一般情況下陰極表面或芯片邊緣有一燒損的小黑點說明是由于電壓引起的，由電壓引起燒壞晶閘管模塊的原因有兩中可能，一是晶閘管模塊電壓失效，就是我們常說的降伏，電壓失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是線路問題，線路中產生了過電壓，且對晶閘管模塊所采取的保護措施失效。電流燒壞晶閘管模塊通常是陰極表面有較大的燒損痕跡，甚至將芯片、管殼等金屬大面積溶化。由di/dt所引起的燒壞晶閘管模塊的現象較容易判斷，一般部是門極或放大門極附近燒成一小黑點。我們知道晶閘管模塊的等效電路是由兩只可控硅構成，門極所對應的可控硅做觸發用，目的是當觸發信號到來時將其放大，然后盡快的將主可控硅導通，然而在短時間內如果電流過大，主可控硅還沒有完全導通，大的電流主要通過相當于門極的可控硅流過，而此可控硅的承載電流的能力是很小的，所以造成此可控硅燒壞，表面看就是門極或放大門極附近燒成一小黑點。至于dv/dt其本身是不會燒壞晶閘管模塊的，只是高的dv/dt會使晶閘管模塊誤觸發導通，其表面現象跟電流燒壞的現象差不多。淄博正高電氣尊崇團結、信譽、勤奮。東營雙向晶閘管調壓模塊配件

所以正反向峰值電壓參數VDRM、VRRM應保證在正常使用電壓峰值的2-3倍以上，考慮到一些可能會出現的浪涌電壓因素，在選擇代用參數的時候,只能向高一檔的參數選取。2.選擇額定工作電流參數可控硅的額定電流是在一定條件的通態均勻電流IT，即在環境溫度為+40℃和規定冷卻條件，器件在阻性負載的單相工頻正弦半波，導通角不少于l70℃的電路中，當穩定的額定結溫時所答應的通態均勻電流。而一般變流器工作時，各臂的可控硅有不均流因素。可控硅在多數的情況也不可能在170℃導通角上工作，通常是少于這一角度。這樣就必須選用可控硅的額定電流稍大一些，一般應為其正常電流均勻值的。3.選擇關斷時間晶閘管模塊在陽極電流減少為0以后，假如馬上就加上正朝陽極電壓，即使無門極信號，它也會再次導通，假如在再次加上正朝陽極電壓之前使器件承受一定時間的反向偏置電壓，也不會誤導通，這說明晶閘管模塊關斷后需要一定的時間恢復其阻斷能力。從電流過O到器件能阻斷重加正向電壓的瞬間為止的小時聞間隔是可控硅的關斷時間tg，由反向恢復時間t和門極恢復時間t構成，普通晶閘管模塊的tg約150-200μs。通常能滿足一般工頻下變流器的使用，但在大感性負載的情況下可作一些選擇。廣西小功率晶閘管調壓模塊配件淄博正高電氣全力打造良好的企業形象。

傳統的電加熱行業使用的功率器件一般采用分離的單只晶閘管和晶閘管觸發板的方式來完成對變壓器初級或次級的調壓;加熱行業往往工作環境很惡劣，粉塵飛揚，溫度變化較大，濕度較高，長時間工作后會出現觸發板工作失常，造成晶閘管擊穿，導致設備停產，產品報廢等，給生產造成眼中損失。并且普通電工無法完成維修工作，必須專業人員進行操作。為了避免出現上述問題，采用密封性好，工作環境適應能力強，安裝維修方便的可控硅智能調壓模塊來替代傳統的方式。可控硅智能調壓模塊是把主電路與移向觸發系統(即觸發板)集成共同封裝在一個塑料外殼內，從而省去了觸發板與晶閘管之間的連接線、晶閘管與晶閘管之間的連接線，減小了接線錯誤的幾率，維護方便，普通電工即可完成操作，省去人員成本。把觸發板封裝到模塊內，環境中的粉塵、濕氣等都不會對其產生影響，增加了可靠性。一、工作原理可控硅智能調壓模塊用于電加熱控制柜內，通過溫控儀表的溫度傳感器來采集爐內溫度，然后由恒溫儀表來控制智能可控硅調壓模塊的輸出電壓，形成一個溫度閉環系統，來保持爐內溫度恒定二、可控硅智能調壓模塊的選擇可控硅智能調壓模塊是由電加熱爐控制裝置中關鍵的功率器件。

