壓敏電阻或硒堆等。再一種則是采用電子保護電路，檢測設備的輸出電壓或輸入電流，當輸出電壓或輸入電流超過允許值時，借助整流觸發控制系統使整流橋短時內工作于有源逆變工作狀態，從而過電壓或過電流的數值。1.過流保護可控硅設備產生過電流的原因可以分為兩類:一類是由于整流電路內部原因,如整流可控硅損壞,觸發電路或控制系統有故障等;其中整流橋可控硅損壞類較為嚴重,一般是由于可控硅因過電壓而擊穿,造成無正、反向阻斷能力，它相當于整流橋臂發生長久性短路，使在另外兩橋臂可控硅導通時，無法正常換流，因而產生線間短路引起過電流.另一類則是整流橋負載外電路發生短路而引起的過電流，這類情況時有發生，因為整流橋的負載實質是逆變橋,逆變電路換流失敗，就相當于整流橋負載短路。另外，如整流變壓器中心點接地，當逆變負載回路接觸大地時，也會發生整流橋相對地短路。2.可控硅的過壓保護可控硅設備在運行過程中，會受到由交流供電電網進入的操作過電壓和雷擊過電壓的侵襲。福建小功率可控硅調壓模塊批發

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