晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當(dāng)其反向漏電電流急劇增加時反對應(yīng)的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復(fù)峰值電壓VRRM反向重復(fù)峰值電壓VRRM，是指晶閘管在門極G斷路時，允許加在A、K極間的大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。(六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱通態(tài)平均電壓或通態(tài)壓降VT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下，當(dāng)通過晶閘管的電流為額定電流時，其陽極A與陰極K之間電壓降的平均值，通常為。(七)晶閘管門極觸發(fā)電壓VGT門極觸發(fā)VGT，是指在規(guī)定的環(huán)境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值正向電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的小門極直流電壓，一般為。(八)晶閘管門極觸發(fā)電流IGT門極觸發(fā)電流IGT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的小門極直流電流。(九)晶閘管門極反向電壓門極反向電壓是指晶閘管門極上所加的額定電壓，一般不超過10V。(十)晶閘管維持電流IH維持電流IH是指維持晶閘管導(dǎo)通的小電流。當(dāng)正向電流小于IH時，導(dǎo)通的晶閘管會自動關(guān)斷。(十一)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR。淄博正高電氣全力打造良好的企業(yè)形象。浙江小功率可控硅調(diào)壓模塊功能

可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋Ｆ渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關(guān)使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。晶閘管等元件通過整流來實現(xiàn)。濟(jì)寧單向可控硅調(diào)壓模塊配件淄博正高電氣有著優(yōu)良的服務(wù)質(zhì)量和極高的信用等級。

為何要晶閘管模塊兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)？它的作用是什么呢？晶閘管模塊在電路中具有不可或缺的作用，您也許聽過晶閘管模塊的作用、優(yōu)勢、應(yīng)用范圍等等，您聽過晶閘管模塊兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)的作用是什么嗎？接下來正高電氣就來為您介紹為何要晶閘管模塊兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)？它的作用是什么呢？在實際晶閘管模塊電路中，常在其兩端并聯(lián)rc串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為rc阻容吸收電路。我們知道，晶閘管模塊有一個重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管模塊在額定結(jié)溫和門極斷路條件下，使晶閘管模塊從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管模塊的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管模塊的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因為晶閘管模塊可以看作是由三個pn結(jié)組成。在晶閘管模塊處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其結(jié)面相當(dāng)于一個電容c0。當(dāng)晶閘管陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容c0，并通過j3結(jié)，這個電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管模塊在關(guān)斷時，陽極電壓上升速度太快，則c0的充電電流越大。就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下，晶閘管誤導(dǎo)通現(xiàn)象，即常說的硬開通。

可控硅模塊是可控硅整流器的簡稱。它是由三個PN結(jié)四層結(jié)構(gòu)硅芯片和三個電極組成的半導(dǎo)體器件。那么就讓正高的小編帶大家去了解下其他知識吧！它的三個電極分別叫陽極（A）、陰極（K）和控制極（G）。當(dāng)器件的陽極接負(fù)電位（相對陰極而言）時，從符號圖上可以看出PN結(jié)處于反向，具有類似二極管的反向特性。當(dāng)器件的陽極上加正電位時（若控制極不接任何電壓），在一定的電壓范圍內(nèi)，器件仍處于阻抗很高的關(guān)閉狀態(tài)。但當(dāng)正電壓大于某個電壓（樂為轉(zhuǎn)折電壓）時，器件迅速轉(zhuǎn)變到低阻通導(dǎo)狀態(tài)。加在陽極和陰極間的電壓低于轉(zhuǎn)折電壓時，器件處于關(guān)閉狀態(tài)。此時如果在控制極上加有適當(dāng)大小的正電壓（對陰極），只有使器件中的電流減到低于某個數(shù)值或陰極與陽極之間電壓減小到零或負(fù)值時，器件才可恢復(fù)到關(guān)閉狀態(tài)。多種用途的，根據(jù)結(jié)構(gòu)及用途的不同，它已有很多不同的類型，除上述介紹的整流用普通可控硅之外還有；1、快速的。這種可以工作在較高的頻率下，用于大功率直流開關(guān)、電脈沖加工電源、激光電源和雷達(dá)調(diào)制器等電路中。2、雙向的。它的特點是可以使用正的或負(fù)的控制極脈沖，控制兩個方向電流的導(dǎo)通。它主要用于交流控制電路。淄博正高電氣從國內(nèi)外引進(jìn)了一大批先進(jìn)的設(shè)備，實現(xiàn)了工程設(shè)備的現(xiàn)代化。

