基于設計版圖對硅光芯片進行光耦合測試的方法及系統進行介紹,該方法包括:讀取并解析設計版圖,得到用于構建芯片圖形的坐標簇數據,驅動左側光纖對準第1測試點,獲取與第1測試點相對應的測試點圖形的第1選中信息,驅動右側光纖對準第二測試點,獲取與第二測試點相對應的測試點圖形的第二選中信息,獲取與目標測試點相對應的測試點圖形的第三選中信息,通過測試點圖形與測試點的對應關系確定目標測試點的坐標,以驅動左或右側光纖到達目標測試點,進行光耦合測試;該系統包括上位機,電機控制器,電機,夾持載臺及相機等;本發明具有操作簡單,耗時短,對用戶依賴程度低等優點,能夠極大提高硅光芯片光耦合測試的便利性。硅光芯片耦合測試系統優點：靈活性大。浙江射頻硅光芯片耦合測試系統報價

硅光芯片是將硅光材料和器件通過特殊工藝制造的集成電路，主要由光源、調制器、探測器、無源波導器件等組成，將多種光器件集成在同一硅基襯底上。硅光芯片的具有集成度高、成本低、傳輸帶寬更高等特點，因為硅光芯片以硅作為集成芯片的襯底，所以能集成更多的光器件；在光模塊里面，光芯片的成本非常高，但隨著大規模生產的實現，硅光芯片的低成本成了巨大優勢；硅光芯片的傳輸性能好，因為硅光材料折射率差更大，可以實現高密度的波導和同等面積下更高的傳輸帶寬。像我們的硅光芯片耦合測試系統就應用到了大量的硅光芯片。浙江射頻硅光芯片耦合測試系統廠家硅光芯片耦合測試系統硅光芯片的好處：使用大規模集成性。

硅光芯片耦合測試系統使用到一些有視覺輔助地初始光耦合的步驟是屬于耦合工藝的一部分。在此工藝過程中，輸入及輸出光纖陣列和波導輸入及輸出端面的距離大約是100~200微米，以便通過使用機器視覺精密地校準預粘接間隙的測量，為后面必要的旋轉耦合留出安全的空間。旋轉耦合技術的原理。大體上來講，旋轉耦合是通過使用線性偏移測量及旋轉移動相結合的方法，將輸出光纖陣列和波導的的第1個及結尾一個通道進行耦合，并作出必要的更正調整。輸出光纖陣列的第1個及結尾一個通道和兩個光探測器相聯接。

硅光芯片耦合測試系統系統，該設備主要由極低/變溫控制子系統、背景強磁場子系統、強電流加載控制子系統、機械力學加載控制子系統、非接觸多場環境下的宏/微觀變形測量子系統五個子系統組成。其中極低/變溫控制子系統采用GM制冷機進行低溫冷卻，實現無液氦制冷，并通過傳導冷方式對杜瓦內的試樣機磁體進行降溫。系統產品優勢：1、可視化杜瓦，可實現室溫~4.2K變溫環境下光學測試根據測試。2、背景強磁場子系統能夠提供高達3T的背景強磁場。3、強電流加載控制子系統采用大功率超導電源對測試樣品進行電流加載，較大可實現1000A的測試電流。4、該測量系統不與極低溫試樣及超導磁體接觸，不受強磁場、大電流及極低溫的影響和干擾，能夠高精度的測量待測試樣的三維或二維的全場測量。大體上來講，旋轉耦合是通過使用線性偏移測量及旋轉移動相結合的方法。

在光芯片領域，芯片耦合封裝問題是光子芯片實用化過程中的關鍵問題，芯片性能的測試也是至關重要的一步驟，現有的硅光芯片耦合測試系統是將光芯片的輸入輸出端光纖置于顯微鏡下靠人工手工移動微調架轉軸進行調光，并依靠對輸出光的光功率進行監控，再反饋到微調架端進行調試。芯片測試則是將測試設備按照一定的方式串聯連接在一起，形成一個測試站。具體的，所有的測試設備通過光纖，設備連接線等連接成一個測試站。例如將VOA光芯片的發射端通過光纖連接到光功率計，就可以測試光芯片的發端光功率。將光芯片的發射端通過光線連接到光譜儀，就可以測試光芯片的光譜等。硅光芯片耦合測試系統硅光芯片的好處：快速的中斷處理和硬件I／O支持。北京自動硅光芯片耦合測試系統機構

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硅光芯片耦合測試系統應用到硅光芯片，我們一起來了解硅光芯片的市場定位：光芯片作為光通信系統中的中心器件，它承擔著將電信號轉換成光信號或將光信號轉換成電信號的重任，除了外加能源驅動工作，光器件的轉換能力和效率決定著通信速度。為什么未來需要硅光芯片，這是由于隨著5G時代的到來，芯片對傳輸速率和穩定性要求更高，硅光芯片相比傳統硅芯的性能更好，在通信器件的高級市場上，硅光芯片的作用更加明顯。未來人們對流量的速度要求比較高，作為技術運營商，5G的密集組網對硅光芯片的需求大增。之所以說硅光芯片定位通信器件的高級市場，這是由于未來的5G將應用在生命科學、超算、量子大數據、無人駕駛等，這些領域對通訊的要求更高，不同于4G網絡，零延時、無差錯是較基本的要求。目前，國內中心的光芯片及器件依然嚴重依賴于進口，高級光芯片與器件的國產化率不超過10%，這是國內加大研究光芯的內在驅動力。浙江射頻硅光芯片耦合測試系統報價

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