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來源: 發布時間:2025-04-30

紅外熱像儀的工作原理是基于物體發出的紅外輻射和熱量分布。它利用紅外傳感器和光學系統來捕捉和轉換紅外輻射成為可見圖像。具體來說,紅外熱像儀包括以下幾個關鍵組件:紅外傳感器:紅外傳感器是紅外熱像儀的主要部件,它能夠感知物體發出的紅外輻射。紅外輻射是物體由于熱量而發出的電磁波,其波長范圍通常在0.7至1000微米之間。光學系統:紅外熱像儀的光學系統包括透鏡、反射鏡和光學濾波器等。透鏡用于聚焦紅外輻射,反射鏡用于將紅外輻射反射到紅外傳感器上,光學濾波器則用于選擇特定波長范圍的紅外輻射。紅外圖像處理器:紅外圖像處理器負責接收紅外傳感器捕捉到的紅外輻射信號,并將其轉換為可見圖像。它會對紅外輻射信號進行放大、濾波、調整和處理,以生成高質量的熱圖像。顯示器:紅外熱像儀通常配備顯示器,用于顯示紅外圖像。顯示器可以是內置于熱像儀本身的屏幕,也可以是通過連接到其他設備上的外部顯示器。紅外線熱像儀靈敏度高,如保溫杯、熱飯盒等都能監測出來,并將定位在發熱點,監測精度高。testo 875-2i紅外熱像儀附件

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nGaAs是由兩種Ⅲ-Ⅴ族半導體材料組成的三元系半導體化合物,它的帶隙隨組分比例的變化而變化。基于此材料制備的IR探測器,其響應截止波長可達到3μm以上,響應范圍完全覆蓋NIR波段,是該波段探測器團體里**重要的成員。在該體系下,其他化合物性能如下圖所示:與其它的常用IR探測器相比,InGaAs探測器的興起較晚,在上世紀80年代才開始走進人類的視野。近年來,得益于NIR成像的強勢崛起,InGaAs的發展勢頭也十分迅猛。在實際生產中,一般將InGaAs材料生長在磷化銦(InP)襯底上,紅外熱像儀兩者的晶格失配度也會隨InGaAs組分的變化而變化。雙光路紅外熱像儀性價比紅外熱像儀是否可以用于建筑和房屋檢測?

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紅外測溫儀:在對物體進行測量時只能測一個點,可以把它認為成只有一個像素的熱像儀,因此其顯示目標上單個點的溫度測量值。小貼士提醒:在知道準確的位置要進行近距離檢測時,紅外測溫儀經濟實惠并具有出色的性能。面對以下情況時,建議優先考慮紅外熱像儀。NO.2進行小目標測量紅外測溫儀光斑尺寸的同時就限制了需在近距離情況下測量小物體溫度的能力。但要測量極小的元件時,則需要搭配特寫光學元件(微距鏡頭)的紅外熱像儀能聚焦到每像素光斑尺寸小于5μm,這樣更有利于被測物件得到準確的測量結果。

紅外熱像儀可以用于夜視嗎?是的,紅外熱像儀可以用于夜視。由于紅外熱像儀可以檢測物體發出的紅外輻射,而紅外輻射與物體的溫度相關,因此即使在完全黑暗的環境下,紅外熱像儀仍然可以捕捉到物體的熱量分布,從而實現夜視功能。紅外熱像儀可以將物體的熱量分布轉化為熱圖像,以不同的顏色或灰度表示不同溫度區域,使用戶能夠看到在可見光下無法察覺的物體或景象。因此,紅外熱像儀在夜間作戰、安防監控、搜索救援等領域具有重要的應用價值。通俗地講熱像儀就是將物體發出的不可見紅外能量轉變為可見的熱圖像。

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(2)InSb探測器(PC&PV)InSb屬于Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料,它是**早應用于IR探測技術的材料之一,其生長技術已發展得非常成熟?在液氮溫度下,InSb帶隙所對應的波長稍稍大于5μm,此時InSb探測器的響應范圍完美覆蓋MIR波段,且探測率能在整個MIR波段維持很高的水平,因此InSb探測器在MIR波段探測方面有著舉足輕重的地位?下圖是InSb半導體材料及完成后的芯片。隨著紅外熱像儀工作溫度的上升,InSb探測器的量子效率可維持不變,直至160K才開始逐漸衰減?InSb FPA探測器被廣泛應用到了***與天文領域,美國RVS(Raytheon Vision Systems)是這類探測器比較大且**出色的制造商?紅外熱像儀的電池壽命如何?PYROVIEW M480N portable紅外熱像儀

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截止目前,紅外熱像儀HgCdTe材料依舊是制作高性能IR光子探測器的比較好的材料?與InGaAs類似,HgCdTe也是一種三元系半導體化合物,其帶隙也會隨組分的改變而改變,借此HgCdTe探測器可覆蓋1-22μm的超寬波段?HgCdTe探測器在NIR?MIR和LWIR三個波段都能表現出十分優異的性能,所以它問世不久便成為了IR探測器大家族中的霸主?然而,隨著近些年InGaAs探測器的興起,HgCdTe探測器在NIR波段的地位日趨下降;在MIR波段,雖然InSb探測器的探測率不如HgCdTe探測器,但由于InSb的材料生長技術比HgCdTe成熟,HgCdTe探測器在該波段已達不到一家獨大的地步;對于LWIR波段,HgCdTe探測器仍具有很強的統治地位?testo 875-2i紅外熱像儀附件

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