國外更大，都是我國自行研制的大功率晶閘管。晶閘管的應(yīng)用：一、可控整流如同二極管整流一樣，可以把交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下，方便地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實現(xiàn)交流——可變直流二、交流調(diào)壓與調(diào)功利用晶閘管的開關(guān)特性代替老式的接觸調(diào)壓器、感應(yīng)調(diào)壓器和飽和電抗器調(diào)壓。為了消除晶閘管交流調(diào)壓產(chǎn)生的高次諧波，出現(xiàn)了一種過零觸發(fā)，實現(xiàn)負(fù)載交流功率的無級調(diào)節(jié)即晶閘管調(diào)功器。交流——可變交流。三、逆變與變頻直流輸電：將三相高壓交流整流為高壓直流，由高壓直流遠(yuǎn)距離輸送以減少損耗。增加電力網(wǎng)的穩(wěn)定，然后由逆變器將直流高壓逆變?yōu)?0HZ三相交流。直流——交流中頻加熱和交流電動機的變頻調(diào)速、串激調(diào)速等變頻，交流——頻率可變交流四、斬波調(diào)壓（脈沖調(diào)壓）斬波調(diào)壓是直流——可變直流之間的變換，用在城市電車、電氣機車、電瓶搬運車、鏟車（叉車）、電氣汽車等，高頻電源用于電火花加工。五、無觸點功率靜態(tài)開關(guān)（固態(tài)開關(guān)）作為功率開關(guān)元件，代替接觸器、繼電器用于開關(guān)頻率很高的場合晶閘管導(dǎo)通條件：晶閘管加上正向陽極電壓后，門極加上適當(dāng)正向門極電壓，使晶閘管導(dǎo)通過程稱為觸發(fā)。淄博正高電氣是多層次的模式與管理模式。濟(jì)寧單向可控硅調(diào)壓模塊配件

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1.用指針式萬用表電阻檔測量可控硅陽極和陰極之間是否短路，一般情況下雙向可控硅陽極和陰極之間的電阻在數(shù)十千歐以上，如用萬用表測量時已短路或電阻已小于10千歐以下，可判斷可控硅已擊穿損壞。2.用萬用表分別測量雙向可控硅觸發(fā)極與陰極之間的電阻值，一般再幾歐至百十歐以內(nèi)的正常，觸發(fā)極與陽極之間的電阻值，一般再十千歐以上為正常。晶閘管(可控硅)要導(dǎo)通，必須滿足以下條件：雙向晶閘管導(dǎo)通條件：一是晶閘管(可控硅)陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備，晶閘管(可控硅)才會處于導(dǎo)通狀態(tài)。另外，晶閘管(可控硅)一旦導(dǎo)通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，晶閘管(可控硅)仍然導(dǎo)通。雙向晶閘管(可控硅)關(guān)斷條件：降低或去掉加在晶閘管(可控硅)陽極至陰極之間的正向電壓，使陽極電流小于小維持電流以下。浙江小功率可控硅調(diào)壓模塊功能

正高電氣，2011-01-06正式啟動，成立了可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊等幾大市場布局，應(yīng)對行業(yè)變化，順應(yīng)市場趨勢發(fā)展，在創(chuàng)新中尋求突破，進(jìn)而提升正高電氣的市場競爭力，把握市場機遇，推動電子元器件產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步。是具有一定實力的電子元器件企業(yè)之一，主要提供可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊等領(lǐng)域內(nèi)的產(chǎn)品或服務(wù)。我們在發(fā)展業(yè)務(wù)的同時，進(jìn)一步推動了品牌價值完善。隨著業(yè)務(wù)能力的增長，以及品牌價值的提升，也逐漸形成電子元器件綜合一體化能力。正高電氣始終保持在電子元器件領(lǐng)域優(yōu)先的前提下，不斷優(yōu)化業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)。在可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊等領(lǐng)域承攬了一大批高精尖項目，積極為更多電子元器件企業(yè)提供服務(wù)。