南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司熱情歡迎上下游企業入駐園區。中電芯谷科技產業園位于南京秦淮區，是一個擁有完善基礎設施的現代化產業園區。中電芯谷科技產業園以高科技產業為主，聚集了多家企業。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司作為中電芯谷科技產業園的重要組成部分，自成立以來致力于高頻器件的研發。公司擁有多項重要技術和成果。同時，公司也非常重視與上下游企業的合作與交流，在產品設計、市場營銷等方面積極尋求合作伙伴，推動產業鏈的不斷完善與創新，對于提升整個產業的競爭力和市場份額具有積極的意義。中電芯谷科技產業園還提供完備的服務支持，包括研發創新、財務稅務、人力資源、營銷推廣等方面的專業指導和支持，幫助入駐企業在競爭激烈的市場中立足并獲得成功。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司誠邀各位上下游企業加入中電芯谷科技產業園，共同謀求發展和進步，為行業帶來更多的創新和機遇。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司可提供大功率氮化鎵微波毫米波/太赫茲二極管開發服務。天津熱源器件及電路芯片工藝定制開發

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺在背面工藝方面，擁有鍵合機、拋光臺、磨片機等，可以進行晶片的減薄、拋光以及劃片工藝。公司公共技術服務平臺支持晶圓鍵合工藝，可以支持6英寸及以下晶圓的鍵合，并具備介質、熱壓、共晶、膠粘等鍵合能力，鍵合精度達到2um。鍵合工藝可以將不同的晶圓材料組合在一起，從而制造出具有更高性能的芯片。憑借研究院的技術實力和專業的服務團隊，公共技術服務平臺將為客戶提供更加優良的技術服務，不斷創新晶圓鍵合工藝，助力高科技產業的發展。山西微波毫米波芯片工藝定制開發南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供異質異構集成技術服務。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供異質集成工藝服務，如：1）晶圓鍵合：提供6英寸及以下超高真空鍵合、表面活化鍵合、聚合物鍵合、熱壓鍵合、共晶鍵合等多種類晶圓及非標準片鍵合服務；2）襯底減薄：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料襯底減薄服務；3）表面平坦化：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料表面亞納米級精細拋光服務。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司的多種異質集成技術服務包括：超高真空鍵合、襯底減薄和表面平坦化等，都是基于先進的技術和設備，以滿足客戶的不同需求。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供異質異構集成技術服務，可進行以下先進集成材料制備和研發：1)單晶AlN、LiNbO3壓電薄膜異質晶圓，用于SAW、BAW、XBAR等高性能射頻濾波器；2)厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3異質晶圓，用于低損耗光學平臺；3)AlGaAs-on-insulator，絕緣體上AlGaAs晶圓，用于光量子器件等新一代片上光源平臺；4)Miro-Cavity-SOI，內嵌微腔的絕緣體上Si晶圓，用于環柵GAA，MEMS等器件平臺；5)SionSiC/Diamond，解決傳統Si襯底功率器件散熱低的瓶頸；6)GaNonSiC，解決自支撐GaN襯底高性能器件散熱低的瓶頸；7)支持特定襯底功能薄膜材料異質晶圓定制研發。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院的CVD用固態微波功率源產品具有集成度高，尺寸小、壽命高等特性。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院的高功率密度熱源產品由熱源管芯和熱源集成外殼組成，并采用了先進的厚金技術。熱源管芯的背面可以與任意熱沉進行金錫等焊料集成，也滿足與外殼集成后，在任意熱沉進行機械集成。這種靈活的設計使得熱源可以根據客戶的要求進行定制，尺寸可以進行調整。這款高功率密度熱源產品適用于微系統或微電子領域的熱管、微流以及新型材料的散熱技術開發。同時，它還可以對熱管理技術進行定量的表征和評估。公司可以根據客戶的需求，設計和開發各種熱源微結構及其功率密度。這款產品不僅具有高功率密度，還具有良好的可定制性和適應性。芯谷高頻研究院的太赫茲放大器系列產品，是一項可提供太赫茲芯片解決方案的創新科技成果。內蒙古SBD芯片測試

芯谷高頻研究院的熱物性測試儀可有效解決無法實現大尺寸、微米級厚度、及其超高熱導率等材料的熱評估難題。天津熱源器件及電路芯片工藝定制開發

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供光電器件及電路技術開發。研究院擁有先進的光電器件及電路制備工藝，能夠為客戶提供定制化的技術開發方案和工藝加工服務。公司致力于研發光電集成芯片，以應對新體制微波光子雷達和光通信等領域的發展需求。在此領域，光芯片、器件與模塊將為通信網絡和物聯網等應用提供強有力的支撐。無論是在技術研發上，還是在工藝制備上，研究院都秉持著高標準和嚴謹精神。通過不斷創新和努力奮斗，研究院將不斷提升產品質量和技術水平，以滿足客戶的需求。天津熱源器件及電路芯片工藝定制開發

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