正高教你區分可控硅模塊損壞的原因當可控硅模塊損壞后，一定要及時找到損壞的原因，然后立即進行故障處理，下面正高教你如何區分可控硅模塊損壞的原因。當可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時，可把管芯從冷卻套中取出，翻開芯盒再取出芯片，調查其損壞后的痕跡，以判別是何緣由。下面介紹幾種常見表象剖析。電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其方位在遠離操控極上。電壓擊穿。可控硅因不能接受電壓而損壞，其芯片中有一個光亮的小孔，有時需用擴展鏡才干看見。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開時發生的高電壓擊穿。電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞一樣，而其方位在操控極鄰近或就在操控極上。邊際損壞。他發生在芯片外圓倒角處，有細微光亮小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制作廠家裝置不小心所形成的。它致使電壓擊穿。以上4種緣由都是可控硅模塊的常見損壞緣由，遇到可控硅模塊損壞事情，應剖析。淄博正高電氣熱忱歡迎新老客戶惠顧。

相信大家對于可控硅模塊并不陌生了，現代在電氣行業的不斷發展，可控硅模塊的使用范圍越來越廣，但是你對可控硅模塊的了解有多少呢，它的主要參數有哪些你知道嗎？下面為大家講解。可控硅模塊的主要參數有：(1)額定通態平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。(2)正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓。可控硅模塊承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。(3)反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。(4)控制極觸發電流Ig1、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下，陽極——陰極間加有一定電壓時，可控硅模塊從關斷狀態轉為導通狀態所需要的較小控制極電流和電壓。(5)維持電流IH在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的較小陽極正向電流。近年來，許多新型可控硅模塊相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅模塊，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅模塊，可以用正觸發信號使其導通。淄博正高電氣嚴格控制原材料的選取與生產工藝的每個環節，保證產品質量不出問題。東營雙向晶閘管調壓模塊配件

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正高談智能晶閘管模塊在電氣控制中的應用晶閘管模塊，出現在1957年，而后隨著半導體技術及其應用技術的不斷發展，使晶閘管模塊在電氣控制領域中發揮了很大的作用，但是，過去人們只能以分立器件的形式把晶閘管用在各種電氣控制裝置中，由分立器件組成的電路復雜、體積大，安裝調試麻煩，可靠性也較差。但是淄博正高電氣生產的智能晶閘管模塊從根本上解決了上述問題，下面一起來看看。智能晶閘管模塊就是將晶閘管模塊主電路與移相觸發電路以及具有控制功能的電路封裝在同一外殼內的新型模塊。智能晶閘管模塊的移相觸發電路為全數字電路，功能電路由單片機完成，并且內置有多路電流、電壓、溫度傳感器，通過模塊上的接插件可將各種控制線引到鍵盤，進行各種功能和電氣參數設定，并可進行LED或LCD顯示。模塊的每支芯片的電流已達1000A，電壓達1600～2200V，智能晶閘管模塊實際上已是一個準電力電子裝置，不論在體積、容量、功能、智能化程度以及可靠性等方面與傳統裝置相比都有很大優勢，且安裝、使用特別方便。毫無疑問，有了這種模塊，今后將會使配電系統內的各種電氣控制發生重大變化。智能晶閘管模塊一般由電力晶閘管，移相觸發器，軟件控制的單片機。東營雙向晶閘管調壓模塊配件

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