硅光芯片耦合測試系統是比較關鍵的，我們的客戶非常關注此工位測試的嚴謹性，硅光芯片耦合測試系統主要控制“信號弱”，“易掉話”，“找網慢或不找網”，“不能接聽”等不良機流向市場。一般模擬用戶環境對設備EMC干擾的方法與實際使用環境存在較大差異，所以“信號類”返修量一直占有較大的比例。可見，硅光芯片耦合測試系統是一個需要嚴謹的關鍵崗位，在利用金機調好衰減（即線損）之后，功率無法通過的，必須進行維修，而不能隨意的更改線損使其通過測試，因為比較可能此類機型在開機界面顯示滿格信號而在使用過程中出現“掉話”的現象，給設備質量和信譽帶來負面影響。以上是整機耦合的原理和測試存在的意義，也就是設備主板在FT測試之后，還要進行組裝硅光芯片耦合測試系統的原因。端面耦合器需要解決的問題是模斑尺寸的匹配,而光柵耦合器由于需要特定角度入射光,主要需要解決光路偏折。湖北單模硅光芯片耦合測試系統廠家

硅光芯片耦合測試系統系統的測試設備包括可調激光器、偏振控制器和多通道光功率計，通過光矩陣的光路切換，每一時刻在程序控制下都可以形成一個單獨的測試環路。其光路如圖1所示，光源出光包含兩個設備，調光過程使用ASE寬光源，以保證光路通過光芯片后總是出光，ASE光源輸出端接入1*N路耦合器；測試過程使用可調激光器，以掃描特定功率及特定波長，激光器出光后連接偏振控制器輸入端，以得到特定偏振態下光信號；偏振控制器輸出端接入1個N*1路光開光；切光過程通過輸入端光矩陣，包含N個2*1光開關，以得到特定光源。輸入光進入光芯片后由芯片輸出端輸出進入輸出端光矩陣，包含N個2*1路光開關，用于切換輸出到多通道光功率計或者PD光電二極管，分別對應測試過程與耦合過程。湖北單模硅光芯片耦合測試系統廠家在通信器件的高級市場上，硅光芯片的作用更加明顯。

硅光芯片耦合測試系統組件裝夾完成后，主要是通過校正X,Y和Z方向的偏差來進行的初始光功率進行耦合測試的，圖像處理軟件能自動測量出各項偏差，然后軟件驅動運動控制系統和運動平臺來補償偏差，以及給出提示，繼續手動調整角度滑臺。當三個器件完成初始定位，同時確認其在Z軸方向的相對位置關系后，這時需要確認輸入光纖陣列和波導器件之間光的耦合對準。點擊找初始光軟件會將物鏡聚焦到波導器件的輸出端面。通過物鏡及初始光CCD照相機，可以將波導輸出端各通道的近場圖像投射出來，進行適當耦合后，圖像會被投射到顯示器上。

實驗中我們經常使用硅光芯片耦合測試系統獲得了超過50%的耦合效率測試以及低于-20dB的偏振串擾。我們還對一個基于硅條形波導的超小型偏振旋轉器進行了理論分析,該器件能夠實現100%的偏轉轉化效率,并擁有較大的制造容差。在這里,我們還對利用側向外延生長硅光芯片耦合測試系統技術實現Ⅲ-Ⅴ材料與硅材料混集成的可行性進行了初步分析,并優化了諸如氫化物氣相外延,化學物理拋光等關鍵工藝。在該方案中,二氧化硅掩膜被用來阻止InP種子層中的線位錯在外延生長中的傳播。初步實驗結果和理論分析證明該集成平臺對于實現InP和硅材料的混合集成具有比較大的吸引力。硅光芯片耦合測試系統組件裝夾完成后，通過校正X,Y和Z方向的偏差來進行的初始光功率耦合。

硅硅光芯片耦合測試系統及硅光耦合方法,其用以將從硅光源發出的硅光束耦合進入硅光纖,并可減少硅光束背向反射進入硅光源,也提供控制的發射條件以改善前向硅光耦合。硅光耦合系統包括至少一個平坦的表面,平坦的表面與硅光路相交叉的部分的至少一部分上設有若干擾動部。擾動部具有預選的橫向的寬度及高度以增加前向硅光耦合效率及減少硅光束從硅光纖的端面進入硅光源的背向反射。擾動部通過產生復合的硅光束形狀來改善前向硅光耦合,復合的硅光束形狀被預選成更好地匹配硅光纖多個硅光模式的空間和角度分布。硅光芯片耦合測試系統優點：反應速度快。湖北單模硅光芯片耦合測試系統廠家

硅光芯片主要由光源、調制器、有源芯片等組成，通常將光器件集成在同一硅基襯底上。湖北單模硅光芯片耦合測試系統廠家

硅光芯片耦合測試系統硅光陣列微調設備,微調設備包括有垂直設置的第1角度調節機構與第二角度調節機構,微調設備可帶動設置于微調設備上的硅光陣列在垂直的兩個方向實現角度微調。本發明還提供一種光子芯片測試系統硅光陣列耦合設備,包括有微調設備以及與微調設備固定連接的位移臺,位移臺可實現對探針卡進行空間上三個方向的位置調整。基于光子芯片測試系統硅光陣列耦合方法,可使得硅光陣列良好的對準到芯片端面的光柵區間,從而使得測試過程更加穩定,結果更加準確。湖北單模硅光芯片耦合測試系統廠家