并不能說明控制極特性不好。因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門機電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。對過壓保護可采用兩種措施：在中頻電源的主電路中，瞬時反相電壓是靠阻容吸收來吸收的。如果吸收電路中電阻、電容開路均會使瞬時反相電壓過高燒壞可控硅。用萬用表電阻檔測量晶閘管有無擊穿。在斷電的情況下用東臺表測量吸收電阻阻值、吸收電容容量，判斷是否阻容吸收回路出現故障。在設備運行時如果突然丟失觸發脈沖，將造成逆變開路，中頻電源輸出端產生高壓，燒壞可控硅元件。原因及處理方法：(1)整流觸發脈沖缺失。這種故障一般是逆變脈沖形成、輸出電路故障，可用示波器進行檢查，也可能是逆變脈沖引線接觸不良，可用手搖晃導線接頭，找出故障位置。淄博正高電氣尊崇團結、信譽、勤奮。江西整流可控硅調壓模塊結構

可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了的應用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負脈沖）可使其正向（或反向）導通。這種裝置的優點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。晶閘管等元件通過整流來實現。江西單向可控硅調壓模塊生產廠家淄博正高電氣迎接挑戰，推陳出新，與廣大客戶攜手并進，共創輝煌！

維持繼電器吸合約4秒鐘，故電路動作較為準確。如果將負載換為繼電器，即可控制大電流工作的負載?？煽毓枋且环N新型的半導體器件，它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、動作快以及使用方便等優點，活動導入以可控硅實際應用案例的展示，以激發學生的活動興趣?？煽毓杩刂齐娐返闹谱?3例1：可調電壓插座電路如圖，可用于調溫（電烙鐵）、調光（燈）、調速（電機），使用時只要把用電器的插頭插入插座即可，十分方便。V1為雙向二極管2CTS，V2為3CTSI雙向可控硅，調節RP可使插座上的電壓發生變化。2：簡易混合調光器根據電學原理可知，電容器接入正弦交流電路中，電壓與電流的大值在相位上相差90°。根據這一原理，把C1和C2串聯聯接，并從中間取出該差為我所用，這比電阻與電容串聯更穩定。電路中，D1和D2分別對電源的正半波及負半波進行整流，并加到A觸發和C1或C2充電。進一步用W來改變觸發時間進行移相，只要調整W的阻值，就可達到改變輸出電壓的目的。D1和D2還起限制觸發極的反相電壓保護雙向可控硅的作用。3：可調速吸塵器這種吸塵器使用可控硅元件構成調速電路，能根據需要控制電機轉速，以發跡管道吸力的大小。調速電路比較成熟，普遍使用在大功率吸塵器中。

可控硅模塊設備相信大家都已經熟悉并了解了，在您了解的知識中，您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎？下面正高電氣來講解一下?？煽毓枘K的工作條件：1.當可控硅模塊承受反向陽極電壓時，不管門級承受哪種電壓，可控硅模塊都會處于斷開狀態。2.當可控硅模塊經歷正向陽極電壓時，可控硅只在門級受到正向電壓時接通。3.當可控硅模塊導通時，只需要有一定的正極電壓，不管門極電壓怎樣，可控硅模塊都保持導通，如果可控硅導通后，門極將失去其功能。4..當可控硅模塊導通時，主電路電壓(或電流)減小到接近零時，可控硅模塊關斷。您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎？可控硅模塊導通的條件是陽極承受正電壓，只有當正向觸發電壓時，可控硅才能導通。由門級施加的正向觸發脈沖的較小寬度應使陽極電流達到維持直通狀態所需的較小的陽極電流，即高于電流IL?？煽毓鑼ê蟮碾妷航岛苄　＝油煽毓枘K的條件是將流過可控硅模塊的電流減小到較小的值，即保持電流IH。有兩種方法：1.將正極電壓降低至數值，或添加反向陽極電壓。2.增加負載電路中的電阻。以上是可控硅模塊的導通狀態，希望能幫助您。淄博正高電氣擁有先進的產品生產設備，雄厚的技術力量。

可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了的應用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負脈沖）可使其正向（或反向）導通。這種裝置的優點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構。淄博正高電氣竭誠為您服務，期待與您的合作，歡迎大家前來！濟寧單向可控硅調壓模塊功能

淄博正高電氣受行業客戶的好評，值得信賴。江西整流可控硅調壓模塊結構

也可用于控制電熱毯、小功率電暖器等家用電器。電路圖溫度控制器電路如圖工作原理220V交流電壓經Cl降壓、VD，和VD。整流、C2濾波及VS穩壓后，一路作為IC（TL431型三端穩壓集成電路）的輸入直流電壓；另一路經RT、R3和RP分壓后，為IC提供控制電壓。在被測溫度低于RP的設定溫度時，NTC502型負溫度系數熱敏電阻器Rr的電阻值較大，IC的控制電壓高于其開啟電壓，IC導通，使LED點亮，VS受觸發而導通，電熱器EH通電開始加熱。隨著溫度的不斷上升，Rr的電阻值逐漸減小，同時IC的控制電壓也隨之下降。當被測溫度高于設定溫度時，IC截止，使LED熄滅，VS關斷，EH斷電而停止加熱。隨后溫度又開始緩慢下降，當被測溫度低于設定溫度時，IC又導通，EH又開始通電加熱。如此循環不止，將被測溫度控制在設定的范圍內?？煽毓枵{壓器電路圖（四）一般書刊介紹的大功率可控硅觸發電路都比較復雜，而且有些元件難以購買。筆者只花幾元錢制作的觸發電路已成功觸發100A以上的可控硅模塊，用于工業淬火爐上調節380V電壓，又裝一套用于大功率鼓風機作無級調速用，效果非常好。本電路也可用作調節220V交流供電的用電器。將兩只單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯．再將控制板與本觸發電路連接。江西整流可控硅調壓模塊結構