來保持爐內溫度恒定二、可控硅智能調壓模塊的選擇可控硅智能調壓模塊是由電加熱爐控制裝置中關鍵的功率器件，整機裝置是否工作可靠與正確選擇可控硅智能調壓模塊的額定電壓、額定電流等參數有很大關系，選型的原則是考慮工作可靠性，即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V，選擇工作電壓為460V的晶閘管智能模塊，其他電壓的可控硅智能調壓模塊需要訂做。對可控硅智能調壓模塊電流的選擇，必須考慮加熱爐爐絲(或加熱件)的額定工作電流及可控硅智能調壓模塊的輸出電壓值，如果加熱絲為NTC或PTC特性的(即加熱絲額定電流隨溫度變化，開機時溫度很低，額定電流會很大或加熱到較高溫度時，額定電流會很大或加熱到較高溫度時，額定電流會很大)，必須考慮加熱絲整個工作狀態的電流值，作為加熱絲的額定電流值來確定可控硅智能調壓模塊的規格大小。淄博正高電氣擁有業內人士和高技術人才。濟南交流晶閘管調壓模塊分類

軟啟動器可控硅降溫的重要性軟啟動器中可控硅模塊是比較重要的一環，所以保護好可控硅模塊能夠的延長軟啟動器的使用壽命。可控硅模塊與其它功率器件一樣，工作時由于自身功耗而發熱。如果不采取適當措施將這種熱量散發出去，就會引起模塊管芯PN結溫度急劇上升。致使器件特性惡化，直至完全損壞。晶閘管的功耗主要由導通損耗、開關損耗、門極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應用中主要的是導通損耗。散熱器的常用散熱方式有：自然風冷、強迫風冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。正常工作情況的軟啟動器設備有，主要以熱量的形式散失在環境當中，所以我們要先解決軟啟動器工作環境的溫度問題，若工作環境的溫度過高則將危害到軟啟動器的工作，導致軟啟動器過熱保護跳閘。保證軟起動器具有良好的運行環境，須對變頻器及運行環境的溫度控制采取相應的措施。給軟啟動器預留一定的空間，定期給軟啟動器進行清灰處理，都是能夠有效降低可控硅溫度的方式。貴州小功率晶閘管調壓模塊功能淄博正高電氣多方位滿足不同層次的消費需求。

可控硅模塊的發展及應用來源，可控硅模塊簡稱可控硅，又名晶閘管，通常被稱之為功率半導體模塊，可控硅模塊的優點顯而易見，體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝。下面來看看可控硅模塊的發展和應用。可控硅模塊在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，并且不象繼電器那樣控制時有火花產生，且動作快、壽命長、可靠性好。在調速、調光、調壓、調溫以及其他各種控制電路中都有可控硅的身影。可控硅模塊分為單向可控硅和雙向可控硅，符號也不同。單向可控硅模塊有三個PN結，由外層的P極和N極引出兩個電極，它們分別稱為陽極和陰極，由中間的P極引出一個控制極。單向可控硅模塊有其獨特的特性：當陽極接反向電壓，或者陽極接正向電壓但控制極不加電壓時，它都不導通，而陽極和控制極同時接正向電壓時，它就會變成導通狀態。一旦導通，控制電壓便失去了對它的控制作用，不論有沒有控制電壓，也不論控制電壓的極性如何，將一直處于導通狀態。要想關斷，只有把陽極電壓降低到某一臨界值或者反向。雙向可控硅模塊的引腳多數是按T1、T2、G的順序從左至右排列（電極引腳向下。面對有字符的一面時）。

怎么區分可控硅模塊的損壞緣由當可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時，可把管芯從冷卻套中取出，翻開芯盒再取出芯片，調查其損壞后的痕跡，以判別是何緣由。下面介紹幾種常見表象剖析。電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其方位在遠離操控極上。電壓擊穿。可控硅因不能接受電壓而損壞，其芯片中有一個光亮的小孔，有時需用擴展鏡才干看見。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開時發生的高電壓擊穿。電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞一樣，而其方位在操控極鄰近或就在操控極上。邊際損壞。他發生在芯片外圓倒角處，有細微光亮小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制作廠家裝置不小心所形成的。它致使電壓擊穿。淄博正高電氣竭誠為您服務，期待與您的合作，歡迎大家前來！

一般情況下陰極表面或芯片邊緣有一燒損的小黑點說明是由于電壓引起的，由電壓引起燒壞晶閘管模塊的原因有兩中可能，一是晶閘管模塊電壓失效，就是我們常說的降伏，電壓失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是線路問題，線路中產生了過電壓，且對晶閘管模塊所采取的保護措施失效。電流燒壞晶閘管模塊通常是陰極表面有較大的燒損痕跡，甚至將芯片、管殼等金屬大面積溶化。由di/dt所引起的燒壞晶閘管模塊的現象較容易判斷，一般部是門極或放大門極附近燒成一小黑點。我們知道晶閘管模塊的等效電路是由兩只可控硅構成，門極所對應的可控硅做觸發用，目的是當觸發信號到來時將其放大，然后盡快的將主可控硅導通，然而在短時間內如果電流過大，主可控硅還沒有完全導通，大的電流主要通過相當于門極的可控硅流過，而此可控硅的承載電流的能力是很小的，所以造成此可控硅燒壞，表面看就是門極或放大門極附近燒成一小黑點。至于dv/dt其本身是不會燒壞晶閘管模塊的，只是高的dv/dt會使晶閘管模塊誤觸發導通，其表面現象跟電流燒壞的現象差不多。淄博正高電氣過硬的產品質量、優良的售后服務、認真嚴格的企業管理，贏得客戶的信譽。河北單向晶閘管調壓模塊配件

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不同設備選擇不同的可控硅模塊的技巧可控硅模塊在電子行業中應用以及發展比較廣，它已經應用到了很多電子設備中，不同設備中使用的可控硅模塊類型也是不同的，下面可控硅模塊廠家就來來您了解一下。1.選擇可控硅模塊的類型可控硅模塊有多種類型，應根據應用電路的具體要求合理選用。若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調壓、逆變電源、開關電源保護電路等，可選用普通可控硅模塊。若用于交流開關、交流調壓、交流電動機線性調速、燈具線性調光及固態繼電器、固態接觸器等電路中，應選用雙向可控硅模塊。若用于交流電動機變頻調速、斬波器、逆變電源及各種電子開關電路等，可選用門極關斷可控硅模塊。若用于鋸齒波器、長時間延時器、過電壓保護器及大功率晶體管觸發電路等，可選用BTG可控硅模塊。若用于電磁灶、電子鎮流器、超聲波電路、超導磁能儲存系統及開關電源等電路，可選用逆導可控硅模塊。若用于光電耦合器、光探測器、光報警器、光計數器、光電邏輯電路及自動生產線的運行監控電路，可選用光控可控硅模塊。2.選擇可控硅模塊的主要參數可控硅模塊的主要參數應根據應用電路的具體要求而定。所選可控硅模塊應留有一定的功率裕量，其額定峰值電壓和額定電流。濟南交流晶閘管調壓模塊分類

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