南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫茲二極管技術開發服務，該系列大功率GaN微波毫米波太赫茲二極管器件產品具有耐功率、高速等優勢，工作頻率涵蓋1GHz~300GHz，截止頻率達600GHz；可用于接收端的大功率限幅，提高抗干擾能力；可用于無線輸能或遠距離無線充電，可大幅提高整流功率和效率，實現裝置的小型化；用于太赫茲系統，可提高太赫茲固態源輸出功率，實現太赫茲源小型化，為6G通信等未來應用奠定基礎。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院的CVD用固態微波功率源產品具有集成度高，尺寸小、壽命高等特性。河南石墨烯器件及電路芯片測試

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司的固態功率源產品以其出色的性能深受客戶的認可和好評。從產品的設計、研發到生產制造，研究院確保每一個細節都經過精心打磨，以使產品的性能達到更高的水平。研究院的固態功率源產品不僅在電力、電氣自動化、通信等領域廣泛應用，而且在新能源領域也展現出了廣闊的市場前景。隨著社會的不斷發展和技術的不斷進步，越來越多的行業對于高性能固態功率源的需求也越來越迫切。芯谷高頻以其獨特的設計理念和先進的生產工藝，成功開發出了一系列符合市場需求的固態功率源產品，可以滿足各行業的不同應用需求。未來，南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司將繼續致力于科技創新和產品研發，為客戶提供更加高性能的固態功率源產品。重慶化合物半導體芯片工藝技術服務南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供InGaAs太赫茲零偏SBD技術開發服務。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院的主要產品之一是高功率密度熱源產品，該產品由熱源管芯和熱源集成外殼組成，并采用了先進的厚金技術。熱源管芯的背面可以與任意熱沉進行金錫等焊料集成，也滿足與外殼集成后，在任意熱沉進行機械集成。這種靈活的設計使得熱源可以根據客戶的要求進行定制，尺寸可以進行調整。這款高功率密度熱源產品適用于微系統或微電子領域的熱管、微流以及新型材料的散熱技術開發。同時，它還可以對熱管理技術進行定量的表征和評估。公司可以根據客戶的需求，設計和開發各種熱源微結構及其功率密度。這款產品不僅具有高功率密度，還具有良好的可定制性和適應性。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司是國內為數不多擁有先進太赫茲測試能力的單位之一。公司能夠進行高效準確的測試工作，可以測試至400GHz的各類元器件、MMIC電路及模塊的散射參數測試和器件建模。此外，公司還能夠實現高達500GHz的電路功率測試和噪聲測試。這些能力展示了公司在太赫茲測試領域較強的實力。通過持續的創新和研發，公司不斷拓展技術邊界，為客戶提供更加專業、高質量的服務。作為高頻器件產業企業，公司為整個行業的發展貢獻著自己的力量。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司將繼續致力于太赫茲測試技術的創新和應用，為推動整個行業的進一步發展做出更大的貢獻。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供定制化GaAs/InP SBD太赫茲集成電路芯片技術開發服務。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供異質集成工藝服務，如：1）晶圓鍵合：提供6英寸及以下超高真空鍵合、表面活化鍵合、聚合物鍵合、熱壓鍵合、共晶鍵合等多種類晶圓及非標準片鍵合服務；2）襯底減薄：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料襯底減薄服務；3）表面平坦化：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料表面亞納米級精細拋光服務。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司的多種異質集成技術服務包括：超高真空鍵合、襯底減薄和表面平坦化等，都是基于先進的技術和設備，以滿足客戶的不同需求。芯谷高頻研究院的太赫茲測試能力，能夠實現高達500GHz的電路功率測試和噪聲測試。廣東光電芯片工藝技術服務

芯谷高頻研究院的高功率密度熱源產品適用于微系統或微電子領域的熱管、微流以及新型材料的散熱技術開發。河南石墨烯器件及電路芯片測試

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供Si基GaN微波毫米波器件與芯片技術開發服務，該芯片相對于Si LDMOS，具有工作頻率高、功率大、體積小等優勢；相對于傳統SiC基GaN芯片，具備低成本、高密度集成、大尺寸等優勢；適應于C、Ka、W等主流波段的攻放、開關、低噪放等芯片；南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司可提供定制化的Si基GaN射頻器件和電路芯片研制與代工服務；該芯片可用于5G通信基站、高效能源、汽車雷達、手機終端、人工智能等領域。河南石墨烯器件及電路芯片測試

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